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Hg_(1-x)Cd_xTe mis器件G-V特性

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红外研究 1989年第6期8卷 401-408页

作者：黄河童斐明汤定元中国科学院上海技术物理研究所

基于G-V关系分析了Hg_(1-x)Cd_xTemis器件的少数载流子暗电流机制.对于N型Hg_(1-x)Cd_xTemis器件,当温度T130K时则是耗尽区的产生-复合电流.在低温区,从价带到禁带态的电子热激发限制了间接隧道电流,根据R_0A对温度的依赖关系推算出禁... 详细信息

基于G-V关系分析了Hg_(1-x)Cd_xTemis器件的少数载流子暗电流机制.对于N型Hg_(1-x)Cd_xTemis器件,当温度T130K时则是耗尽区的产生-复合电流.在低温区,从价带到禁带态的电子热激发限制了间接隧道电流,根据R_0A对温度的依赖关系推算出禁带态位置约在价带顶上面50meV处.在P型样品中,反型层量子化效应强烈地影响少子暗电流的大小.

关键词：碲镉汞 mis器件电容电压半导体

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n型碲镉汞mis器件动态存储时间研究

物理学报 1994年第11期43卷 1883-1888页

作者：黄河汤定元童斐明郑国珍湖南大学应用物理系中国科学院上海技术物理研究所华南师范大学物理系

通过对动态存储时间的测量，分析了ｘ＝０．３１的ｎ型碲镉汞（Ｈ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ）ＭＩＳ器件的少子暗电流机理．理论计算和实验结果都表明，在其工作温度区域（～７７Ｋ），通过禁带中深能级中心辅助的间接隧道电流将限制器... 详细信息

通过对动态存储时间的测量，分析了ｘ＝０．３１的ｎ型碲镉汞（Ｈ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ）ＭＩＳ器件的少子暗电流机理．理论计算和实验结果都表明，在其工作温度区域（～７７Ｋ），通过禁带中深能级中心辅助的间接隧道电流将限制器件的电学性能。

关键词： mis器件碲镉汞 n型少了暗电流动态存储

InSb—mis器件中PECVD氮氧化硅栅介质膜的研究

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红外研究 1989年第6期8卷 409-415页

作者：於伟峰李炳宗李孔宁陈永平张勤耀龚雅谦复旦大学电子工程系中国科学院上海技术物理研究所

——用PECVD技术在低温、低压和低功率密度条件下获得了优质氮氧化硅(Si_xO_yN_x)薄膜,并成功地应用于InSb-mis单元器件的研制.X光电子能谱和红外光谱分析表明Si_xO_yN_z膜具有复杂的空间结构.

关键词：锑化铟 mis器件氮氧化硅薄膜

HgCdTe mis器件制备及其C-V特性研究

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红外技术 2002年第5期24卷 42-45页

作者：张朝阳蔡毅张鹏翔昆明理工大学材料系昆明650051 昆明物理研究所昆明650223

通过在P HgCdTe上生长阳极硫化膜和ZnS介质钝化层 ,制备出了性能较好的mis器件 ,并通过对mis器件C V特性的分析 ,获得了ZnS/自身钝化膜 /P HgCdTe的界面特性。所测的界面电荷密度在 10 10 ～ 10 11cm- 2 之间 ,平带电压在

关键词： HgCdte mis器件 C-V特性红外焦平面探测器

羟基二硬脂酸铁(Ⅲ)LB膜mis器件的C-V特性及硅基片上膜的XPS研究

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Chinese Journal of Chemical Physics 1989年第6期2卷 461-466页

作者：杨孔章穆劲肖童山东大学胶体与界面化学研究所

用直接铺展法在硅基片上制备了FeSt_2OH LB膜,制做了Al/FeSt_2OH LB膜/Si(mis)结构,测定了5层膜的mis结构的C-V特性曲线。结果表明,LB膜作为mis结构中的绝缘层具有独特的C-V特性,没有MOS结构C-V曲线中经常出现的“超前效应”和“平台效... 详细信息

用直接铺展法在硅基片上制备了FeSt_2OH LB膜,制做了Al/FeSt_2OH LB膜/Si(mis)结构,测定了5层膜的mis结构的C-V特性曲线。结果表明,LB膜作为mis结构中的绝缘层具有独特的C-V特性,没有MOS结构C-V曲线中经常出现的“超前效应”和“平台效应”,在漏电流为1μA时,其耐压值为7.8V。XPS证实了膜中Fe的的存在,同时表明第一层膜中的Fe^(3+)与硅表面有相互作用,估算出光电子在膜中的逃逸深度为12O-170A,角分辩XPS的结果说明在硅基片上沉积的FeSt_2OH LB膜均匀致密。

