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文献类型

  • 2 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 2 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 2 篇 材料科学与工程（可...

主题

  • 2 篇 pfcvad
  • 1 篇 zno薄膜
  • 1 篇 靶负压
  • 1 篇 退火温度
  • 1 篇 应变
  • 1 篇 内应变
  • 1 篇 zno

机构

  • 2 篇 南昌大学

作者

  • 2 篇 于鹏
  • 2 篇 盛广沪
  • 2 篇 赵勇
  • 1 篇 俞进
  • 1 篇 方利广
  • 1 篇 赖珍荃
  • 1 篇 侯硕
  • 1 篇 唐建成
  • 1 篇 梁晓军
  • 1 篇 马力

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=PFCVAD"
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pfcvad系统靶负压对硅基ZnO薄膜结构及应变的影响
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南昌大学学报（理科版） 2009年 第2期33卷 164-167页
作者： 于鹏 赵勇 马力 盛广沪 赖珍荃 唐建成 南昌大学理学院 江西南昌330031 南昌大学材料科学与工程学院 江西南昌330031
采用磁过滤阴极脉冲真空弧沉积（pulsed filtered cathodic vacuum arc deposition,pfcvad）系统,以Si（100）单晶片为衬底,在衬底温度300℃、氧气压力4.0×10-2Pa的条件下制备出了c轴择优取向的ZnO薄膜。通过原子力显微镜（AFM）和X射... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
退火温度对ZnO薄膜结构和内应变的影响
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南昌大学学报(理科版) 2011年 第3期35卷 258-262页
作者： 赵勇 俞进 于鹏 侯硕 梁晓军 方利广 盛广沪 南昌大学理学院
采用磁过滤阴极脉冲真空弧沉积技术(pulsed filtered cathodic vacuum arc deposition,pfcvad),以Si(100)单晶片为衬底,在衬底温度400℃、氧气压力4×10-2Pa、靶负压400 V的条件下制备了具有c轴取向的ZnO薄膜。采用原子力显微镜(AFM)和... 详细信息
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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