检索结果-南通市图书馆

高原气象 1991年第1期10卷 99-104页

作者：王希娟青海省气象台

本文根据1987年11月—1988年9月中央气象台气温mos预报的资料,对青藏高原地区19个台站的预报情况进行了检验,并做了误差分析,取得了一些有用的结果。

关键词：青藏高原气温预报 mos 检验

颤振环境mos;/Ag薄膜碰撞滑动接触摩擦性能研究

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摩擦学学报 2021年

作者：杜晶涛佟瑞庭王云峰权泽芬西北工业大学陕西省机电传动与控制实验室上海飞机设计研究院

基于空间机构的运动特性，考虑空间颤振环境的影响，采用粗粒化分子动力学研究mos;/Ag薄膜的碰撞滑动接触摩擦性能，建立颤振环境碰撞滑动接触摩擦的粗粒化分子动力学模型，对比了纯Ag和mos;/Ag薄膜的摩擦性能，研究了碰撞速度、滑动速... 详细信息

基于空间机构的运动特性，考虑空间颤振环境的影响，采用粗粒化分子动力学研究mos;/Ag薄膜的碰撞滑动接触摩擦性能，建立颤振环境碰撞滑动接触摩擦的粗粒化分子动力学模型，对比了纯Ag和mos;/Ag薄膜的摩擦性能，研究了碰撞速度、滑动速度以及空间温度对碰撞滑动接触摩擦过程的影响。结果表明：与纯Ag相比，mos;/Ag薄膜表现出更为优异的摩擦性能；压头碰撞速度对动能有一定的贡献，碰撞速度的增加会增大压头压入基体的深度，使得平均摩擦力增大；滑动速度的增加会加剧原子间的相互剪切摩擦，使平均摩擦力增加；mos;/Ag薄膜在100～500K温度范围内表现出良好的摩擦性能，当空间温度为600K时，其摩擦性能恶化，并伴随着mos;膜的破裂。

关键词：颤振环境 mos /Ag薄膜碰撞滑动接触粗粒化分子动力学摩擦性能

双栅mos场效应管精确的二维电势分布与V_（th）的解析模型

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固体电子学研究与进展 1994年第4期14卷 328-334页

作者：王晓晖汤庭鳌黄宜平复旦大学电子工程系ASIC与系统实验室

双栅（ＤｕａｌＧａｔｅ）ＭＯＳ场效应管所具有的完全对称的独特结构带来一系列电学特性变化引起了人们广泛的研究兴趣。本文利用格林函数法，采用合理的边界条件，得出ＤＧＭＯＳ体硅的二维电势解析表达式，并由此导出适用于亚微米沟... 详细信息

双栅（ＤｕａｌＧａｔｅ）ＭＯＳ场效应管所具有的完全对称的独特结构带来一系列电学特性变化引起了人们广泛的研究兴趣。本文利用格林函数法，采用合理的边界条件，得出ＤＧＭＯＳ体硅的二维电势解析表达式，并由此导出适用于亚微米沟道ＤＧＭＯＳ管阈值电压的解析表达式。阈值电压模型与有关实验数据符合甚好。对于进一步深入探讨ＤＧＭＯＳ管的体反型（ＶｏｌｕｍｅＩｎｖｅｒｓｉｏｎ）效应及其引起的电学特性变化，本模型提供了有效的途径。

关键词： mos 场效应晶体管阈值电压短沟道效应

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mos结构γ总剂量效应仿真模型研究

微电子学 2013年第3期43卷 445-448页

作者：李念龙于奇王凯于文华董铸祥电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054

研究了对mos结构的γ射线总剂量辐射效应进行Sentaurus TCAD仿真所需模型的有效性。仿真结果表明,Sentaurus TCAD提供的Radiation模型和Traps模型在氧化物中并不能被激活,而利用激活氧化物体区和Si/SiO2界面的Insulator Fixed Charges... 详细信息

研究了对mos结构的γ射线总剂量辐射效应进行Sentaurus TCAD仿真所需模型的有效性。仿真结果表明,Sentaurus TCAD提供的Radiation模型和Traps模型在氧化物中并不能被激活,而利用激活氧化物体区和Si/SiO2界面的Insulator Fixed Charges模型可以分别对γ总剂量辐射造成的氧化层固定电荷和Si/SiO2界面陷阱电荷进行有效的模拟仿真。

关键词： mos γ辐射总剂量辐射陷阱电荷 TCAD 仿真模型

p-Ti;C;/mos;制备与罗丹明B降解性能

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环境化学 2021年

作者：陈光于婷婷王学松杨宇杨涛吴文伟滕永跃韩照祥江苏海洋大学化学工程学院江苏海洋大学海洋资源与环境学院上海应用技术大学化学与环境工程学院

为降低半导体光催化材料电子与空穴的复合率,增加材料导电性,提高mos;的催化性能,本研究通过水热合成方法制备p-Ti;C;/mos;异质结复合材料,通过添加Ti;C;提高电子传递速率,p-Ti;C;/mos;异质结促进电子与空穴对分离,从而提高材料催化性能... 详细信息

为降低半导体光催化材料电子与空穴的复合率,增加材料导电性,提高mos;的催化性能,本研究通过水热合成方法制备p-Ti;C;/mos;异质结复合材料,通过添加Ti;C;提高电子传递速率,p-Ti;C;/mos;异质结促进电子与空穴对分离,从而提高材料催化性能.此外,通过对比p-Ti;C;负载量、光照条件以及pH值,探究p-Ti;C;/mos;材料罗丹明B （RhB）的降解性能.研究结果表明,在可见光条件下,p-Ti;C;质量分数为10%的复合材料（TM-10）对RhB的去除效果最佳,其对RhB的降解速率常数是mos;的5.91倍,该材料降解RhB的最适pH值为5.通过加入不同捕获剂发现羟基自由基为降解污染物的主要活性物质,并推断出p-Ti;C;/mos;异质结复合材料降解污染物的机理.

