检索结果-南通市图书馆

核电子学与探测技术 2024年

作者：郭荣梁润成李国栋郑智睿孙丹韩毅郝焕锋陈法国闫学文中国辐射防护研究院核药研发转化及精准防护山西省重点实验室

抗辐照电机驱动器研发需要准确获取电桥电路金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor， mosfet)器件的总剂量效应失效阈值，电流-电压、电容-电压等离线测试方法，无法真实反映器件开关性能... 详细信息

抗辐照电机驱动器研发需要准确获取电桥电路金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor， mosfet)器件的总剂量效应失效阈值，电流-电压、电容-电压等离线测试方法，无法真实反映器件开关性能随累积剂量增加的连续变化过程。因此，针对mosfet器件总剂量效应的在线测试需求，设计了基于高速信号采集及存储的通用化测试系统，具备被测样品驱动、高频信号采集、高速数据存储、数据坏块管理等功能。利用典型商用mosfet器件开展了总剂量效应测试，结果显示，当吸收剂量达（598.08±41.54）Gy(Si)时，样品采集方波波形开始出现异常，低电平电压升高至0.82 V，高电平电压始终正常；随着累积剂量的增大，低电平电压持续性升高至1.08 V，并进一步升高至1.24 V，但器件开关功能保持正常；当累积剂量达（1775.41±219.68）Gy(Si)时，采集波形跳变为2.93 V的直线，无方波信号输出，经判断mosfet开关功能完全受损。

关键词： n型mosfet 总剂量效应失效阈值测试系统

来源：

同方期刊数据库评论

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：