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Microwave-assisted synthesis of mg:pbi2 nanostructures and their structural,morphological,optical,dielectric and electrical properties for optoelectronic technology

引用

Chinese Physics B 2020年第11期29卷 420-426页

作者： Mohd.Shkir Ziaul Raza Khan T Alshahrani Kamlesh VChandekar M Aslam Manthrammel Ashwani Kumar S AlFaify Advanced Functional Materials and Optoelectronics Laboratory(AFMOL) Department of PhysicsCollege of ScienceKing Khalid UniversityAbha 61413P.O.Box 9004Saudi Arabia Department of Physics College of ScienceUniversity of HailP.O.Box 2440HailSaudi Arabia Department of Physics College of SciencePrincess Nourah Bint Abdulrahman UniversityRiyadh 11671Saudi Arabia Department of Physics Rayat Shikshan Sanstha’sKarmaveer Bhaurao Patil CollegeVashiNavi Mumbai 400703India Department of Physics IK Gujral Punjab Technical UniversityJalandhar 144603India

This work reports the cost-effective growth of mg:pbi2 nanostructures with 0,1,2.5 and 5.0 wt.%mg doping ***,vibrational,morphological properties are analyzed using x-ray diffraction(XRD),Raman spectroscopy and scanning electron microscopy(SEM).XRD and Raman studies confirm the monophasic hexagonal system of mg:pbi2,and no additional impurity peaks are *** Scherrer formula is used to determine sizes of crystallites to be in the range of 47-52 ***/SEM e-mapping analyses confirm the incorporation of mg in pbi2 matrix and its uniform distribution throughout the *** hexagonal nanosheet-and nanoplate-like morphologies are detected in SEM images for pure and mg-doped *** optical band gap of nanostructures is obtained from Tauc’s relation to be in the range 3.0-3.25 *** and electrical properties are found in significant enhancement as mg doping in pbi2 matrix,also the conduction mechanism is discussed.

关键词： mg:pbi2 nanostructures structural properties optical band gap dielectric constant ac conductivity

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