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Growth of nano crystalline diamond on Silicon Substrate Using Different Etching Gases by HFCVD

Chinese Journal of Chemical Physics 2010年第6期23卷 689-692,746页

作者： Z.Khalaj M.Ghoranneviss S.Nasirilaheghi Z.Ghorannevisb R.Hatakeyama 伊朗伊斯兰阿萨德大学等离子物理研究中心德黑兰日本东北大学电子工程学系仙台980—8579

We investigate the effects of etching gases on the synthesis of nano crystalline diamonds grown on silicon substrate at the substrate temperature of 550℃ and the reaction pressure of 4 kPa by hot filament chemical vapor deposition method, in which CH4 and H2 act as a source and diluting gases, respectively. N2, H2, and NH3 were used as the etching gases, respectively. Results show that the optimum conditions can be obtained only for the case of H2 gas. The crystal morphology and crystallinity of the samples have been examined by scanning electron microscopy and X-ray diffraction, respectively.

关键词： nano crystalline diamond Etching gas Hot filament chemical vapor deposition

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