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Properties of oxide coating on the surface of ZrH_(1.8) prepared by microarc oxidation with different positive voltages

引用

Rare Metals 2013年第2期32卷 169-173页

作者： Guo-Qing Yan Wei-Dong Chen Xue-Kui Zhong Shu-Fang Yan School of Materials Science and Engineering Inner Mongolia University of Technology

Zirconia coatings as hydrogen permeation barriers were formed on disktype ZrHj.s substrate speci mens in phosphate solution system by microarc oxidation technique. Influence of positive voltage on hydrogen per meation barriers on the surface of zirconium hydride was investigated as the main factor. The thickness of total oxide layer increased from 42.5 to 55.0 ~tm the increase of positive voltage increasing from 325 up to 425 V. The permeation reduction factor （PRF） was observed under different voltages, which increased with the increasing positive voltages. The phase structure of oxide layer was monoclinic Zr02 and tetragonal ZrO1.88. No reduction reaction occured in the process of hydrogen escaping, and it indicates that hydrogen permeation through oxide layer is restricted.

关键词： Zirconium hydride Hydrogen permeationbarrier Oxide layers microarc oxidation technique

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