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Transport Properties of InAs-lnP Solid Solutions
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Journal of Electrical Engineering 2014年 第5期2卷 207-212页
作者： Nodar Kekelidze Elza Khutsishvili Bella Kvirkvelia David Kekelidze Vugar Aliyev George Kekelidze Ferdinand Tavadze Institute of Metallurgy and Materials Science Tbilisi 0160 Georgia lv.Javakhishvili Tbilisi State University Tbilisi O179 Georgia Georgian Technical University Tbilisi O171 Georgia Institute of Physics of National Academy of Sciences Baku 1143 Azerbao'an BoT EUROSOLAR e. V.Bonn 53113 Germany
Transport phenomena, namely electrical properties of n-type crystals of InAs and InP solid solutions were investigated in the temperature range 4.2-300 K before and after irradiation with fast neutrons and electrons. ... 详细信息
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