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文献类型

  • 3 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 3 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 3 篇 工学
    • 2 篇 机械工程
    • 1 篇 材料科学与工程(可...

主题

  • 3 篇 o3气敏元件
  • 3 篇 掺杂离子
  • 1 篇 影响
  • 1 篇 升温脱附
  • 1 篇 钛离子
  • 1 篇 臭氧
  • 1 篇 三氧化钨

机构

  • 3 篇 吉首大学

作者

  • 3 篇 唐世洪
  • 3 篇 谭子尤
  • 3 篇 梁平原
  • 3 篇 张勇华
  • 3 篇 曾庆立
  • 3 篇 邓永和

语言

  • 3 篇 中文
检索条件"主题词=O3气敏元件"
3 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
掺杂离子对o_3气敏元件的影响
收藏 引用
传感器技术 2002年 第4期21卷 13-14,17页
作者: 邓永和 唐世洪 谭子尤 张勇华 梁平原 曾庆立 吉首大学物理与电子工程系 湖南吉首416000
在Wo3 中掺入杂质离子 ,制成傍热式厚膜元件 ,结合升温脱附 (TPD)和半导体分析 。
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
掺杂离子对o_3气敏元件的性能改善
收藏 引用
电子与封装 2002年 第1期2卷 34-37页
作者: 邓永和 唐世洪 谭子尤 张勇华 梁平原 曾庆立 吉首大学物理与电子工程系 湖南吉首416000
在 Wo_3中掺入杂质离子,制成傍热式厚膜元件,结合开温脱附(TPD)和半导体分析,研究了掺杂离子对元件性能的影响。
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
Nb^(5+)/Ti^(4+)离子对o_3气敏元件的性能改善
收藏 引用
微纳电子技术 2002年 第5期39卷 31-33页
作者: 邓永和 唐世洪 谭子尤 张勇华 梁平原 曾庆立 吉首大学物理与电子工程系 湖南吉首416000
在Wo3中掺AN5+、Ti4+杂质离子,制成傍热式厚膜元件,结合开溢脱附(TPD)和半导体分析,研究了掺杂离子对元件性能的影响。
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论