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XOR spin logic operated by unipolar current based on field-free spin-orbit torque switching induced by a lateral interface

引用

Rare Metals 2024年第8期43卷 3868-3875页

作者： Yan-Ru Li Mei-Yin Yang Guo-Qiang Yu Bao-Shan Cui Jin-Biao Liu Yong-Liang Li Qi-Ming Shao Jun Luo Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology Institute of MicroelectronicsChinese Academy of Sciences(IMECAS)Beijing 100029China University of Chinese Academy of Sciences(UCAS) Beijing 100049China Songshan Lake Materials Laboratory Dongguan 523808China Institute of Physics Chinese Academy of SciencesBeijing 100190China Key Laboratory for Magnetism and Magnetic Materials of Ministry of Education Lanzhou UniversityLanzhou 730000China Department of Electronic and Computer Engineering The Hong Kong University of Science and TechnologyHong Kong 999077China

Spin logics have emerged as a promising avenue for the development of logic-in-memory *** particular,the realization of XOR spin logic gates using a single spin-orbit torque device shows great potential for low-power stateful logic circuits in the next *** this study,we successfully obtained the XOR logic gate by utilizing a spin-orbit torque device with a lateral interface,which was created by local ion implantation in the Ta/Pt/Co/Ta Hall device exhibiting perpendicular magnetic *** angle of the lateral interface is set at 45°relative to the current direction,leading to the competition between symmetry breaking and current-driven Néel-type domain wall ***,the field-free magnetic switching reversed is realized by the same sign of current amplitude at this *** on this field-free magnetic switching behavior,we successfully proposed an XOR logic gate that could be implemented using only a single spin-orbit torque Hall *** study provides a potentially viable approach toward efficient spin logics and in-memory computing architectures.

关键词： Filed-free magnetic switching Spin-orbit torque XOR logic gate lateral interface

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