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Ambipolar Transport Compact Models for Two-Dimensional Materials Based Field-Effect Transistors

Tsinghua Science and Technology 2021年第5期26卷 574-591页

作者： Zhaoyi Yan Guangyang Gou Jie Ren Fan Wu Yang Shen He Tian Yi Yang Tian-Ling Ren the Institute of Microelectronics Tsinghua UniversityBeijing 100084China the Institute of Microelectronics and Tsinghua National Laboratory for Information Science and TechnologyTsinghua UniversityBeijing 100084China

Three main ambipolar compact models for Two-Dimensional(2D)materials based Field-Effect Transistors(2D-FETs)are reviewed:(1)landauer model,(2)2D Pao-Sah model,and(3)virtual Source Emission-Diffusion(VSED)*** the landauer model,the Gauss quadrature method is applied,and it summarizes all kinds of variants,exhibiting its *** the 2D Pao-Sah model,the aspects of its theoretical fundamentals are rederived,and the electrostatic potentials of electrons and holes are clarified.A brief development history is compiled for the VSED *** summary,the landauer model is naturally appropriate for the ballistic transport of short channels,and the 2D Pao-Sah model is applicable to long-channel *** contrast,the VSED model offers a smooth transition between ultimate *** three models cover a fairly completed channel length range,which enables researchers to choose the appropriate compact model for their works.

关键词： Field-Effect Transistor(FET) compact model ambipolar transport landauer formula Pao-Sah model virtual source

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