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n-mos随机存储器的场掺杂

微电子学 1977年第3期 16-23页

测量并分析了场注入后,各种模拟温度下的场区载流子分布和场注入对器件参数的影响,提出了场注入条件选择的一些原则。

关键词：随机存储器厚度击穿电压随机存取存储器 n-mos 氧化层表面层剂量用药量器件参数杂质分布场区

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2微秒n-mos微处理机

计算机工程 1975年第2期 59-65页

作者： M.SHIMA F.FAGGIn 姚立申

第一个微处理机模仿了小型计算机的除了速度之外的许多结构特性。在速度方面,英特尔公司的8位8080的执行时间达到了2微秒,可与目前许多小型计算机相比。这样,8080在速度上比以前的英特尔8008快一个数量级以上,且由于在8008原有的48条... 详细信息

第一个微处理机模仿了小型计算机的除了速度之外的许多结构特性。在速度方面,英特尔公司的8位8080的执行时间达到了2微秒,可与目前许多小型计算机相比。这样,8080在速度上比以前的英特尔8008快一个数量级以上,且由于在8008原有的48条指令之外,再加了30条新指令,因此可以说是更有力的第二代微处理机的开始。

关键词：存贮器地址总线 CPU 存储器机器周期 n-mos 程序计数器指令计数器处理机

用4K单元n-mos存储器设计小型计算机存储系统

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计算机研究与发展 1976年第12期 29-36页

作者：陈玉宝陈建忠殷新开

随着先进设计技术的应用和 n 沟道半导体工艺技术的完善,已研制成一系列全新的 mos存储器,尤其是4096字×1位的动态存储器克服了原先器件的许多缺点。例如 Motorola-M-CM 6605仅需要一个时钟脉冲,没有与其它信号有严格重迭的要求,它所... 详细信息

随着先进设计技术的应用和 n 沟道半导体工艺技术的完善,已研制成一系列全新的 mos存储器,尤其是4096字×1位的动态存储器克服了原先器件的许多缺点。例如 Motorola-M-CM 6605仅需要一个时钟脉冲,没有与其它信号有严格重迭的要求,它所有的输入及输出是同 TTL 相容,其取数时间仅210 ns。由于它具有高密度、低功耗和高速等特点,因而它很适用于作主存储器。

关键词：存储器 n-mos CE 存贮器计算机计算机存储系统中央处理部件

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高能离子注入场区和掺杂的n-mos工艺

仪表技术与传感器 1979年第3期 60-62页

作者：钟士谦

本文讨论制造铝栅n沟mos电路具有增强和耗尽型器件时使用的5次掩模6次掩模(则多一道热氧化版)的制造方法,这种器件工作时,用单一的正5伏电源供电。离子注入分两步进行,高能硼注入用以掺杂表面,磷注入则形成耗尽型器件。注入硼是为了防... 详细信息

本文讨论制造铝栅n沟mos电路具有增强和耗尽型器件时使用的5次掩模6次掩模(则多一道热氧化版)的制造方法,这种器件工作时,用单一的正5伏电源供电。离子注入分两步进行,高能硼注入用以掺杂表面,磷注入则形成耗尽型器件。注入硼是为了防止在高阻P型硅衬底上表面反型,并调节增强型器件的阈值。双电荷硼(B)在210仟电子伏特的能量下穿透过9000埃厚的氧化层。这使注入离子分布的峰值刚好是在硅表面的内部。本文主要讨论用这方法制造的mos/LSI电路增强和耗尽型器件的性能。

关键词： n-mos 离子注入剂量关系曲线离子掺杂用药量场氧化层增强型器件场效应晶体管单极晶体管场效应器件

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硅栅n-mos工艺的发展

微电子学 1986年第5期 89-93页

作者： D.P.Wadhawan,江泽福印度中央电子工程研究所

对于采用局部氧化(LOCOS)工艺的普通LSI硅栅n-mos技术进行了重新设计。重新设计后的有源器件隔离不再使用氮化硅作掩蔽层。这样缩短了工艺流程,同时避免了由于采用LOCOS所产生的诸如鸟嘴的形成及有源区域电的侵蚀等问题。我们采用重新... 详细信息

