检索结果-南通市图书馆

Journal of Materials Science & Technology 2020年第15期47卷 171-177页

作者： Jitendra K.Behera Wei Jie Wang Xilin Zhou Shan Guan Wu Weikang Yang AShengyuan Robert ESimpson ACTA Lab Singapore University of Technology and Design(SUTD)8 Somapah Road487372Singapore Jnstitute of Microelectronics A*STAR2 Fusionopolis Way138634Singapore Research Lab for Quantum Materials Singapore University of Technology and Design(SUTD)8 Somapah Road487372Singapore

Chalcogenide based phase change random access memory(PCRAM) holds great promise for high speed and large data storage *** memory is scalable,requires a low switching energy,has a high endurance,has fast switching speed,and is ***,decreasing the switching time whilst increasing the cycle endurance is a key challenge for this technology to replace dynamic random access *** we demonstrate high speed and high endurance ultrafast transient switching in the SET state of a prototypical phase change memory *** switching is modeled by electron-phonon and lattice scattering on short timescales and charge carrier excitation on long *** volatile switching in phase change materials enables the design of hybrid memory modulators and ultrafast logic circuits.

关键词： Phase change memory Transient resistance Volatile Scattering Charge carrier excitation large endurance

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