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  • 1 篇 寄生双极晶体管

机构

  • 1 篇 新疆电子信息材料...
  • 1 篇 中国科学院大学
  • 1 篇 中国科学院新疆理...

作者

  • 1 篇 姜柯
  • 1 篇 陆妩
  • 1 篇 马武英
  • 1 篇 王信
  • 1 篇 刘默寒
  • 1 篇 吴雪
  • 1 篇 崔江维

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=N沟道金属氧化物场效应晶体管"
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深亚微米金属氧化物场效应晶体管及寄生双极晶体管的总剂量效应研究
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物理学报 2014年 第22期63卷 258-265页
作者： 王信 陆妩 吴雪 马武英 崔江维 刘默寒 姜柯 中国科学院新疆理化技术研究所 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室 乌鲁木齐830011 中国科学院大学 北京100049
为从工艺角度深入研究航空航天用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺混合信号集成电路总剂量辐射损伤机理,选取国产CMOS工艺制作的nMOS晶体管及寄生双极晶体管进行了60Coγ射线源下的总剂量试验研究.发现:1)CMOS工艺中固有的寄生效应导致n... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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