对于采用局部氧化(LOCOS)工艺的普通LSI硅栅n-mos技术进行了重新设计。重新设计后的有源器件隔离不再使用氮化硅作掩蔽层。这样缩短了工艺流程,同时避免了由于采用LOCOS所产生的诸如鸟嘴的形成及有源区域电的侵蚀等问题。我们采用重新设计的E/D工艺,作一套试验掩模制造了一些器件,并对这些器件的性能进行了评价。研究发现,测量结果与理论计算位非常一致。

关键词： n-mos 重新设计 LOCOS 增强型晶体管硅栅转移特性曲线倒相器

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高速16比特n-mos静态RAM

电子技术 1984年第12期 31-31页

作者：吴茂林

日本某公司研制成一种高速的IMS1400-35型16×1比特n-mos静态RAM,制造中采用了该公司最新的n沟道mos技术和电路设计,取数时间达到了35毫微秒,比得上ECL(发射极耦合逻辑)存储器的速度.最大功耗为660毫瓦(运行时)和110毫瓦

关键词： n-mos RAM 比特

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背景噪声下中文语音质量的客观评价研究

背景噪声下中文语音质量的客观评价研究

作者：掌帆上海交通大学

学位级别：硕士

现代通信设备可能暴露在各种噪声环境中,有效量化终端的噪声抑制效果尤为重要。针对这一问题,ITU-T P.835建议书提出一种主观测试方法,从语音质量S-mos、残留噪声质量n-mos、整体抑噪性能G-mos三个维度进行评价。在客观评价方面,国际上... 详细信息

现代通信设备可能暴露在各种噪声环境中,有效量化终端的噪声抑制效果尤为重要。针对这一问题,ITU-T P.835建议书提出一种主观测试方法,从语音质量S-mos、残留噪声质量n-mos、整体抑噪性能G-mos三个维度进行评价。在客观评价方面,国际上存在ETSI EG 202 396-3、ETSI TS 103 106及ETSI TS 103 281三种评价方法,但其对于中文语音的适用性有待考量。因此,本文的研究目的是分析背景噪声环境下各客观评价方法对于中文语音的性能表现。本文从以下四方面展开研究:第一,分为样本数据库和客观评价模型两部分对三种客观评价方法进行梳理,分析各模型的应用场景,并重点分析其算法差异。第二,搭建实验环境,解决实验室场景下的背景噪声模拟和通信网络模拟问题,为背景噪声下中文语音质量的评价提供采样基础。第三,构建基于中文语音的样本数据库。首先,选用合适的中文音源,在多样化的测试条件下录制终端传输的中文语音样本,得到差异化的客观测试结果。其次,设计合理的主观实验方案,确保主观评测的结果有效可靠。最终,32名大众听众参与主观实验,共收集13824个分项投票,其中涵盖48种测试条件,每种测试条件下分三个维度各获取96个mos投票结果。第四,通过曲线拟合的映射函数对客观测试结果做差异补偿,通过计算各测试条件下主观测试结果的置信区间考量其不确定性,并应用统计指标评估各客观模型的性能表现。实验结果表明,对于背景噪声下中文语音质量的客观评价,ETSI TS103 281模型A具有最优的准确性和相关性。

关键词：语音质量背景噪声 S-mos n-mos G-mos

SiC mos结构界面和近界面缺陷表征与分析

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SiC MOS结构界面和近界面缺陷表征与分析

作者：余康华湖南大学

学位级别：硕士

以碳化硅（SiC）器件为代表的第三代半导体功率器件突破了传统硅基器件性能的理论极限,在更高频、高功率器件领域展现出巨大潜力。其中,4H-SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管（mosFET）是目前最具应用前景的功率半导体器件之一。然而,... 详细信息

