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  • 1 篇 期刊文献

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  • 1 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程(可...
    • 1 篇 电子科学与技术(可...

主题

  • 1 篇 深能级
  • 1 篇 picts法
  • 1 篇 测量
  • 1 篇 si-gaas
  • 1 篇 缺陷

机构

  • 1 篇 复旦大学

作者

  • 1 篇 龚大卫
  • 1 篇 陆昉
  • 1 篇 孙恒慧

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=PICTS法"
1 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
picts研究SI-GaAs中深能级缺陷性质
收藏 引用
Journal of Semiconductors 1992年 第1期13卷 1-7页
作者: 龚大卫 陆昉 孙恒慧 复旦大学物理系 上海200433
本文用 picts配合退火实验对各种 LEC SI-GaAs材料的缺陷进行了测量,对照文献已有的各种结果,分析和讨论了一些缺陷的成因和可能结构.认为其中的W_1 可能是与As_(Ga)有关的 EL3缺陷,W_4为热应力产生的缺陷.P_1 与V_(Ga)有关.在原生... 详细信息
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