检索结果-南通市图书馆

Preparation of lpe GaInAsSb Epilayers and Its Photodiodes for Detection of 1．8～2．1μm

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Rare Metals 1994年第1期13卷 26-30页

作者：徐晨梅彭瑞伍韦光宇吴伟励翠云中科院上海冶金所上海 200050 中科院上海冶金所上海

Growth of GaInAsSb epilayer by liquid phase epitaxy (lpe) was reported. The lpe system with a hor-izontal sliding graphite boat was employed. The Te-doped (100) GaSb wafer was chosen as substrate. Thephysical properties of the GalnAsSb / GaSb heterostructure were investigated by double crystal X-ray rock-ing diffraction and photoluminescence. The p-GaInAsSb/ n-GaSb photodiode was made by using theseheterostructure materials .The detectivity of the photodiode D* is 4.65 ×10￣9 cm . Hz￣(1 /2) W￣(-1).

关键词： GaInAsSb lpe Infrared detector p-n photodiode

Surface Oxidative Characterization of lpe HgCdTe Epilayer Studied by X-ray Photoelectron Spectroscopy

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Journal of Semiconductors 2000年第1期21卷 8-11页

作者：李毅易新建蔡丽萍华中科技大学湖北武汉 430 0 74

The surface oxidative characterization of Liquid Phase Epitaxy (lpe) HgCdTe epilayer has been studied by X\|ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) and Scanning Electron Microscopy (SEM). HgCdTe surface is exposed by various processing steps. After measurement and analysis,we draw a conclusion that the native oxide film can be reduced and removed by the solution of lactic acid in ethylene glycol after being etched by bromine in absolute ethyl alcohol. The result shows the main optical and electrical parameters have not been changed after the treatment and the processing method given here can successfully remove the native oxides of lpe HgCdTe epilayer to obtain a clean surface. It indicates that the pre\|treatment before HgCdTe surface passivation can affect the passivant/ HgCdTe interface properties.

关键词： Characterization HgCdTe lpe XPS

NONDESTRUCTIVE BAND-GAP PROFILE DETERMINATION OF HgCdTe lpe GROWN LAYERS

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红外与毫米波学报 2002年第2期21卷 81-86页

作者： Z.F.Ivasiv F.F.Sizov 等 Inst Semicond Phys UA-03028 Kiev Ukraine

Infrared transmission and photoconductivity spectra of mercury cadmium telluride (MCT) epitaxial layers, grown by liquid phase epitaxy (lpe) on CdTe and CdZnTe wide band gap substrates, were investigated both theoretically and experimentally at temperatures T =82 K and T =300 K in the infrared (IR) wavelength region 3 15 μm. The photoresponse position of the diodes was determined at cryogenic temperatures from the transmission spectra of room temperature. Theoretical calculations of optical density D(h-ω), needed for analysis of experimental optical transmission data, were performed in the framework of WKB approximation.

关键词： HgCdTe 汞镉碲化合物外延生长红外探测 lpe 液相外延

Al_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y)/GaSb的lpe生长与性质研究

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Journal of Semiconductors 1990年第10期11卷 738-745页

作者：杨保华王占国万寿科龚秀英林兰英中科院半导体研究所

在GaSb衬底上用lpe法生长了晶格匹配的AlGaAsSb外延层。用室温光致发光和X射线双晶衍射分别测量了材料的禁带宽度和晶格常数,并与用内插法计算的结果进行了比较。用C-V和van der Pauw法测量了样品的电学参数。用激光喇曼散射和低温光致... 详细信息

在GaSb衬底上用lpe法生长了晶格匹配的AlGaAsSb外延层。用室温光致发光和X射线双晶衍射分别测量了材料的禁带宽度和晶格常数,并与用内插法计算的结果进行了比较。用C-V和van der Pauw法测量了样品的电学参数。用激光喇曼散射和低温光致发光研究了材料的光学性质,观察到了类GaSb的LO模和类AlSb的LO模以及LO声子与等离子激元的耦合模L_-;对x=0.2,y=0.025的样品,由低温到室温的变温光致发光测量确定的禁带宽度的温度系数为-3.2×10^(-4)eV/K。此外对于晶格失配,P型的原因以及PL谱峰的展宽等问题进行了讨论。

关键词： lpe 化合物光导体晶格匹配

lpe制作平面型InGaAs/InP APD

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半导体光电 1993年第1期14卷 41-47页

作者：郑显明重庆光电技术研究所工程师永川632163

叙述了用液相外延(lpe)制作 InGaAsP/InP 雪崩光电二极管(APD)的物理性能。分析了该器件的设计参数。介绍了器件结构、器件制作中 lpe 生长条件及器件性能。最后,评述了器件发展水平及改进意见。

