检索结果-南通市图书馆

现代传输 2016年第2期 27-30页

作者：马静陈坚盾董瑞洪冯高锋章明伟富通集团有限公司

一引言mcvdI艺，即改进的化学气相沉积法，是英文Modified Chemical Vapor Deposition的简称，1973年，由贝尔实验室的Machesney等人首先提出。mcvdI艺可以生产折射率机构复杂的光纤结构。在光纤制造方面，它拥有极大的灵活性，比如光... 详细信息

一引言mcvdI艺，即改进的化学气相沉积法，是英文Modified Chemical Vapor Deposition的简称，1973年，由贝尔实验室的Machesney等人首先提出。mcvdI艺可以生产折射率机构复杂的光纤结构。在光纤制造方面，它拥有极大的灵活性，比如光纤材料选择和光纤尺寸设计等。利用mcvd制作的多模和单模光纤在衰减、带宽、数值孔径、弯曲灵敏度、连接损耗、机械性能等方面都有较大的改进。

关键词：光纤预制棒 mcvd法制备工艺 Modified 化学气相沉积法贝尔实验室光纤结构光纤制造

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采用mcvd法制造大NA渐变型光纤

引用

激光通信 1984年第3期 59-67页

作者：王启元

本文就大NA石英系光纤制造中如何防止长期存在的预制件炸裂问题,探讨了把芯折射率分布作成渐变型的大NA光纤。用mcvd法制造出了使沉积温度随芯玻璃膜组成改变而变化的大NA（=0.39）渐变型纤维。其结果,研究成功一种使大NA与低损耗并存... 详细信息

本文就大NA石英系光纤制造中如何防止长期存在的预制件炸裂问题,探讨了把芯折射率分布作成渐变型的大NA光纤。用mcvd法制造出了使沉积温度随芯玻璃膜组成改变而变化的大NA（=0.39）渐变型纤维。其结果,研究成功一种使大NA与低损耗并存的预制件制造方法,并实现了在相对折射率差△=3.3%时,损耗为2.49dB/km（测定波长1.67μm）。而且,通过实验明确了GeO2-P2O5-SiO2及P2O5-SiO2系芯成分与相对折射率差△、和损耗特性的关系,研究了有关传输损耗特性中的瑞利散射损耗、结构缺陷损耗、OH基吸收损耗。在长波长,能够作到很小的瑞利散射损耗和由OH基引起的吸收损耗,大NA光纤在长波长的优越性明显了。当△=3%以上时,结构缺陷损耗急剧增加。还明确了改进收棒方法的必要性。对于弯曲损耗,求出了与弯曲次数、弯曲半径、△之间的依赖关系,设弯曲半径为R,弯曲损耗可用（1/R）1.2exp-k△来表示。

关键词：散射损耗 mcvd法 NA 吸收损耗损耗特性折射率分布相对折射率弯曲半径结构缺陷包层

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放大用光纤的现状与动向

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文献快报（纤维光学与电线电缆） 1992年第2期 1-5页

作者：秦大甲

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大数值孔径光纤预制件研制

引用

激光杂志 1987年第2期8卷 112-115页

作者：向运辅桂林光通信研究所

我们用mcvd法研制出GeO_2-P_2O_5-SiO_2系为芯,B_2O_3-SiO_2系作包层的大数值孔径光纤,分近似突变型及渐变型折射率分布两种,NA=0.36,损耗=8dB/kM(在0.85μm波长)。研究了GeO_2-P_2O_5-SiO_2系芯成分与相对折射率差Δ和损耗特性关系。... 详细信息

我们用mcvd法研制出GeO_2-P_2O_5-SiO_2系为芯,B_2O_3-SiO_2系作包层的大数值孔径光纤,分近似突变型及渐变型折射率分布两种,NA=0.36,损耗=8dB/kM(在0.85μm波长)。研究了GeO_2-P_2O_5-SiO_2系芯成分与相对折射率差Δ和损耗特性关系。消除了芯中心折射率凹陷。实验解决了预制件芯部的炸裂问题。