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作者

  • 1 篇 罗彦彬
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A high linearity SiGe HBT LNA for GPS receiver
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Journal of Semiconductors 2014年 第4期35卷 92-97页
作者： 罗彦彬 石坚 马成炎 甘业兵 钱敏 Institute of Microelectronics Chinese Academy of Sciences Hangzhou Zhongke Microelectronics Co.Ltd. Jiaxing Lianxing Microelectronics Co.Ltd.
A high linearity 1.575 GHz SiGe：HBT low noise amplifier （LNA） for global positioning system applications is described. The bipolar cascoded with an MOSFET LNA was fabricated in a commercial 0.18 μm SiGe BiCMOS pro... 详细信息
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