检索结果-南通市图书馆

作者：铁雯鹭哈尔滨理工大学

学位级别：硕士

聚酰亚胺(pi)/无机纳米颗粒杂化材料具有良好的电学、力学、热学及机械性能，已成为电气绝缘、微电子技术等领域研究的的重点和热点。目前，对聚酰亚胺基纳米电介质的研究主要集中在采用各种方法制备不同无机物的复合材料，同时采用软... 详细信息

聚酰亚胺(pi)/无机纳米颗粒杂化材料具有良好的电学、力学、热学及机械性能，已成为电气绝缘、微电子技术等领域研究的的重点和热点。目前，对聚酰亚胺基纳米电介质的研究主要集中在采用各种方法制备不同无机物的复合材料，同时采用软件模拟一些复合材料的结构和性能，但采用软件模拟施加温度场和电场的情况下，研究酰亚胺基纳米电介质的结构和性能变化还鲜有报道。二氧化钛(tio)具有较高介电常数和吸收紫外线能力，与聚酰亚胺基形成pi/tio成为一种新型纳米电介质材料。本研究采用MaterialsStudio4.0软件，研究无机纳米tio颗粒杂化pi薄膜的结构与性能，研究在温度场和电场作用下，复合材料结构与性能变化规律具有重要的理论意义和实际应用前景。采用MaterialsStudio4.0软件中的Discover模块研究pi与不同尺寸的tio晶面及tio晶体的不同晶面之间的结合能，结果表明：优化后的pi结构模型与不同超晶格尺寸的tio(012)晶面结合后，随着tio纳米颗粒超晶格尺寸的增加，体系的总能量降低，结合能增加，即在tio颗粒的(012)晶面上，超晶格尺寸越大，tio晶体表面与pi结合得越牢固;而pi模型与tio颗粒的不同晶面结合，其体系的总能量大小排序为(001)>(012)>(221)，结合能大小排序为(012)>(001)>(221)，即体系在(012)晶面上两相结合得最牢固，而在(221)晶面上体系的稳定性最高。采用AmorphousCell模块和Discover模块研究不同温度下pi及pi/tio体系的空间结构及能量组成的变化，模拟结果表明：当温度达到698K时，pi模型的空间构型发生明显变化，材料的稳定性被破坏;而当温度分别达到738K、758K、778K时，掺入tio晶体尺寸分别为(1×1)、(2×2)、(3×3)的pi/tio体系的总能量和结合能才会发生明显变化。即tio掺杂使pi材料的热稳定性提高，掺入tio的含量越高，材料的热稳定性越好，达到改性的目的。采用Dmol3模块研究不同电场中pi及pi/tio体系的能量组成变化，模拟显示：当电场达到190kV/mm时，pi材料的各能量值均发生明显改变，其中HOMO能级上电子的能量值明显增加，即HOMO能级上电子易发生迁移，材料的导电性明显增强，材料击穿，pi材料击穿场强约为190kV/mm;掺入尺寸分别为(1×1)、(2×2)、(3×3)的tio颗粒后，pi/tio体系的击穿场强分别约为240kV/mm、230kV/mm、220kV/mm，比纯pi材料的击穿场强略高，其击穿场强有所提高，电击穿性能改善。由于电场中pi/tio材料的结合能为负值，即材料中pi分子与tio颗粒相排斥，且场强值越高，排斥作用越大，即二者结合得越困难，使tio颗粒难于掺杂到pi薄膜中;模拟结果表明，当施加较强电场时，不宜使用pi/tio材料。

关键词：聚酰亚胺分子模拟纳米杂化 pi/tio2 改性研究

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pi/tio_2纳米复合材料的耐溶剂和耐热性能研究

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高分子学报 2003年第2期13卷 288-292页

作者：杜宏伟孔瑛石油大学化学化工学院东营257061

以可溶性聚酰亚胺pi(HQDPA DMMDA)和钛酸丁酯为原料 ,在共溶剂NMP中 ,通过溶胶凝胶法制备出不同tio2 含量的pi tio2 复合膜 .采用TEM、TG DTG、DSC和溶剂抽提实验等手段表征了pi tio2 复合膜的微结构和复合材料的耐溶剂性和耐热性等性... 详细信息

