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  • 1 篇 理学
    • 1 篇 化学

主题

  • 4 篇 notching效应
  • 3 篇 微机电系统
  • 2 篇 侧壁形貌
  • 2 篇 深反应离子刻蚀(d...
  • 2 篇 bowing效应
  • 2 篇 电感耦合等离子(i...
  • 1 篇 反应离子深刻蚀
  • 1 篇 热传递
  • 1 篇 绝缘体上硅
  • 1 篇 干法释放

机构

  • 3 篇 北京大学
  • 1 篇 西北工业大学

作者

  • 2 篇 陈兢
  • 1 篇 常洪龙
  • 1 篇 谢建兵
  • 1 篇 丁海涛
  • 1 篇 闫桂珍
  • 1 篇 苑伟政
  • 1 篇 杨振川

语言

  • 4 篇 中文
检索条件"主题词=Notching效应"
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notching效应在MEMS单步干法制造工艺中的应用(英文)
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纳米技术与精密工程 2010年 第2期8卷 167-170页
作者： 谢建兵 苑伟政 常洪龙 西北工业大学微/纳米系统实验室 西安710072
研究了一种基于深反应离子刻蚀(DRIE)中notching效应的MEMS单步干法制造工艺.首先,基于DRIE刻蚀SOI硅片时notching现象产生的机理,设计了多种不同线宽的槽结构,验证notching效应的发生条件.实验结果表明,对于所采用的具有30μm器件层的... 详细信息
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反应离子深刻蚀中加强热传递和抑制notching效应的方法
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电子学报 2010年 第5期38卷 1201-1204页
作者： 丁海涛 杨振川 闫桂珍 北京大学微电子学研究院 北京100871
提出了一种在反应离子深刻蚀中既可以加强热传递又可以抑制notching效应的方法,尤其适用于含有细长梁结构的刻蚀.通过在硅结构的下表面溅射一薄层金属,以加强刻蚀过程中产生的热量的消散,降低了硅结构的温度.用有限元仿真和实验分别验... 详细信息
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ICP体硅深刻蚀中侧壁形貌控制的研究
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中国机械工程 2005年 第Z1期16卷 476-478页
作者： 陈兢 北京大学微米/纳米加工技术国家重点实验室 北京100871
对影响电感耦合等离子(ICP)刻蚀侧壁形貌的工艺参数进行了分析,通过改变刻蚀/钝化周期、平板电极功率、钝化气体C4F8流量以及重叠周期等工艺参数,对侧壁的形貌进行调整.通过实验,得到了控制侧壁形貌正负的优化方案,并极大地减小了Bowin... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 评论
ICP体硅深刻蚀中侧壁形貌控制的研究
ICP体硅深刻蚀中侧壁形貌控制的研究
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中国微米、纳米技术第七届学术会年会
作者： 陈兢 北京大学微米/纳米加工技术国家重点实验室
对影响电感耦合等离子(ICP)刘蚀侧壁形貌的工艺参数进行了分析,通过改变刘蚀/钝化周期、平板电极功率、钝化气体C4F8流量以及重叠周期等工艺参数,对侧壁的形貌进行调整。通过实验,得到了控制侧壁形貌正负的优化方案,并极大地减小了Bowin... 详细信息
来源： cnki会议 评论
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