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nb3AI、nb3 （AlGe）、V4 （HfZr）临界电流密度的上限

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低温物理学报 1982年第1期 74-77页

作者：丁世英南京大学物理系

本文根据实验数据,用磁通线阵范性切变的钉扎理论计算了nb3Al、nb3（Al,Ge）、V4（Hf,Zr）等高场超导体的临界电流密度（Jc）的上限,并把它们和其它高场超导体作了比较.结果表明,在直到约26T的高场范围内,nb3Al的Jc上限最大,大约在26T到... 详细信息

本文根据实验数据,用磁通线阵范性切变的钉扎理论计算了nb3Al、nb3（Al,Ge）、V4（Hf,Zr）等高场超导体的临界电流密度（Jc）的上限,并把它们和其它高场超导体作了比较.结果表明,在直到约26T的高场范围内,nb3Al的Jc上限最大,大约在26T到38T的极高场范围内,nb3（Al,Ge）的Jc上限最大.因而在上述磁场范围内,nb3Al和nb3（Al,Ge）是最有发展潜力的高场超导体.

关键词：临界电流密度超导体 HfZr nb3 V4

用nb3(Al0.75Ge0.25)粉末制备超导线材的研究

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低温物理学报 1981年第3期 219-225页

作者：胡素辉,杨廷萍,童祜嵩,程武,陈宏彬中国科学院上海冶金研究所中国科学院上海冶金研究所中国科学院上海冶金研究所中国科学院上海冶金研究所中国科学院上海冶金研究所

提出并研究了将A-15超导化合物粉末置于铜管内拉丝制备超导线材的方法.直径为0.3mm含有nb3(Al0.75Ge0.25)粉末的线材样品在7T（4.2k）的磁场中,全电流密度达到6.7×104A/cm2,Tc=18.3k,并具有良好的韧性.这种方法对成份为A3B在相图上稳... 详细信息

提出并研究了将A-15超导化合物粉末置于铜管内拉丝制备超导线材的方法.直径为0.3mm含有nb3(Al0.75Ge0.25)粉末的线材样品在7T（4.2k）的磁场中,全电流密度达到6.7×104A/cm2,Tc=18.3k,并具有良好的韧性.这种方法对成份为A3B在相图上稳定的和经适当快冷时亚稳定的一些A-15超导化合物都是适用的.

关键词：超导线材铜管 nb3 超导化合物超导材料超导性能临界电流粉末制备 Al Ge

A-15型nb3(Al,Ge)中长程有序的讨论

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金属学报 1982年第4期 439-443页

作者：姜小龙张宏中国科学院上海冶金研究所

对Kitchingman等人提出的A-15型nb(AlGe)化合物的可能的有序结构进行了讨论。对一些可能的有序结构给出了正确的X射线结构因子,并指出Kitchingman等人的结论是值得怀疑的。

关键词：衍射线 Al,Ge 有序结构 A-15 nb3 卜工晶胞晶种结构因子 Ge

颗粒状nb3(Al0.75Ge0.25)的超导转变

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低温与超导 1982年第3期 59-60+58页

作者：杨廷萍,雷啸霖,胡素辉中国科学院上海冶金研究所中国科学院上海冶金研究所中国科学院上海冶金研究所

用电弧炉熔炼 nb3(Al0.75Ge0.25)合金,经化学分析及 X 射线检定,所得合金成分均匀,且与化学计量比很接近。将合金锭机械破碎和研磨到不同粒度,然后用电感法测量零磁场下的超导转变曲线。测量时粉粒处于松散的未受压力状态。图1为不同粒... 详细信息

用电弧炉熔炼 nb3(Al0.75Ge0.25)合金,经化学分析及 X 射线检定,所得合金成分均匀,且与化学计量比很接近。将合金锭机械破碎和研磨到不同粒度,然后用电感法测量零磁场下的超导转变曲线。测量时粉粒处于松散的未受压力状态。图1为不同粒度的 nb3(Al0.75Ge0.25)样品的归一化超导转变曲线。纵坐标是相对频率偏移△f（T）/△f（T=0）,即样品的相对