关键词：羟基二硬脂酸铁 LB膜 mis器件

HgCdTe光伏器件表面钝化以及mis器件制备与分析

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HgCdTe光伏器件表面钝化以及MIS器件制备与分析

作者：张朝阳昆明理工大学

学位级别：硕士

在对HgCdTe光伏器件的表面钝化进行了综述的基础上，重点研究了HgCdTemis器件制备中的关键工艺、对mis器件的性能进行了分析测试、解决了工艺中的几个关键问题(如焊接方法、电极膜种类等)。成功制备了HgCdTe misFET器件并获得了misFET... 详细信息

在对HgCdTe光伏器件的表面钝化进行了综述的基础上，重点研究了HgCdTemis器件制备中的关键工艺、对mis器件的性能进行了分析测试、解决了工艺中的几个关键问题(如焊接方法、电极膜种类等)。成功制备了HgCdTe misFET器件并获得了misFET器件输入、输出特性，确定了misFET器件类型，对misFET的基本参数进行了计算。主要的实验结果有：首先，用体材料和薄膜材料制备成功HgCdTe mis器件，经过测试得到器件平带电压在2V以内，界面电荷密度在10～10量级。第二，对HgCdTe mis器件衬底材料反型的原因进行了分析，认为可能是由于ZnS界面电荷密度过大，吸引了材料体内的电子到界面处而形成反型。第三，制备的mis器件均匀性、时间稳定性都比较好。第四，制备成功HgCdTe misFET器件，对器件的测试表明获得了好的输入、输出特性。拟合misFET的转移特性曲线，经分析认为：制备器件类型为N沟道增强型misFET。第五，计算得出misFET的跨导g为：在V=0.02V(非饱和区)，器件跨导为g=6.317×10S;在V=0.12V(饱和区)，器件跨导为g=1.184×10S。第六，对misFET的漏源电导gds进行了计算得到：在V=0.02V(非饱和区)，V=7V时，g=1.1286×10S。最后，对电压放大系数μ进行了计算，用理论计算和用输入、输出特性得到的电压放大倍数μ相近，最后得到的非饱和区的电压放大系数μ=5.467×10。

关键词： HgCdTe mis器件 C-V特性表面钝化 FPA misFET

离子束刻蚀HgCdTe环孔光电二极管及mis器件研究

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离子束刻蚀HgCdTe环孔光电二极管及MIS器件研究

作者：何波昆明理工大学

学位级别：硕士

Ⅱ—Ⅵ族半导体化合物HgCdTe材料，随着材料组分变化，它的带隙在-0.3eV～1.6eV的范围内变化。覆盖了大气窗口1～3μm，3～5μm，8～14μm三个重要红外波段。这种材料在红外成像、污染监测、工业控制等方面有重要的实用价值。离子束刻蚀... 详细信息

