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  • 1 篇 微波电子学
  • 1 篇 hass振荡
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机构

  • 1 篇 中国科学院半导体...
  • 1 篇 中国科学院上海技...

作者

  • 1 篇 朱战平
  • 1 篇 桂永胜
  • 1 篇 郭少令
  • 1 篇 仇志军
  • 1 篇 崔利杰
  • 1 篇 疏小舟
  • 1 篇 曾一平
  • 1 篇 王保强
  • 1 篇 蒋春萍
  • 1 篇 褚君浩

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=MM-HEMT材料"
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变In组分沟道的mm-hemt材料电子输运特性研究
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物理学报 2003年 第11期52卷 2879-2882页
作者： 仇志军 蒋春萍 桂永胜 疏小舟 郭少令 褚君浩 崔利杰 曾一平 朱战平 王保强 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 上海200083 中国科学院半导体研究所 北京100083
在变缓冲层高迁移率晶体管 (mm_hemt)器件中 ,二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用 .通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象 ,结合变温度的Hall测量 ,系统研究了不同In组分沟道mm_hemt器件中子带电子迁移率和浓度随温度... 详细信息
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