关键词：转变曲线超导转变超导体 nb3 转变宽度 Ge Al

铜对超导化合物 nb3（Al、Ge）扩散层临界电流的影响

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稀有金属材料与工程 1981年第4期 50-53页

作者： И.С.ДУХОВНЫЙ 黄金昌苏联科学院固体物理研究所

研究了用扩散法制取的、添加了铜的 nb3（Al、Ge）超导化合物的载流能力。热处理包括1650—1850℃短时间高温加热和随后的800℃×3小时低温退火。热处理之后在带材中形成 nb3（Al、Ge）扩散层;业已发现,在退火之后,添加铜的化合物的临... 详细信息

研究了用扩散法制取的、添加了铜的 nb3（Al、Ge）超导化合物的载流能力。热处理包括1650—1850℃短时间高温加热和随后的800℃×3小时低温退火。热处理之后在带材中形成 nb3（Al、Ge）扩散层;业已发现,在退火之后,添加铜的化合物的临界电流是未加铜之化合物的临界电流的10—15倍。讨论了临界电流提高的可能原因。

关键词：临界电流低温退火加热时间 nb3 扩散层表面层超导化合物超导材料 Al Ge

nb_3Sn CICC交流损耗及分流温度计算与分析

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低温与超导 2015年第4期43卷 59-63页

作者：马腾飞方进武玉周伟刘勃北京交通大学电气工程学院北京100044 中国科学院等离子体物理研究所合肥230031

由于应变对nb3Sn CICC(Cable-in-Conduit Conductor)交流损耗和稳定性有重要影响,中文基于Godeke-Ilyin定标法则首先求得nb3Sn导体的临界电流密度,以此为基础计算分析了交流损耗,并讨论了电磁循环对交流损耗的影响;此外基于Godeke-Ilyi... 详细信息

由于应变对nb3Sn CICC(Cable-in-Conduit Conductor)交流损耗和稳定性有重要影响,中文基于Godeke-Ilyin定标法则首先求得nb3Sn导体的临界电流密度,以此为基础计算分析了交流损耗,并讨论了电磁循环对交流损耗的影响;此外基于Godeke-Ilyin定标法则与分流温度的试验结果,拟合出分流温度与轴向应变的关系式,这为分析应变对nb3Sn CICC分流温度的影响提供了一种思路。

关键词： nb3 Sn CICC 临界电流密度定标法则交流损耗分流温度

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预退火对Fe_(73.5)Cu_1nb_3Si_(13.5)B_9纳米晶合金巨磁阻抗效应的影响

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浙江师范大学学报（自然科学版） 2007年第2期30卷 167-170页

作者：孙怀君方允樟施方也林根金吴锋民浙江师范大学数理与信息工程学院浙江金华321004

用HP4294A型阻抗分析仪测量了经不同温度预退火后再540℃退火的Fe73.5Cu1nb3S i13.5B9纳米晶合金薄带的巨磁阻抗,并结合XRD衍射图谱和AFM图谱,研究了预退火对纳米晶介观结构的影响.结果发现,200℃、300℃和400℃预退火处理40 m in对随后... 详细信息

用HP4294A型阻抗分析仪测量了经不同温度预退火后再540℃退火的Fe73.5Cu1nb3S i13.5B9纳米晶合金薄带的巨磁阻抗,并结合XRD衍射图谱和AFM图谱,研究了预退火对纳米晶介观结构的影响.结果发现,200℃、300℃和400℃预退火处理40 m in对随后540℃退火的Fe73.5Cu1nb3S i13.5B9薄带-αFe(S i)纳米晶介观结构产生了影响,颗粒团聚优势明显减弱,横向各向异性场减小,巨磁阻抗比得到了显著的提高.

关键词： Fe73.5 Cu1 nb3 Si13.5 B9 纳米晶合金预退火巨磁阻抗介观结构

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粘附分子nb-3在神经系统中的表达及其脑缺血损伤中的功能研究

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粘附分子NB-3在神经系统中的表达及其脑缺血损伤中的功能研究