关键词：半导体材料 lpe APD 外延生长

在lpe生长中降温和恒温对InAsPSb外延层组分分布的影响

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发光学报 1996年第2期17卷 153-155页

作者：王永珍金长春吕贵进中国科学院长春物理研究所

采用ＬＰＥ技术，生长出ＩｎＡｓＰＳｂ外延层，研究了降温、恒温两种方法对外延层组分分布的影响．结果表明，用恒温方法生长时，外延层中Ｐ、Ｓｂ组分分布较为均匀，在脉冲电流激发下，得到了３．０９μｍ激光输出．

关键词： lpe InAsPSb 降温和恒温组分分布

N型lpe和VPE-GaAs电子辐照缺陷能级的研究

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应用科学学报 1992年第3期10卷 199-205页

作者：胡雨生中国科学院上海冶金研究所

用深能级瞬态谱(DLTS)法,结合表面光伏(SPV)法,研究了1MeV能量和不同剂量的电子辐照下对N型液相外延(lpe)、汽相外延(VPE)GaAs层逐次引入的缺陷和400—500K温区等时退火行为.讨论了随辐照剂量逐次增大及等时退火后缺陷浓度N_T的变化,以... 详细信息

用深能级瞬态谱(DLTS)法,结合表面光伏(SPV)法,研究了1MeV能量和不同剂量的电子辐照下对N型液相外延(lpe)、汽相外延(VPE)GaAs层逐次引入的缺陷和400—500K温区等时退火行为.讨论了随辐照剂量逐次增大及等时退火后缺陷浓度N_T的变化,以及根据L^2/D对N_T^(-1)作图来判别电照引入的“E”缺陷能级中对少子寿命起主要控制作用的复合中心能级.

关键词：电子辐照砷化镓缺陷能级 lpe

红外光谱法检测lpe　In_（1－x）Gal_xA　syP_（1－y）晶体质量优劣的研究

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东北师大学报（自然科学版） 1995年第3期27卷 28-30页

作者：刘益春孙跃东齐秀英东北师范大学物理系

通过红外光谱检测ＬＰＥＩｎＧａＡｓＰ材料带边发光强度和光谱线型的空间分布检测材料带边辐射复合效率和均匀性，对引起光致发光强度衰减及半谱半宽度起伏的物理原因进行了分析，并同Ｘ－射线双晶衍射的测量结果进行了对比，二者具有... 详细信息

通过红外光谱检测ＬＰＥＩｎＧａＡｓＰ材料带边发光强度和光谱线型的空间分布检测材料带边辐射复合效率和均匀性，对引起光致发光强度衰减及半谱半宽度起伏的物理原因进行了分析，并同Ｘ－射线双晶衍射的测量结果进行了对比，二者具有很好的一致性．实验结果证明，光致发光方法是判断ＬＰＥ晶体质量简单而有效的方法．

关键词：红外光谱 lpe InGaAsP 半导体晶体质量

lpe对五种致龋菌生长及表兄链球菌相关酶活性的影响

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LPE对五种致龋菌生长及表兄链球菌相关酶活性的影响

作者：韩慧天津医科大学

学位级别：硕士

目的牙菌斑生物膜是龋病发生的基础。变异链球菌、表兄链球菌和内氏放线菌等是构成牙菌斑生物膜的主要致龋菌。细菌通过疏水作用吸附于牙釉质表面的获得性膜,利用葡糖基转移酶催化基质中的蔗糖合成葡聚糖,葡聚糖可诱导牙面上细菌的粘附... 详细信息

