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Mg/B多层膜退火法中不同制备条件对mgb_2超导薄膜性质的影响

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物理学报 2009年第11期58卷 7966-7971页

作者：刘亮马小柏聂瑞娟姚丹王福仁北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京100871 空军航空大学长春130022

用Mg/B多层膜退火的方法制备了一系列mgb2超导薄膜,研究了退火温度、退火时间和薄膜厚度对于mgb2薄膜性质的影响。厚度为250nm的Mg/B多层膜经400℃低温退火后已经生成超导相,此厚度薄膜750℃下退火20—30min实现最佳超导转变温度(Tc)。... 详细信息

用Mg/B多层膜退火的方法制备了一系列mgb2超导薄膜,研究了退火温度、退火时间和薄膜厚度对于mgb2薄膜性质的影响。厚度为250nm的Mg/B多层膜经400℃低温退火后已经生成超导相,此厚度薄膜750℃下退火20—30min实现最佳超导转变温度(Tc)。前驱膜分层厚度相同时,随着薄膜厚度减小mgb2薄膜Tc明显降低,而且较薄的膜Tc受退火温度影响更加明显。通过减小Mg/B多层膜分层厚度,制备的20nm厚mgb2超导薄膜在31K左右出现超导转变。

关键词： mgb2超导薄膜电子束蒸发超导成相

混合物理化学气相法(HPCVD)制备mgb_2超导薄膜技术

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功能材料 2013年第6期44卷 893-896页

作者：周章渝杨发顺王松杨健傅兴华贵州大学理学院贵州贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵州贵阳550025

介绍了采用混合物理化学气相法(HPCVD)工艺以乙硼烷(B2H6)为硼源在热蒸发镀膜机内以不同的沉积温度在(0001)取向的Al2O3单晶基底上制备了mgb2超导薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和标准四线法电阻测量分析了沉积温度对生... 详细信息

介绍了采用混合物理化学气相法(HPCVD)工艺以乙硼烷(B2H6)为硼源在热蒸发镀膜机内以不同的沉积温度在(0001)取向的Al2O3单晶基底上制备了mgb2超导薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和标准四线法电阻测量分析了沉积温度对生成的mgb2薄膜的表面形貌、晶体结构、超导转变温度的影响。结果表明,随着基底温度的升高,mgb2相结晶程度提高,c轴取向程度增强,薄膜整体性能显著提高。

关键词： mgb2超导薄膜沉积温度混合物理化学气相法(HPCVD)

mgb_2超导薄膜半开环结构微带滤波器设计

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电讯技术 2011年第2期51卷 112-115页

作者：陆安江雷涛郑迎宾贵州大学计算机科学与信息学院贵阳550025

采用mgb2超导薄膜材料设计了一个L频段的滤波器。该滤波器采用半开环结构微带谐振腔,产生准椭圆函数响应。滤波器带宽为61 MHz,中心频率为1.75 GHz,带内波纹小于0.1 dB,回波损耗大于18 dB。针对微带滤波器设计过程中出现的中心频率偏移... 详细信息

采用mgb2超导薄膜材料设计了一个L频段的滤波器。该滤波器采用半开环结构微带谐振腔,产生准椭圆函数响应。滤波器带宽为61 MHz,中心频率为1.75 GHz,带内波纹小于0.1 dB,回波损耗大于18 dB。针对微带滤波器设计过程中出现的中心频率偏移、回波损耗过大等问题提出了解决方法。

关键词：超导微带滤波器半开环结构 mgb2超导薄膜

钛离子辐照对mgb_2超导薄膜的载流能力和磁通钉扎能力的影响

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物理学报 2012年第19期61卷 438-444页

作者：王银博薛驰冯庆荣北京大学物理学院北京大学人工微结构与介观国家重点实验室北京大学应用超导研究中心100871

利用混合物理化学气相沉积法(hybrid physical-chemical vapor deposition,HPCVD)可以制备出高性能的mgb2超导薄膜,再对薄膜进行钛(Ti)离子辐照处理.经过辐照处理后的样品被掺入了Ti元素,与未处理的干净mgb2样品相比,其超导转变温度没... 详细信息

利用混合物理化学气相沉积法(hybrid physical-chemical vapor deposition,HPCVD)可以制备出高性能的mgb2超导薄膜,再对薄膜进行钛(Ti)离子辐照处理.经过辐照处理后的样品被掺入了Ti元素,与未处理的干净mgb2样品相比,其超导转变温度没有出现大幅度的下降,而在外加磁场下的临界电流密度得到了明显的提高,同时样品的上临界磁场也得到了提高.在温度5 K,外加垂直磁场为4 T的情况下,Ti离子辐照剂量为1×10^(13)/cm^2的样品的临界电流密度达到了1.72×10~5A/cm^2,比干净的mgb_2要高出许多,而其超导转变温度仍能维持在39.9 K的较高水平.

关键词： mgb2超导薄膜钛离子辐照钛掺杂混合物理化学气相沉积法

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退火时间对mgb_2超导薄膜的影响

低温与超导 2009年第7期37卷 27-29页

作者：劳振花王殿生东营职业学院东营257091 中国石油大学物理科学与技术学院东营257061

在多晶A l2O3衬底上,以B2H6作为硼源,化学气相沉积先驱B薄膜,采用Mg扩散方法,在不同退火时间条件下制备了mgb2超导薄膜。通过电阻-温度曲线测量、X射线衍射分析和扫描电子显微镜形貌观测方法,研究了退火时间对mgb2薄膜的超导特性、晶体... 详细信息

