检索结果-南通市图书馆

药学学报 2000年第2期35卷 128-130页

作者：胡劲波李启隆北京师范大学化学系北京100875

目的:研究博莱霉素在ni/gc离子注入修饰电极上的电化学行为及其应用。方法:博莱霉素在01mol·L-1HAcNaAc(pH462)缓冲溶液中,用离子注入镍的修饰玻碳电极为工作电极进行伏安测定。结果:得到一良好的还原峰,峰电位Ep=-116V(***)。峰电流... 详细信息

目的:研究博莱霉素在ni/gc离子注入修饰电极上的电化学行为及其应用。方法:博莱霉素在01mol·L-1HAcNaAc(pH462)缓冲溶液中,用离子注入镍的修饰玻碳电极为工作电极进行伏安测定。结果:得到一良好的还原峰,峰电位Ep=-116V(***)。峰电流与博莱霉素浓度在10×10-6～14×10-5mol·L-1范围内成线性关系。检出限为80×10-7mol·L-1。并用于尿样的测定,得到满意的结果。用线性扫描和循环伏安法研究了体系的电化学行为。用奥歇电子能谱(AES)和光电子能谱(XPS)等表面分析技术检测了注入电极表面的元素组成、价态和深度分布,对离子注入电极的催化性质进行了探讨。结论:体系属两电子还原的不可逆过程。

关键词：博莱霉素电化学行为修饰电极 ni/gc离子注入

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