检索结果-南通市图书馆

半导体信息 2004年第4期 23-24页

作者：章从福

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布其性能先进的PowerTrench mosfet工艺可实现极低的Miller电荷(Qgd)、RDS(on)、总栅极电荷(Qg),并改善栅漏电荷对栅源电荷(Qgd:Qgs)的比率,在同步降压应用中带来超卓的开关性能和热效率。低... 详细信息

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布其性能先进的PowerTrench mosfet工艺可实现极低的Miller电荷(Qgd)、RDS(on)、总栅极电荷(Qg),并改善栅漏电荷对栅源电荷(Qgd:Qgs)的比率,在同步降压应用中带来超卓的开关性能和热效率。低Qgd的优势在于减少开关损耗和缩短"死区时间",以改善稳压性能。理想的Qgd:Qgs比率可以防止栅极误触发。

关键词：飞兆半导体 mosfet技术 Miller 开关损耗开关性能栅源同步降压误触发死区时间开关周期

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英飞凌推出1200V碳化硅mosfet技术

引用

轻工机械 2016年第3期34卷 102-102页

作者：文洁

2016年5月10日,英飞凌科技股份公司推出革命性的碳化硅（SiC）mosfet技术,使产品设计可以在功率密度和性能上得到较大提高。英飞凌CoolSiC^TM mosfet具备更大的灵活性,可提高效率和频率。它们将有助于电源转换方案开发人员实现节省空间... 详细信息

2016年5月10日,英飞凌科技股份公司推出革命性的碳化硅（SiC）mosfet技术,使产品设计可以在功率密度和性能上得到较大提高。英飞凌CoolSiC^TM mosfet具备更大的灵活性,可提高效率和频率。它们将有助于电源转换方案开发人员实现节省空间、减轻重量、降低散热的要求,并提高可靠性和降低系统成本。SiC mosfet带来的影响非常显著。电源转换方案的开关频率可达到目前所用开关频率的3倍或以上。

关键词：英飞凌 mosfet技术电源转换产品设计功率密度磁性元件不间断电源逆变器

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