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A Super Low Power CMOS Receiver for High Resolution Epi-retinal Prosthesis

Journal of Energy and Power Engineering 2010年第8期4卷 32-39页

作者： J.W. Yang N. Tran S. Bai D.C. Ng M. Halpern E. Skafidas Department of Electrical and Electronic Engineering The University of Melbourne Parkville I＇ictoria 3010 Australia

The authors report a super low power Medical Implant Communication Service （mics） band.receiver for a high resolution epi-retinal prosthesis （bioniceye.. The frequency shift keying （FSK） receiver consumes less than 1.5 mW power with 1 V supply. It is able to achieve a maximum data rate of 400 kb/s. This paper presents the research work carried out on designing a fully-integrated sub-threshold receiver fabricated on a 65 nm complimentary metal oxide semiconductor （CMOS） chip. In order to achieve super low power consumption, more than 90% of the transistors in all analog building blocks are operated in sub-threshold region. System level issues, such as required receiver architecture and specifications are also addressed.

关键词： Super low power fully-integrated sub-threshold mics band. bioniceye.

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