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Numerical modeling of SiC by low-pressure chemical vapor deposition from methyltrichlorosilane

Chinese Journal of Chemical Engineering 2020年第6期28卷 1733-1743页

作者： Kang Guan Yong Gao Qingfeng Zeng Xingang Luan Yi Zhang Laifei Cheng Jianqing Wu Zhenya Lu School of Materials Science and Engineering South China University of TechnologyGuangzhou 510640China Science and Technology on Thermostructural Composite Materials Laboratory School of Materials Science and EngineeringNorthwestern Polytechnical UniversityXi'an 710072China MSEA International Institute for Materials Genome Gu'an 065500China

The development of functional relationships between the observed deposition rate and the experimental conditions is an important step toward understanding and optimizing low-pressure chemical vapor deposition(LPCVD)or low-pressure chemical vapor infiltration(LPCVI).In the field of ceramic matrix composites(CMCs),methyltrichlorosilane(Ch3 SiCl3,mts)is the most widely used source gas system for SiC,because stoichiometric SiC deposit can be facilitated at 900°C–1300°***,the reliability and accuracy of existing numerical models for these processing conditions are rarely *** this study,a comprehensive transport model was coupled with gas-phase and surface *** resulting gas-phase kinetics was confirmed via the measured concentration of gaseous *** relationship between deposition rate and 24 gaseous species has been effectively evaluated by combining the special superiority of the novel extreme machine learning method and the conventional sticking coefficient *** kinetics were then proposed and shown to reproduce the experimental *** proposed simulation strategy can be used for different material systems.

关键词： Chemical vapor deposition mts/h2 Gas-phase and surface kinetics Extreme learning machine method Numerical model

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