检索结果-南通市图书馆

作者：雷俊文西安理工大学

学位级别：硕士

晶硅太阳能电池凭借其成熟的技术和较高的光电转换效率,在全球光伏市场上占据着主导地位。传统晶硅太阳能电池的性能提升受到硅/金属界面载流子复合的制约,同时其复杂的工艺流程导致了生产成本较高。载流子选择性钝化接触技术通过特定... 详细信息

晶硅太阳能电池凭借其成熟的技术和较高的光电转换效率,在全球光伏市场上占据着主导地位。传统晶硅太阳能电池的性能提升受到硅/金属界面载流子复合的制约,同时其复杂的工艺流程导致了生产成本较高。载流子选择性钝化接触技术通过特定材料和设计可减少表面复合损失、简化工艺、降低生产成本,近年来成为晶硅太阳能电池研究的热点。过渡金属氧化物中的nbox是一种电子选择性接触材料。本文采用溶液法制备了nbox薄膜,研究了工艺参数对nbox薄膜形貌与品质、nbox/c-Si（n）结构接触性能的影响。论文的主要工作和结论如下:（1）借助溶液法采用不同工艺条件制备了 nbox薄膜,表征了实验样品。测试结果表明:nbox薄膜的厚度随旋涂速率的增加而变薄,但变薄的幅度逐渐下降,当旋涂速率在2800rpm以上时,薄膜的粗糙度显著降低。当退火温度达到500℃时,nbox显示出明显的多晶特征,该条件下所制备的nbox薄膜为伪六方晶系。当退火温度上升700℃时,薄膜表面出现了较为明显的孔洞;此外,薄膜中Nb主要以Nb5+的形式存在,预示着薄膜具有较好的稳定性;随着退火温度的升高,薄膜的功函数值由4.28eV降至4.11eV。（2）研究了不同工艺参数下nbox的钝化和nbox/c-Si（n）结构的接触性能。少子寿命测试结果表明,nbox薄膜对c-Si（n）有一定的钝化能力,在600℃的退火温度下得到了相对较好的钝化效果,测得的少子寿命为30.9μs。接触电阻率测试结果表明,在600℃的退火温度和2800rpm的旋涂速率下nbox/c-Si（n）结构的接触性能相对较好,接触电阻率为1.71Ω·cm2,需进一步改善其接触性能。（3）通过掺入W来调节nbox/c-Si（n）结构的接触性能。测试结果表明,掺杂能降低该结构的接触电阻率,在Nb:W的摩尔比为10:2时具有相对较低的接触电阻率,接触电阻率为 0.35Ω·cm2。

关键词：钝化接触 nbox 电子选择性接触溶液法

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Pt-nbox/C、Pt-ZrO_2/C复合氧电极催化剂的制备及性能研究

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有色金属（冶炼部分） 2010年第1期 46-49页

作者：孟庆虎张向军李伟伟卢世刚北京有色金属研究总院北京100088

以nbox、ZrO2作为助催化剂,采用分步法制备得到Pt-nbox/C、Pt-ZrO2/C复合催化剂,采用XRD、SEM等手段分析了催化剂的物相及形貌特征。通过循环伏安法、阴极极化曲线等电化学方法对催化剂的电化学性能进行了研究。结果表明,Pt均匀分布在... 详细信息

以nbox、ZrO2作为助催化剂,采用分步法制备得到Pt-nbox/C、Pt-ZrO2/C复合催化剂,采用XRD、SEM等手段分析了催化剂的物相及形貌特征。通过循环伏安法、阴极极化曲线等电化学方法对催化剂的电化学性能进行了研究。结果表明,Pt均匀分布在载体表面,颗粒大小均在5 nm以下;nbox和ZrO2的加入没有改变氧的还原反应机理,与Pt/C、Pt-ZrO2/C催化剂相比,Pt-nbox/C复合催化剂催化氧电化学还原过程的活性有了明显提高。

