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AC Recombination Velocity in the Back Surface of a Lamella Silicon Solar Cell under Temperature
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Journal of Modern Physics 2019年 第10期10卷 1235-1246页
作者： Youssou Traore Ndeye Thiam Moustapha Thiame Amary Thiam Mamadou Lamine Ba Marcel Sitor Diouf Ibrahima Diatta Oulymata Mballo El Hadji Sow Mamadou Wade Grégoire Sissoko Laboratory of Semiconductors and Solar Energy Physics Department Faculty of Science and Technology University Cheikh Anta Diop Dakar Senegal Laboratory of Sciences and Techniques of Water and Environment Polytechnic School of Thiès Thiès Senegal University Assane SECK Ziguinchor Senegal
The ac recombination velocity of the excess minority carriers, in the back surface of a silicon solar cell with a vertical junction connected in series, is developed through Einstein’s law giving the diffusion coeffi... 详细信息
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