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nisi2化合物的电子结构

物理学报 1984年第10期 1480-1484页

作者：徐建华谢雷鸣徐永年中国科学院上海冶金研究所复旦大学现代物理研究所

采用自洽LMTO方法,计算了nisi2化合物的电子结构。所得结果与ARUPS光电子谱结果以及LAPW等计算结果符合得相当好。在nisi2化合物中Ni 3p芯能级移动是与镍原子的电子组态变化有关;镍的3d电子减少导致对镍的3p电子屏蔽作用减弱。计算结果... 详细信息

采用自洽LMTO方法,计算了nisi2化合物的电子结构。所得结果与ARUPS光电子谱结果以及LAPW等计算结果符合得相当好。在nisi2化合物中Ni 3p芯能级移动是与镍原子的电子组态变化有关;镍的3d电子减少导致对镍的3p电子屏蔽作用减弱。计算结果表明离子性对化学键贡献很小。

关键词：电子结构 nisi2 电子组态子谱自洽离子性屏蔽作用角量子数成键过渡金属

nisi2外延单晶薄膜TEM分析样品的制备方法——两步局部化学减薄法

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半导体技术 1986年第2期 27-31页

作者：黄贤芳,关中凡,李一之,陈文艳,曾绍洪,柯行生华南工学院物理系华南工学院物理系华南工学院物理系华南工学院物理系华南工学院物理系华南工学院物理系

由于自身的特点,通常制备供TEM分析用超薄样品的方法,不适合于nisi2外延单晶薄膜.为此,提出了一种新的适合于nisi2外延单晶薄膜TEM分析样品的制备方法——两步局部化学减薄法.这一方法也适用于制备硅薄膜的TEM分析样品.

关键词：制备方法外延单晶薄膜 nisi2 分析样品减薄 TEM

用固相外延技术在硅单晶衬底上形成nisi2单晶薄膜的研究

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半导体技术 1986年第4期 25-30+34-39页

作者：李一之,关中凡,黄贤芳,梁胜辉,柯行生,陈文艳,曾绍洪华南工学院物理系华南工学院物理系华南工学院物理系华南工学院物理系华南工学院物理系华南工学院物理系华南工学院物理系

利用固态相变原理,采用常规设备和真空保护气氛两步热处理方法,在硅单晶衬底上形成大面积连续、均匀的二硅化镍单晶薄膜.应用电子通道分析技术和电子衍射技术,研究二硅化镍单晶薄膜晶格完整性,指出上述形成nisi2的方法相对通常仅用真空... 详细信息

利用固态相变原理,采用常规设备和真空保护气氛两步热处理方法,在硅单晶衬底上形成大面积连续、均匀的二硅化镍单晶薄膜.应用电子通道分析技术和电子衍射技术,研究二硅化镍单晶薄膜晶格完整性,指出上述形成nisi2的方法相对通常仅用真空或保护气氛热处理的方法而言,兼具高效率和高晶格完整性的优点.

关键词：单晶衬底固相外延 nisi2 单晶薄膜

Enhancement of ZnO ultraviolet emission by surface plasmon coupling using a rough nisi_2 layer synthesized by ion implantation

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Journal of Semiconductors 2011年第10期32卷 10-13页

作者：谭海仁游经碧张曙光高红丽尹志岗白一鸣张秀兰张兴旺屈盛 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Institute of SemiconductorsChinese Academy of Sciences Eoplly New Energy Technology Co.Ltd.

The calculation results of the surface plasmon(SP) energy and Purcell factor of ZnO/nisi2demonstrate the possibility of using nisi2to enhance the UV emission of ZnO by SP ***,ZnO films were deposited on nisi2layers synthesized by ion implantation,and the roughness of the nisi2layers spans a large range from 3 to 38 nm,providing favorable conditions for investigating SP-mediated *** 11-fold emission enhancement from the ZnO film on the roughest nisi2layer was obtained,which indicates the possibility that metal silicide layers can be used both as an electrical contact and for emission enhancement.

关键词： ZnO film surface plasmon nisi2 photoluminescence

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激光诱导铝热反应在多晶硅上制备Ni和nisi_2薄膜

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中国激光 1989年第1期16卷 59-61页

作者：李丁周政卓曾永健龚焕明邱明新林成鲁上海市激光技术研究所中国科学院上海冶金所

提出一种生成难熔金属硅化物的新方法,用CO_2激光诱导氧化物-铝粉热化学反应在多晶硅表面获得Ni和nisi_2膜.AES和XPS分析给出膜层的组分和深度浓度分布.通过对实验参量的分析认为,不同终相的形成与共晶过程有关.

关键词：硅化物膜多晶硅 nisi2 激光诱导

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用金属诱导准分子激光晶化法制备多晶硅薄膜

液晶与显示 2005年第2期20卷 128-132页

作者：廖燕平邵喜斌吴渊骆文生付国柱荆海马凯中国科学院长春光学精密机械与物理研究所北方液晶工程研究开发中心中国科学院研究生院北京100039 吉林北方彩晶数码电子有限公司吉林长春130033 4.长春联信光电子有限责任公司吉林长春130033 长春联信光电子有限责任公司吉林长春130033

提出了一种新的晶化方法———金属诱导准分子激光晶化法(MI ELA)。该方法在制备多晶硅(p Si)薄膜中包括两个步骤:第一步是用镍金属诱导方法(MIC)通过热退火形成nisi2;第二步是再通过准分子激光退火方法(ELA)晶化形成p Si。通过用XRD、R... 详细信息

提出了一种新的晶化方法———金属诱导准分子激光晶化法(MI ELA)。该方法在制备多晶硅(p Si)薄膜中包括两个步骤:第一步是用镍金属诱导方法(MIC)通过热退火形成nisi2;第二步是再通过准分子激光退火方法(ELA)晶化形成p Si。通过用XRD、Raman与SEM测试,研究了p Si的结晶性和表面形貌特征。研究发现,MI ELA方法制备的p Si与传统的ELA方法和MIC方法相比在形貌上不一样,而且从XRD的特征峰强度可以看出在结晶度上有进一步提高。这个结果源于用MIC方法形成的且与c Si晶格匹配的nisi2在ELA中起到晶核的作用。这种晶化方法说明,在ELA中,晶粒生长不再仅仅依赖于熔融非晶硅和氧化物表面上残存的随机的固体a Si作为成核媒介。这种方法不但可以提供晶粒稳定生长条件,而且也可能使获得更大晶粒粒度的激光晶化能量展宽。

关键词：多晶硅薄膜金属诱导-准分子激光晶化 nisi2

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