关键词：质子交换膜燃料电池催化剂助催化剂 nbox ZrO2

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基于nbox的易失型忆阻器特性与应用研究

基于NbOx的易失型忆阻器特性与应用研究

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作者：童亮河北大学

学位级别：硕士

随着数据量的几何式增长,对集成电路(IC)芯片的信息处理和存储能力提出了更高的要求。最先进的半导体技术正面临着特征尺寸减小到10 nm范围时高分辨率制造和高功耗的挑战。为了继续集成电路产业的快速发展,人们越来越多地致力于开发新... 详细信息

随着数据量的几何式增长,对集成电路(IC)芯片的信息处理和存储能力提出了更高的要求。最先进的半导体技术正面临着特征尺寸减小到10 nm范围时高分辨率制造和高功耗的挑战。为了继续集成电路产业的快速发展,人们越来越多地致力于开发新颖的器件概念和架构,其中最有希望的候选者之一是忆阻器。一般来说,单个忆阻器单元具有类似电容器的结构,它由夹在两个导电电极之间的有源层组成。由于结构简单,忆阻器可以很容易地集成在小面积4F(F是最小特征尺寸)的交叉阵列中,并以3D结构垂直堆叠。此外,与现有硅基互补金属氧化物半导体(Si-CMOS)工艺的良好兼容性使得忆阻器具有非常重要的前景。根据数据信息是否可以长期保持,忆阻器可分为易失型和非易失型两类。对于非易失型忆阻器,去除偏压后高阻态(HRS)和低阻态(LRS)都可以保持。然而,易失型忆阻器会在去除外部激励后的几毫秒到纳秒内自发地从LRS返回到HRS,其易失性开关行为的独特延迟和弛豫时间响应适用于电子领域的各种应用。在本文中通过磁控溅射设备制备了基于非晶Nb O薄膜的易失型忆阻器,围绕该忆阻器展开了以下研究:一、制备了结构为Ti N/Nb O/Pt的易失型忆阻器,Nb O薄膜的表面粗糙度R=719pm,器件的开启速度达到了～44 ns,展现出～10 A低关态电流以及～10的开关电流比。器件展现出对称的双向阈值电流-电压(I-V)特性,并且器件的开关可以通过脉冲幅值、脉宽和间隔进行调控。基于其I-V和脉冲测试中对不同温度的响应,通过I-V拟合发现其符合Poole-Frenkel(P-F)导电机制,建立了基于Nb O相变的阻变模型来解释其双向阈值开关行为。二、基于该器件搭建了Resistor-Capacitance(R-C)电路,构建了一个人工Leaky integrate-and-fire(LIF)神经元模型,实现了包括阈值驱动尖峰、动作电位的全有和全无、不应期和强度调制尖峰频率等生物神经元功能。通过调节施加的电压和电路中的电阻器R分别模拟了强度和电导调制尖峰频率响应。通过调节电压的极性实现了双向的神经元功能。基于器件对不同温度的响应,通过加热测试模拟了温度感知神经元。展现了该忆阻器作为人工神经元的组成部分在人工神经网络中的应用前景。三、基于器件的双向易失性阈值开关行为搭建了时钟信号发生器电路,在施加电压的情况下,利用输出端急剧下降的电压作为时钟信号的边沿,得到了稳定的输出时钟信号。通过施加负向电压脉冲,得到了负向的时钟信号。此外,通过调节施加的脉冲幅值以及电路中的电阻器R和电容器C等参数实现了不同频率的时钟信号。该时钟信号发生器具有结构简单且输出信号稳定的优点,展现了一定的应用前景。四、基于器件在脉冲电压下打开的随机延时特性搭建了真随机数发生器(TRNG)电路。统计了不同脉冲幅值以及脉冲间隔下的随机开启延时,展现了一定的规律。收集了2万位数据用于NIST随机性测试,在未经任何处理的情况下通过了12项NIST测试。该TRNG电路在复杂性、可扩展性和功耗方面显示出明显的优势。

关键词：易失型忆阻器 nbox 人工神经元时钟信号发生器 TRNG

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微星nbox 5900U显卡套装首问市

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大众硬件 2003年第9期 16-16页

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