关键词： mos Ti C 光催化复合材料异质结

激光诱导硅表面化学反应形成Ni-SiO_2-Si的准mos结构膜

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中国激光 1990年第2期17卷 95-98页

作者：陆雪标张杰潘世民邱明新邹惠良上海市激光技术研究所上海测试技术研究所

本文报道用激光诱导表面化学反应沉积金属膜的一种新实验结果。用OWCO_02激光诱导硅片表面的Ni_2O_3与硅片衬底反应沉积镍膜,一步形成Ni-SiO_2-Si的准mos结构。用多种表面分析方法对膜层的成份,性能进行测试分析,并讨论了膜的生长机制。

关键词：激光诱导硅表面化学 mos 结构膜

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非对称mos源耦对的研究

电子学报 1989年第2期17卷 116-120页

作者：秦世才陈克贾香鸾南开大学

本文分析了由两个沟道宽长比不同的mos管组成的非对称源耦对的传输特性,并用这种非对称源耦对组成了实用的差动输入级。合理地选取失配因子θ,可以明显改善mos差动输入级的动态输入范围和非线性。

关键词： mos 源耦对传输特性非对称

基于单层mos2纳米片的复合物制备及其光热性能和体外药物释放

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东华大学学报（自然科学版） 2020年第2期46卷 226-231页

作者：杨延波谢晓田张雪静郑永利朱利民东华大学化学化工与生物工程学院上海201620 东华大学-伦敦都市大学中英药用纺织品联合实验室上海201620

将聚乙二醇(SH-PEG)修饰在单层mos 2纳米片表面并进一步接枝聚乙烯亚胺(PEI),用以连接透明质酸(HA),从而构建一种新的HA-PEI-LA-mos 2-SH-PEG纳米药物递送系统。用透射电镜、傅里叶变换红外光谱仪、紫外可见分光光度计、Zeta电位分析仪... 详细信息

将聚乙二醇(SH-PEG)修饰在单层mos 2纳米片表面并进一步接枝聚乙烯亚胺(PEI),用以连接透明质酸(HA),从而构建一种新的HA-PEI-LA-mos 2-SH-PEG纳米药物递送系统。用透射电镜、傅里叶变换红外光谱仪、紫外可见分光光度计、Zeta电位分析仪、动态光散射仪等仪器表征材料的形貌及理化性质。使用盐酸阿霉素(DOX)作为模型药物,研究复合物HA-PEI-LA-mos 2-SH-PEG@DOX的体外药物释放行为。同时,在二硫化钼纳米复合物上负载一种新型的光热剂黑色素(Mel),研究其体外光热效果。结果表明:制备的纳米复合材料HA-PEI-LA-mos 2-SH-PEG@(DOX/Mel)具有pH和近红外光(NIR)双重刺激响应药物释放的性能;黑色素的加载显著提高了mos 2纳米复合物的光热效果,具有应用于肿瘤化学光热协同治疗的前景。

关键词： mos 2 刺激响应性药物释放黑色素光热效果

mos控制晶闸管（MCT）的特性、驱动及应用

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电力电子技术 1995年第2期29卷 73-81页

作者：俞苹西安电力电子技术研究所

ＭＯＳ控制晶闸管（ＭＣＴ）的特性、驱动及应用Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ，ＤｒｉｖｅａｎｄＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｏｆＭＣＴ￥／／西安电力电子技术研究所俞苹１国内外ＭＣＴ研制发展现状本刊１９９０年第四期曾介绍过ＭＣ... 详细信息

ＭＯＳ控制晶闸管（ＭＣＴ）的特性、驱动及应用Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ，ＤｒｉｖｅａｎｄＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｏｆＭＣＴ￥／／西安电力电子技术研究所俞苹１国内外ＭＣＴ研制发展现状本刊１９９０年第四期曾介绍过ＭＣＴ的基本结构、工作原理及与其它器件...

关键词： mos 晶闸管应用

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mos型气体传感器加热板的结构优化

仪表技术与传感器 2019年第10期 12-16,20页

作者：武一苑丽静花中秋邱志磊河北工业大学电子信息工程学院

针对半导体金属氧化物(mos)气体传感器功耗大的问题,对加热电极的线宽和间距做了优化,用有限元仿真软件COMSOL对加热板进行模拟分析,并对加热板温度进行测试。为进一步降低功耗,提高温度均匀性,提出在加热电极一侧添加一层电绝缘、热绝... 详细信息

针对半导体金属氧化物(mos)气体传感器功耗大的问题,对加热电极的线宽和间距做了优化,用有限元仿真软件COMSOL对加热板进行模拟分析,并对加热板温度进行测试。为进一步降低功耗,提高温度均匀性,提出在加热电极一侧添加一层电绝缘、热绝缘的包覆膜。对添加不同材料不同厚度包覆膜的加热板进行模拟分析,并用红外热像仪对加热板的温度分布进行测试。结果表明,添加包覆膜可降低功耗,提高温度均匀性,提高传感器响应速率,且包覆膜越薄越好。

关键词：有限元 mos 传感器加热板温度分布