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中国腐蚀与防护学报 2015年第2期35卷 183-188页

作者：晏敏胜何进冒守栋杨丽景聂霞宋振纶詹肇麟昆明理工大学材料科学与工程学院昆明650093 中国科学院宁波材料技术与工程研究所中国科学院海洋新材料与应用技术重点实验室宁波315201

采用直流磁控溅射方法在Sm2Co17磁体表面制备Ni Cr Al Y薄膜,分别探讨了Ni Cr Al Y薄膜防护的Sm2Co17(Ni Cr Al Y/Sm2Co17)磁体在500,600和700℃空气中的氧化行为,测试了磁体的氧化增重和磁性能,并用SEM,EDS和XRD对薄膜的微观形貌、化... 详细信息

采用直流磁控溅射方法在Sm2Co17磁体表面制备Ni Cr Al Y薄膜,分别探讨了Ni Cr Al Y薄膜防护的Sm2Co17(Ni Cr Al Y/Sm2Co17)磁体在500,600和700℃空气中的氧化行为,测试了磁体的氧化增重和磁性能,并用SEM,EDS和XRD对薄膜的微观形貌、化学成分和相组成进行表征。结果表明,Ni Cr Al Y薄膜在600℃以下可明显减缓O向Sm2Co17基体的扩散速率,提高Sm2Co17磁体的抗氧化性;当氧化温度升高到700℃,Ni Cr Al Y薄膜的防护效果有所下降。在高温氧化过程中,Ni Cr Al Y薄膜选择性氧化形成富Al2O3的致密氧化膜,可提升薄膜的高温抗氧化性能。

关键词： nicraly薄膜 Sm2Co17磁体氧化磁性能磁控溅射

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真空热处理对nicraly薄膜表面高温氧化的影响

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电子元件与材料 2011年第11期30卷 9-11页

作者：李瑶陈寅之唐永旭蒋洪川刘兴钊电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都610054

采用直流磁控溅射法在镍基高温合金DZ4上制备了nicraly薄膜,并对nicraly薄膜进行真空热处理后再进行高温氧化,以生成一层致密的Al2O3膜,研究了真空热处理对nicraly薄膜表面高温氧化的影响。结果表明:经过真空热处理的nicraly薄膜,高温... 详细信息

采用直流磁控溅射法在镍基高温合金DZ4上制备了nicraly薄膜,并对nicraly薄膜进行真空热处理后再进行高温氧化,以生成一层致密的Al2O3膜,研究了真空热处理对nicraly薄膜表面高温氧化的影响。结果表明:经过真空热处理的nicraly薄膜,高温氧化后表面生成了单一、稳定的α-Al2O3相,Al和O的粒子数分数分别约为32%和50%;而未经过真空热处理直接氧化的nicraly薄膜表面含有θ-Al2O3和α-Al2O3两种物相,且分布不均匀。

关键词： nicraly薄膜真空热处理高温氧化

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涡轮叶片应变测量用TaN薄膜应变计的研制

涡轮叶片应变测量用TaN薄膜应变计的研制

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作者：李超电子科技大学

学位级别：硕士

航空发动机大都采用涡轮发动机作为动力源,而叶片作为涡轮发动机上最关键的部件之一,其健康监测技术一直非常重要。当发动机运行时,发动机内燃料剧烈燃烧会产生一个高温、高压和高振动的恶劣工作环境,叶片就将承受高速、高温、高压、高... 详细信息

航空发动机大都采用涡轮发动机作为动力源,而叶片作为涡轮发动机上最关键的部件之一,其健康监测技术一直非常重要。当发动机运行时,发动机内燃料剧烈燃烧会产生一个高温、高压和高振动的恶劣工作环境,叶片就将承受高速、高温、高压、高振动等的综合作用,叶片损害就容易发生,进而引起发动机故障。因此,叶片的振动测试在航空发动机的研究中是非常关键与必要的。本文中,使用薄膜技术将应变计直接沉积到金属叶片表面,形成功能/结构一体化集成的薄膜应变计。这种应变计厚度在微米量级,不破坏叶片本身的结构,具有对发动机气流扰动小,响应速度快、灵敏度高以及耐高温、高压、气流冲刷等优点。实验中,首先采用中频反应磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上制备TaN薄膜应变计,系统研究了溅射温度、溅射气氛、溅射气压、真空退火时间等工艺参数对TaN薄膜微观特性以及薄膜应变计应变敏感性能的影响,并确定TaN薄膜应变计的最佳制备工艺条件为:溅射功率200 W、沉积时间60 min、薄膜厚度1μm、Ar流量为200 sccm、N2流量为8 sccm、N2/Ar流量比为4%、气压为0.6 Pa,退火温度800℃、保温时间4 h,在此工艺条件下制备薄膜应变计的应变敏感系数(GF)为2,电阻温度系数(TCR)为-69.76 ppm/℃。其次,针对TaN应变计在高温下容易被氧化和可重复性差的缺点,本文研究了不同厚度比的TaN/PdCr双层薄膜应变计的制备工艺及其应变敏感特性。结果表明,PdCr薄膜对TaN薄膜有非常好的保护作用,使应变计的可测温度和可重复性都有较大的提高。最后,在研究了制备在Al2O3陶瓷基片上的TaN薄膜应变计的最优制备工艺的基础上,本论文进一步对直接沉积到金属叶片表面的TaN薄膜应变计展开研究。为了增加应变计与基板之间的附着力并实现电学隔离,在叶片表面制备缓冲层,缓冲层依次由nicraly附着层、Al2O3绝缘层组成,再沉积用来测量应变的TaN敏感层,为了防止应变计在高温下被氧化,还在应变计表面沉积Al2O3保护层,测得应变计的TCR为-79.6 ppm/℃,GF为7.87,可测温度为400℃。

关键词： TaN薄膜应变计 nicraly薄膜应变敏感系数电阻温度系数

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