在多晶A l2O3衬底上,以B2H6作为硼源,化学气相沉积先驱B薄膜,采用Mg扩散方法,在不同退火时间条件下制备了mgb2超导薄膜。通过电阻-温度曲线测量、X射线衍射分析和扫描电子显微镜形貌观测方法,研究了退火时间对mgb2薄膜的超导特性、晶体结构、表面形貌的影响。

关键词： mgb2超导薄膜退火时间转变温度晶体结构表面形貌

热处理工艺对mgb_2超导薄膜制备和表面形貌的影响

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低温与超导 2017年第10期45卷 1-6,64页

作者：王松马奎周章渝杨发顺杨健王代强傅兴华贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 贵州大学科技学院贵阳550025 贵州民族大学机电工程学院贵阳550025

mgb_2作为一种独特而重要的高温超导材料(HTS),具备超导转变温度高,相干长度大,临界电流和临界磁场高等优势,具有在超导电子学领域大规模应用的潜力。基于mgb_2超导薄膜的超导器件的制备是该材料能否走向大规模应用的关键。在mgb_2超导... 详细信息

mgb_2作为一种独特而重要的高温超导材料(HTS),具备超导转变温度高,相干长度大,临界电流和临界磁场高等优势,具有在超导电子学领域大规模应用的潜力。基于mgb_2超导薄膜的超导器件的制备是该材料能否走向大规模应用的关键。在mgb_2超导薄膜的CVD法制备过程中,通过优化退火工艺的温度参数,使得mgb_2超导薄膜在单晶基片上的附着和稳定性增强。加入回火处理工艺,提高了薄膜表面的平整度,为mgb_2超导薄膜从材料走向器件创造了条件。

关键词： mgb2超导薄膜退火反应回火处理超导器件

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制备温度对mgb_2薄膜超导电性的影响

物理学报 2002年第12期51卷 2842-2845页

作者：王淑芳朱亚彬张芹周岳亮陈正豪吕惠宾杨国桢中国科学院物理研究所光物理开放实验室北京100080

报道了用两步法制备mgb2 超导薄膜 .首先利用脉冲激光沉积技术制备B膜 ,然后在Mg蒸气环境下对B膜进行后退火处理 ,通过扩散反应生成mgb2 超导薄膜 .采用扫描电子显微镜、x射线衍射、电阻测量和磁测量技术分析了前驱物B膜的制备温度对扩... 详细信息

报道了用两步法制备mgb2 超导薄膜 .首先利用脉冲激光沉积技术制备B膜 ,然后在Mg蒸气环境下对B膜进行后退火处理 ,通过扩散反应生成mgb2 超导薄膜 .采用扫描电子显微镜、x射线衍射、电阻测量和磁测量技术分析了前驱物B膜的制备温度对扩散产物mgb2 薄膜的表面形貌、晶体结构、超导转变温度和临界电流密度的影响 .结果表明 ,随着B膜制备温度的降低 ,mgb2 薄膜中晶粒粒度减小、c取向的衍射线宽化、超导转变温度升高、临界电流密度增大 .30 0℃时制备的mgb2 超导薄膜的超导起始转变温度为 39 5K ,临界电流密度为 1 3× 10 7A·cm- 2 (0T ,15K) .

关键词：制备温度超导电性 mgb2超导薄膜脉冲激光沉积基片温度硼化镁薄膜

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退火温度对mgb_2超导薄膜的影响

青岛大学学报（工程技术版） 2007年第4期22卷 39-44页

作者：劳振花姜兆波王殿生东营职业学院山东东营257091 中国石油大学物理科学与技术学院山东东营257061

本实验是研究退火温度对mgb2超导薄膜的影响。在多晶Al2O3衬底上,以B2H6作为硼源,化学气相沉积先驱硼薄膜,采用Mg扩散方法,在不同退火温度条件下制备了mgb2超导薄膜;还采用了测量电阻-温度曲线、X射线衍射分析和扫描电子显微镜形貌观测... 详细信息

本实验是研究退火温度对mgb2超导薄膜的影响。在多晶Al2O3衬底上,以B2H6作为硼源,化学气相沉积先驱硼薄膜,采用Mg扩散方法,在不同退火温度条件下制备了mgb2超导薄膜;还采用了测量电阻-温度曲线、X射线衍射分析和扫描电子显微镜形貌观测方法。结果表明,退火温度对mgb2薄膜的超导特性、晶体结构和相纯、表面形貌有影响。退火温度高,生成的mgb2晶粒较大,晶形好,正常态电阻也增大,杂相越少。

关键词： mgb2超导薄膜退火温度转变温度晶体结构表面形貌相纯

双温区混合物理化学气相法制备mgb;超导薄膜技术

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低温物理学报 2012年第6期34卷 441-445页

作者：周章渝王松杨发顺杨健傅兴华贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室

本文介绍了一种薄膜基底与镁源蒸发放置在不同温区的混合物理化学气相法(HPCVD)制备mgb2超导薄膜的技术.以B2H6为硼源,在(0001)取向的Al2O3单晶基底上在不同的基底温度下制备了mgb2超导薄膜.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和... 详细信息

本文介绍了一种薄膜基底与镁源蒸发放置在不同温区的混合物理化学气相法(HPCVD)制备mgb2超导薄膜的技术.以B2H6为硼源,在(0001)取向的Al2O3单晶基底上在不同的基底温度下制备了mgb2超导薄膜.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和标准四线法电阻测量分析了基底沉积温度对生成的mgb2薄膜的表面形貌、晶体结构、超导转变温度的影响.结果表明,随着基底温度的升高,mgb2相结晶程度提高,C轴取向程度增强、薄膜整体性能显著提高.基底温度为853K时制备的mgb2薄膜的超导电性最为优异:其超导起始转变温度高达39.85K,ΔT为0.32K.

关键词： mgb2超导薄膜 SEM XRD 基片温度混合物理化学气相法(HPCVD)