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Growth of ZnO Thin Films on lattice-matched substrates by Pulsed-Laser Deposition

Chinese Physics Letters 2003年第12期20卷 2235-2238页

作者：余庆选徐波吴气虹廖源王冠中方容川 StructureResearchLaboratory UniversityofScienceandTechnologyofChinaHefei230026 DepartmentofPhysics UniversityofScienceandTechnologyofChinaHefei230026

ZnO films were grown on GaN and sapphire substrates by pulse laser deposition, respectively. The effects of crystalline quality on the optical properties in ZnO epitaxial layers were investigated by x-ray rocking curve and photoluminescence. The x-ray rocking curve of the film deposited on the GaN substrate has the full width half maximum (FWHM) of 0.45 degrees, whereas the FWHM of the x-ray θ-rocking curve of the ZnO film deposited on a sapphire substrate was measured to be about 0.77 degrees. In photoluminescence (PL) measurement, the intensity of UV photoluminescence for the ZnO film on the GaN substrate decreased by approximately two orders of magnitude in comparison with that of the ZnO film on sapphire. It is concluded that the UV luminescence intensity almost does not depend on the textured growth of the ZnO thin film.

关键词： ZnO Thin Films lattice-matched substrates Pulsed-Laser Deposition

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