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mocvd生长InGaAs/InGaAsP多量子阱光泵微碟激光器

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Journal of Semiconductors 2001年第8期22卷 1057-1062页

作者：吴根柱张子莹任大翠张兴德长春光机学院高功率半导体激光国家重点实验室长春130022 中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心北京100083

用 mocvd方法生长了 In Ga As/ In Ga As P多量子阱微碟激光器外延片 ,用光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等现代化的微加工技术制备出直径 9.5μm的 In Ga As/ In Ga As P微碟激光器 ,并详细介绍了整个制备工艺过程 .在液氮温度下用氩离子激... 详细信息

用 mocvd方法生长了 In Ga As/ In Ga As P多量子阱微碟激光器外延片 ,用光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等现代化的微加工技术制备出直径 9.5μm的 In Ga As/ In Ga As P微碟激光器 ,并详细介绍了整个制备工艺过程 .在液氮温度下用氩离子激光器泵浦方式实现了低阈值光泵激射 ,测出单个微碟激光器的阈值光功率为 15 0μW,激射波长约为 1.6μm,品质因数 Q=80 0 ,激射光谱线宽为 2 nm,同时指出微碟激光器激射线宽比 F-

关键词：微碟激光器多量子阱光泵 mocvd生长 InGaAs/InGaAsP

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mocvd生长MgS薄膜

Journal of Semiconductors 1998年第1期19卷 8-11页

作者：廖清华范广涵江风益熊传兵彭学新潘传康南昌大学材料科学研究所

我们首次采用ＭＯＣＶＤ外延技术在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＭｇＳ薄膜，获得了具有ＮａＣｌ结构的ＭｇＳ单晶膜，并测量了纤锌矿结构ＭｇＳ的晶格常数．

关键词：外延生长 mocvd生长硫化镁薄膜

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mocvd生长CdTe薄层的缺陷研究

Journal of Semiconductors 1993年第3期14卷 181-184页

作者：彭承陆叶华孙恒慧唐文国李自元复旦大学物理系上海200433 中国科学院上海技物所红外物理开放研究实验室上海200083

用光激电流瞬态谱(PICTS)和光致发光光谱(PL)对在半绝缘GaAs衬底上mocvd生长的CdTe薄层的缺陷进行了研究。发现CdTe薄层中存在热激活能约为0.12eV和0.27eV的二个能级。对照光致发光光谱的实验结果及有关体单晶CdTe的缺陷报道,初步分析... 详细信息

用光激电流瞬态谱(PICTS)和光致发光光谱(PL)对在半绝缘GaAs衬底上mocvd生长的CdTe薄层的缺陷进行了研究。发现CdTe薄层中存在热激活能约为0.12eV和0.27eV的二个能级。对照光致发光光谱的实验结果及有关体单晶CdTe的缺陷报道,初步分析认为第一个能级是受主能级,它由CdTe薄层中的剩余杂质所引起,而另一个能级则可能与材料的晶格缺陷有关。

关键词：碲化镉 mocvd生长缺陷 CdTe

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mocvd生长GaN膜的光调制反射谱研究

固体电子学研究与进展 1997年第2期17卷 188-192页

作者：杨凯张荣臧岚秦林洪沈波施洪涛郑有炓 Z.C.Huang J.C.Chen 南京大学物理系 Dept.ofElec.Eng. Univ.ofMarylandBalitimoreCountyBaltimoreMC21008-5398USA

采用光调制反射光谱（PR）研究了（0001）晶向蓝宝石村底上mocvd方法生长的单晶六角GaN薄膜的室温光学性质。测得六角GaN薄膜的禁带宽度为3．400eV，对PR谱的调制机理进行了分析，发现信号来自缺陷作用下的表面电场调制。光吸收增和光... 详细信息

采用光调制反射光谱（PR）研究了（0001）晶向蓝宝石村底上mocvd方法生长的单晶六角GaN薄膜的室温光学性质。测得六角GaN薄膜的禁带宽度为3．400eV，对PR谱的调制机理进行了分析，发现信号来自缺陷作用下的表面电场调制。光吸收增和光反射谱的测量，得到3．39eV的光学吸收边和3．3eV的反射峰，证实了光调制反射光谱的结果。

关键词：氮化镓光调制反射光谱 mocvd生长

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GaN的mocvd生长

Journal of Semiconductors 1995年第11期16卷 831-834页

作者：陆大成汪度王晓晖董建荣刘祥林高维滨李成基李蕴言中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室中国科学院半导体研究所

ＧａＮ是重要的蓝光半导体材料．我们以ＴＭＧａ和ＮＨ３为源在（０１１２）α－Ａｌ２Ｏ３衬底上成功的用ＭＯＣＶＤ方法生长了ＧａＮ外延层，研究了ＧａＮ的表面形貌与结晶学、电学和光学特性．ＧａＮ（２１１０）面的双晶回摆曲线衍... 详细信息

ＧａＮ是重要的蓝光半导体材料．我们以ＴＭＧａ和ＮＨ３为源在（０１１２）α－Ａｌ２Ｏ３衬底上成功的用ＭＯＣＶＤ方法生长了ＧａＮ外延层，研究了ＧａＮ的表面形貌与结晶学、电学和光学特性．ＧａＮ（２１１０）面的双晶回摆曲线衍射峰的最小半高宽已达１６＇．并观测到ＧａＮ所发出的紫外和可见光波段的阴极荧光．

关键词：氮化镓 mocvd生长半导体材料

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mocvd生长高质量GaN异质外延膜

电子材料快报 1995年第4期 17-18页

作者：褚连青

mocvd生长GaAs,Ga_(t-x)Al_xAs及其异质材料在HBT上的应用

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半导体情报 1990年第2期27卷 38-42页

作者：章其麟李景关兴国王苏眉

本文研究了mocvd生长GaAs,Ga_(1-x)Al_xAs的生长工艺及材料特性,生长出用于HBT的Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs多层异质结构材料。器件的最大电流放大系数为100,截止频率为2.4GHz。

关键词： GaAs GaAlAs 材料 mocvd生长 HBT

mocvd生长GaAs/Si材料及其在MESFET中的应用

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半导体情报 1990年第2期27卷 35-37,42页

作者：章其麟任永一李景王苏眉

本文研究了mocvd生长GaAs/Si复合材料的生长工艺及材料特性,并生长出用于MESFET的多层结构材料。讨论了影响外延层电阻率的因素,并给出了GaAs/Si材料在MESFET中的应用结果。

关键词： GaAs/Si 材料 mocvd生长 MESFET

LP－mocvd生长InGaAs／GaAs量子阱

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半导体情报 1994年第6期31卷 1-4页

作者：李景关兴国章其麟

用低压ＭＯＣＶＤ（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）生长三种不同的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变层量子阱材料，其中两种含ＡｌＧａＡｓ限制层。结果表明，ＡｌＧａＡｓ限制层对量子阱的发光强度影响很大，与没有ＡｌＧａＡｓ限制层的结果相比，带Ａ... 详细信息

用低压ＭＯＣＶＤ（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）生长三种不同的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变层量子阱材料，其中两种含ＡｌＧａＡｓ限制层。结果表明，ＡｌＧａＡｓ限制层对量子阱的发光强度影响很大，与没有ＡｌＧａＡｓ限制层的结果相比，带ＡｌＧａＡｓ限制层的结构的发光强度要强一个数量级以上。在低温（１８Ｋ）ＰＬ光谱图中，我们看到，除了存在主峰以外，在主峰两侧还各有一个子峰，这些子峰可能与量子阱的质量有关。

关键词：量子阱 mocvd生长砷化镓砷化镓铟