以碳化硅（SiC）器件为代表的第三代半导体功率器件突破了传统硅基器件性能的理论极限,在更高频、高功率器件领域展现出巨大潜力。其中,4H-SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管（mosFET）是目前最具应用前景的功率半导体器件之一。然而,目前基于标准工艺实现的SiC mos结构中仍存在大量缺陷,致使4H-SiC mosFET功率器件面临着沟道迁移率较低和栅氧可靠性较差两大问题,严重阻碍了SiC mosFET技术升级与产业应用,其中SiC mos缺陷的微观影响机制仍不清晰,器件的缺陷表征体系仍需完善,因此,对SiC mos结构缺陷的准确评估和特性研究具有重要意义。基于上述问题,本论文针对氮化退火处理的SiC mos结构的界面和近界面缺陷和其对器件电学性能的影响机理展开系统的表征与研究,主要工作内容及创新成果如下:1)提出一种新型应力预处理方法,通过该预处理和简单的双向C-V测量可以对4H-SiC P型电容器中的慢态缺陷进行更准确灵活地表征。通过与传统的双向C-V和光C-V测量进行比较,分析了各方法的缺陷释放原理,验证了应力预处理方法的可行性和准确性。研究了应力时间和应力电压等参数的影响,并结合缺陷释放时间常数讨论了慢态缺陷的性质,初步确定P-mos中的慢态缺陷由相同能级范围内的深能级界面态和近界面态构成。2)结合多种缺陷表征方法,围绕两个不同nO钝化工艺对n型电容器、P型电容器和横向双扩散mosFET（LDmosFET）的影响进行了相关实验研究。通过对电容器进行高低频电容-电压（C-V）、电流-电压（I-V）、电导-频率（G-f）的变温测试和应力预处理等测试,对各类型缺陷进行了表征分析;对LDmosFET的输出、转移特性进行表征,提取了场效应迁移率、阈值电压等参数,分析了不同nO退火工艺对各参数的影响。3)讨论了nO退火工艺对缺陷以及缺陷对LDmosFET迁移率等参数的影响机制。随着nO退火程度的增强,LDmosFET场效应迁移率提升40%,SiC/SiO界面缺陷总密度得到了一定程度降低,其中n-mos和P-mos电容器的常温下检测到的界面态密度的降低幅度最大,这是迁移率提升的主要原因。然而通过低温高低频法检测到导带边快态随着氮化的加强而升高,说明氮化退火在钝化界面态的同时也会在导带边引入快态,这也是限制氮化对迁移率进一步改善的原因。除此之外氮化程度的加强也引起了氧化物有效电荷和慢态缺陷的增加,造成LDmosFET阈值电压的降低。

关键词： 4H-SiC nO退火 n-mos P-mos LDmosFET 缺陷表征

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噪声抑制下的语音质量评估方法研究

信息通信 2019年第11期32卷 56-58页

作者：掌帆上海交通大学电子信息与电气工程学院中国信息通信研究院华东分院上海200001

现代通信设备可能暴露在各种噪声环境中,有效量化终端的噪声抑制效果尤为重要。针对这一问题,引入了ITUT P.835建议书中的S-mos、n-mos、G-mos三维评级方法,对ETSI EG 202396-3、ETSI TS 103106及ETSI TS 103281三种语音质量评估方法进... 详细信息

现代通信设备可能暴露在各种噪声环境中,有效量化终端的噪声抑制效果尤为重要。针对这一问题,引入了ITUT P.835建议书中的S-mos、n-mos、G-mos三维评级方法,对ETSI EG 202396-3、ETSI TS 103106及ETSI TS 103281三种语音质量评估方法进行梳理,说明了各自的应用场景,最后着重分析了三种评估方法的模型和算法差异。

关键词：语音质量噪声抑制 S-mos n-mos G-mos

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