以可溶性聚酰亚胺pi(HQDPA DMMDA)和钛酸丁酯为原料 ,在共溶剂NMP中 ,通过溶胶凝胶法制备出不同tio2 含量的pi tio2 复合膜 .采用TEM、TG DTG、DSC和溶剂抽提实验等手段表征了pi tio2 复合膜的微结构和复合材料的耐溶剂性和耐热性等性能 .结果表明 ,tio2 含量为 2 2 3wt%时 ,复合膜中tio2 颗粒的平均尺寸为 1 0nm左右 .与纯pi膜相比 ,随着tio2 含量的增加 ,pi tio2 复合膜的耐溶剂性能显著增强 ,热稳定性明显提高 .复合材料的力学性能有所下降 .复合膜耐溶剂性和耐热性能的提高表明pi分子链与tio2

关键词： pi/tio2 纳米复合材料耐溶剂性耐热性能聚酰亚胺溶胶-凝胶

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n型氧化物半导体微纳米材料的静纺丝法制备技术及其光催化性能研究

n型氧化物半导体微纳米材料的静纺丝法制备技术及其光催化性能研究

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作者：陈莹莹浙江大学

学位级别：硕士

纳米材料由于其特殊结构在光，声，电，磁，热等领域表现出很多优异的性能，而静电纺丝法制备的纳米纤维具有非常大的比表面积，也引起人们的广泛关注。tio、ZnO等n型氧化物半导体，作为一种安全无毒的，催化活性高，无污染的材料，在... 详细信息

纳米材料由于其特殊结构在光，声，电，磁，热等领域表现出很多优异的性能，而静电纺丝法制备的纳米纤维具有非常大的比表面积，也引起人们的广泛关注。tio、ZnO等n型氧化物半导体，作为一种安全无毒的，催化活性高，无污染的材料，在光催化领域的应用和改性始终是一个重要的研究课题。本文首次利用静电纺丝法制备tio，ZnO等n型氧化物半导体，以期充分利用纳米纤维比表面积大的特点，进一步提高n型氧化物半导体材料的光催化效率。首先，本文系统研究了静电纺丝技术中各种影响因素如有机物浓度、流体流动速度、电压和极点与极板间距离对纤维直径和形貌的影响。研究发现，电压、流体速率的增大，都会导致直径变粗，极点和极板间的距离的增大则导致直径变细;同时，PVP的浓度和空气湿度的变化也会对纤维形貌产生影响。本文以高聚物(PVP或PAA)和无机盐为原料，利用溶胶凝胶结合静电纺丝法制备了高聚物／无机盐复合纤维，将此纤维进行热处理获得了具有光催化性能的tio单组分纳米纤维，tio／ZnO复合纤维和pi／tio复合纤维。采用差热分析扫描电镜，红外光谱，X射线衍射等分析手段对PVP／无机盐纳米复合纤维和PAA／无机盐纳米纤维进行了表征。利用罗丹明B考察了其光催化性能，并研究了热处理温度对样品结构和光催化性能的影响。结果表明tio纤维直径约50-200nm。450℃煅烧后tio大部分以锐钛矿的晶型存在。光催化实验表明在400℃煅烧得到的tio纤维光催化效率最高。 tio／ZnO复合纤维直径约200-300nm，随着温度升高，tio和ZnO发生了键合作用，形成了Zntio。600℃煅烧得到的复合纤维光催化性能最高。 pi／tio复合纤维直径约200-300nm，光催化实验表明该复合材料具有一定光催化性能。且在tio含量为20％时，光催化性能最好，约为90％;纤维直径为600nm左右的PAA／Ti(OCH)纤维比表面积大约为15．12m／g。实验结果表明，静电纺丝法为n型氧化物半导体及其复合材料应用于光催化材料的制备提供了一条崭新的途径。

关键词：静电纺丝纳米纤维 tio2 tio2/ZnO pi/tio2

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