检索结果-南通市图书馆

中国科学：信息科学 2017年第12期47卷 1730-1740页

作者：柯导明杨建国常红杨菲胡鹏飞彭雪扬孙乐尚吴笛安徽大学电子信息工程学院合肥230601

本文基于微元电阻和积分中值定理导出了仅有3个待定参数的超深亚微米mosfet的漏/源电阻模型,而这3个参数可以用多元线性回归方法得到.论文用数值模拟数据,拟合了衬底掺杂是1×10^(15)~1×10^(16)cm^(-3)、沟道长度是45～2000 nm的平面n ... 详细信息

本文基于微元电阻和积分中值定理导出了仅有3个待定参数的超深亚微米mosfet的漏/源电阻模型,而这3个参数可以用多元线性回归方法得到.论文用数值模拟数据,拟合了衬底掺杂是1×10^(15)~1×10^(16)cm^(-3)、沟道长度是45～2000 nm的平面n mosfet和n LDD-mosfet的漏/源电阻模型的待定参数,得到了它们的半经验公式,最大误差仅有9.5%.漏/源电阻模型和它的半经验公式计算结果表明,漏/源电阻仅与漏/源pn结结深、电阻率和沟道到漏/源电极长度有关,沟道长度、叠栅长度和电极长度对它的影响可以忽略.由于这个半经验表达式形式简单、精度高、物理概念清晰、易于提取参数,所以它既可以用于mosfet的特性分析又可以用于电路模拟器.

关键词： mosfet的漏/源电阻半经验公式微元电阻数值模拟

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