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  • 2 篇 硅衬底
  • 2 篇 绿光led
  • 2 篇 通孔
  • 2 篇 电流扩展
  • 1 篇 电极系
  • 1 篇 延迟电路
  • 1 篇 碎裂
  • 1 篇 双侧向
  • 1 篇 红外面阵探测器
  • 1 篇 脉码通道
  • 1 篇 b电极
  • 1 篇 热应力

机构

  • 2 篇 中山大学
  • 1 篇 大庆钻探工程公司...
  • 1 篇 河南科技大学
  • 1 篇 中原石油勘探局地...

作者

  • 2 篇 招瑜
  • 2 篇 张佰君
  • 2 篇 刘扬
  • 2 篇 罗睿宏
  • 2 篇 冼钰伦
  • 2 篇 范冰丰
  • 2 篇 王钢
  • 2 篇 卫静婷
  • 1 篇 庞太西
  • 1 篇 张晓玲
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检索条件"主题词=N电极"
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n电极结构尺寸和材料对探测器热应力影响
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激光与红外 2015年 第2期45卷 153-157页
作者: 雷震 张立文 张晓玲 孟庆端 张晓红 河南科技大学 河南洛阳471023
温度冲击下锑化铟(In Sb)面阵探测器典型碎裂统计结果表明,起源于n电极区域的裂纹在芯片碎裂中占据主导。为研究温度冲击下n电极结构尺寸和材料选取对In Sb红外面阵探测器所积累热应力的影响,借助AnSYS软件,基于"先分割,后等效"的建模思... 详细信息
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一种新型垂直结构的Si基Gan绿光LED
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半导体技术 2008年 第S1期33卷 235-237页
作者: 卫静婷 张佰君 刘扬 范冰丰 招瑜 罗睿宏 冼钰伦 王钢 中山大学光电材料与技术国家重点实验室 广州510275
为了改善Si基LED的电流扩展问题以及降低其工作电压,阐述了一种工艺简单新型垂直结构的Si基Gan绿光LED(V-LED)。利用ICP在芯片上刻蚀出通孔结构露出n-Gan层和Si衬底层,在通孔上的n-Gan层和Si衬底层蒸镀金属,将n-Gan层和Si衬底层直接导通... 详细信息
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一种新型垂直结构的Si基Gan绿光LED
一种新型垂直结构的Si基GaN绿光LED
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第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议
作者: 卫静婷 张佰君 刘扬 范冰丰 招瑜 罗睿宏 冼钰伦 王钢 中山大学光电材料与技术国家重点实验室
为了改善Si基LED的电流扩展问题以及降低其工作电压,阐述了一种工艺简单新型垂直结构的Si基Gan绿光LED(V-LED)。利用ICP在芯片上刻蚀出通孔结构露出n-Gan层和Si衬底层,在通孔上的n-Gan层和Si衬底层蒸镀金属,将n-Gan层和Si衬底层直接导通... 详细信息
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浅析实际测井中电极系对双侧向曲线的影响
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中国石油和化工标准与质量 2014年 第3期34卷 205-205页
作者: 宋益 黄梅 大庆钻探工程公司测井公司吉林事业部 吉林松原138000
双侧向测井的基本原理要求对比电极n的电位为零,才能保证测量信号Vmn、Vd、Vs的正确,从而准确反映原状地层的电阻率Rt。B电极是深侧向主电流和屏流的回流电极。当B电极距离主电极A0大于25米时,屏蔽电流才能对深侧向主电流I0进行聚焦,使... 详细信息
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恒功率下井仪的改造
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内江科技 2012年 第4期33卷 110-110页
作者: 王立波 庞太西 邵泽阳 中原石油勘探局地球物理测井公司 河南濮阳457001
随着外部市场的扩大,恒功率下井仪使用率越来越高。但是,新乡SCH3506、胜利SL1230、北京521和西安复电阻率JSC-801等恒功率下井仪的脉码传输通道不一致,造成外出服务时一块检测面板不能对这几种下井仪同时进行检测使用,给外出服务人员... 详细信息
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