Ⅱ—Ⅵ族半导体化合物HgCdTe材料，随着材料组分变化，它的带隙在-0.3eV～1.6eV的范围内变化。覆盖了大气窗口1～3μm，3～5μm，8～14μm三个重要红外波段。这种材料在红外成像、污染监测、工业控制等方面有重要的实用价值。离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结是一种新型HgCdTe红外探测器，具有响应速度快、灵敏度高、稳定性好、成本低、易于集成，适用于制作长线列和高密度的二维列阵等优点。本学位论文对离子束刻蚀HgCdTe环孔光电二极管I—V、R—V及HgCdTemis器件C—V特性进行了计算研究，并结合X射线光电子能谱(XPS)对mis器件界面化学结构进行分析，取得如下结果： 1．推导了一种简便、准确、直观计算、分析pn结I—V特性的公式、方法，应用该方法对多个HgCdTe环孔pn结的I—V、R—V特性进行计算、拟合;得到表面欧姆(反型沟道)漏电导、二极管理想因子n随电压的分布、dI／dV-V曲线等反映二极管结特性的重要参数。计算结果表明，对长波HgCdTe光伏器件，表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大，表面漏电严重地制约着器件性能。HgCdTe材料晶体缺陷会使二极管理想因子n增大，产生—复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加。 2．由离子束刻蚀HgCdTe pn结C—V曲线，判定其为线性缓变结：由1／C-V曲线斜率可知杂质浓度分布梯度。利用泊松方程(零偏压时耗尽层宽度作为边界条件)积分计算出电场分布、电势分布等重要结特性。并且进一步分析了离子束刻蚀HgCdTe成结机制过程。 3．介绍了HgCdTe mis器件的制备及由其C-V特性计算、分析界面电学特性(包括高、低频组合电容法测量HgCdTe mis器件钝化层界面态密度能量分布)的基本原理和步骤。利用mis器件高频C-V曲线耗尽区的电学特性推导了衬底杂质浓度随深度分布的计算公式。计算结果表明，阳极硫化+ZnS钝化层固定电荷密度约为7.6×10／cm(低于HgCdTe自身阳极氧化膜，但高于CdTe+ZnS复合钝化膜)、衬底杂质浓度剖面分布(近表面处，多子和界面态影响不应忽略)、界面态密度的能量分布(最小界面态密度1×10cm eV，位于带隙中央)及较低的慢态密度(7×10／cm)。各项性能指标均明显优于HgCdTe自身阳极氧化膜，基本接近CdTe／ZnS复合钝化结构水平，已能满足HgCdTe光伏探测器表面钝化的要求;是一种成熟的HgCdTe焦平面阵列钝化方法。 4．用X射线光电子能谱(XPS)研究了阳极硫化+ZnS钝化层界面化学结构。结果表明，阳极硫化膜主要成分是CdS。在化学机械抛光过程中，由于Br-CHOH与HgCdTe中各元素反应速率是各向异性的，会使表面富Te、缺Hg、Cd，生成TeO，并且表面形貌比较粗糙。导致界面态密度增加，钝化层趋于带固定正电荷，易使p型HgCdTe衬底耗尽甚至反型，表面漏电流增加。

关键词： HgCdTe 环孔pn结 I-V特性 mis器件 C-V特性界面电学特性 XPS

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线性电压扫描下mis器件瞬态的简单模型

杭州大学学报（自然科学版） 1991年第3期18卷 282-286页

作者：张秀淼刘蛟闻永祥杭州大学电子工程系

本文用准平衡模型分析讨论了线性电压扫描下mis器件的I/V瞬态.文中除了给出一般的处理方法以外,还给出了几种不同电压扫描率下I/V特性的计算结果,并与已往的模型作了比较.

关键词： mis器件瞬态准平衡能带

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氧化铪mis器件C-V特性及辐照效应研究

氧化铪MIS器件C-V特性及辐照效应研究

作者：陈雪薇西安电子科技大学

学位级别：硕士

随着集成电路的不断发展，集成电路特征尺寸不断减小导致漏电流增加，需要采用高介电常数栅介质材料来代替氧化硅材料。因此，针对铪基mis器件的电学特性及其辐照效应开展深入研究对于铪基mis器件在航空航天等高辐射环境下的安全应用而... 详细信息

随着集成电路的不断发展，集成电路特征尺寸不断减小导致漏电流增加，需要采用高介电常数栅介质材料来代替氧化硅材料。因此，针对铪基mis器件的电学特性及其辐照效应开展深入研究对于铪基mis器件在航空航天等高辐射环境下的安全应用而言十分重要。本文基于量子理论采用自洽方法计算了超薄栅氧化铪mis器件的理想C-V特性曲线，并定量计算了氧化物陷阱电荷密度和界面态陷阱电荷密度。采用原子层沉积法制作了氧化铪栅介质mis器件，测量了氧化铪栅介质mis器件的C-V特性曲线，并进行了伽马射线辐照效应实验研究。通过理论与实验对比分析方法研究氧化铪mis器件辐照诱生电荷和能态的产生机理与影响机制。研究结果表明，随着辐照剂量的增加，mis器件的C-V特性曲线向电压的负向漂移。说明辐照引起的电荷随着辐照剂量的增加而增大。mis器件中的界面陷阱电荷和界面态陷阱密度随着辐照剂量的增加先减小后增大。其原因一方面可能是因为Hf-O键破裂，和Si形成了新的化学状态HfSi和SiO2另一方面可能是SiO2中产生的正陷阱中和了HfO2中产生的负陷阱。当辐照剂量继续增大，氧化层中的铪元素和氧元素的化学键破裂，形成新的陷阱中心，就导致界面陷阱电荷和界面态陷阱密度增加。

关键词：氧化铪 mis器件 C-V特性辐照效应