目的牙菌斑生物膜是龋病发生的基础。变异链球菌、表兄链球菌和内氏放线菌等是构成牙菌斑生物膜的主要致龋菌。细菌通过疏水作用吸附于牙釉质表面的获得性膜,利用葡糖基转移酶催化基质中的蔗糖合成葡聚糖,葡聚糖可诱导牙面上细菌的粘附和聚集,促进牙菌斑形成。牙菌斑中的细菌代谢产酸,主要是无氧酵解中乳酸脱氢酶催化丙酮酸生成乳酸,酸的累积造成牙釉质的局部脱矿,导致龋损形成。本课题组在国内外首先开展柠檬提取物(Lemon peel extract,lpe)防龋的系列研究,lpe是由水果柠檬中提取的一种淡黄色液体,主要成分是柠檬烯及其同分异构体(占总含量的79%)。本实验通过研究lpe对5种致龋菌(变异链球菌、血链球菌、表兄链球菌、内氏放线菌、嗜酸乳杆菌)的生长抑制作用,对表兄链球菌致龋相关酶(葡糖基转移酶、乳酸脱氢酶)的活性及代谢产物(水不溶性多糖)的抑制作用,探讨lpe抑制口腔致龋菌生长,抑制表兄链球菌的附着性、代谢产酸的作用机制,同时分析代谢酶在细菌致龋作用中的意义。方法 ***提取及成分分析采用水蒸气蒸馏法提取挥发油,在一定的色谱质谱条件下,测得柠檬挥发油成分***总离子流色谱图(TIC)。根据检索NIST2008谱库,按峰面积归一化法进行定量,求得各组分的相对含量。 ***对五种口腔致龋菌生长的影响本实验选取变异链球菌、表兄链球菌、嗜酸乳杆菌、血链球菌、内氏放线菌为实验菌株,采用液体稀释法测定最小抑菌浓度(minimal inhibitory concentration,MIC);根据MIC实验结果,配置含lpe的TPY液体培养基。将菌悬液(1×108CFU/ml)与TPY液体培养基按体积比1：10比例接种,置于恒温细菌培养箱中37℃厌氧培养。分别于0h、0.5h、1h、2h、4h、6h、18h、24h提取菌液,采用菌落计数法检测lpe对五种细菌生长的影响。以活菌数(lgCFU/ml)为纵坐标,时间为横坐标,作图绘制生长曲线。 ***对表兄链球菌葡糖基转移酶活性和细胞外不溶性多糖含量的影响采用二倍稀释法,用TPY液体培养基将lpe稀释为2.25mg/ml、1.125mg/ml、0.563mg/ml和0.281mg/ml4个浓度的溶液(MIC为4.5mg/ml),以TPY液体培养基作为空白对照组。采用菌落计数法检测MIC以下四个浓度lpe对表兄链球菌生长曲线的影响。用Neson-Somogyi法测定培养6h、18h、24h和48h培养液中还原糖的含量,计算出葡糖基转移酶(Glucosyltransferase, GTF)活性;采用蒽酮法测定水不溶性多糖(Water insoluble glucan, WIG)的含量,并对GTF活性与WIG含量的关系做相关性分析。***对表兄链球菌乳酸脱氢酶活性和产酸的影响分组设计同上。采用还原性辅酶Ⅰ氧化法,测定lpe对表兄链球菌乳酸脱氢酶(Lactate dehydrogenase, LDH)活性的影响,同时用FE20实验室pH计测定用药前后培养液中pH值的变化(ΔpH=初始pH值—终末pH值),以检测lpe对表兄链球菌产酸能力的抑制作用,并对LDH活性和细菌代谢产酸能力的关系做相关性分析。结果 1.从柠檬提取物气相色谱-质谱总离子流色谱图(TIC)中,共检测出100余个色谱峰,鉴定了其中的40个色谱峰,其含量占挥发油总量的93.954%。主要成分是柠檬烯,β-蒎烯,4-皆烯等。 ***对五种口腔致龋菌的MIC分别是：变异链球菌、血链球菌、表兄链球菌的MIC为4.5mg/ml,嗜酸乳杆菌和内氏放线菌的MIC为2.25mg/ml。在致龋菌的MIC作用下,从0.5h到24h,随作用时间延长,实验组菌量逐渐减少。选取0、0.5h、1h、2h四个时点,对各菌组的实验组与空白对照组进行重复测量方差分析,变异链球菌、血链球菌、内氏放线菌、嗜酸乳杆菌、表兄链球菌的实验组与空白组比较,差异有统计学意义(plpe对表兄链球菌生长的影响。从0.281mg/ml组到2.25mg/ml组,随着lpe溶液浓度的升高,在0h、0.5h、1h、2h、4h、6h、18h、24h、48h,与空白对照组比较,lpe对表兄链球菌的生长有抑制作用。在同一时间点,随着lpe溶液浓度的升高,表兄链球菌的GTF活性及胞外WIG含量逐渐降低,除低浓度组0.563mg/ml和0.281mg/ml外,各组还原糖量及酶活性均数间比较,差异均有统计学意义(P<0.01);各浓度组与空白对照组GTF活性及WIG均数之间比较,差异均有统计学意义(P<0.01);同一浓度下,各时间点(48h除外)(浓度组—空白对照组)酶活性与WIG含量的总体均数比较,差异均有统计学意义(P<0.01

关键词： lpe 表兄链球菌口腔致龋菌细胞外多糖葡糖基转移酶乳酸脱氢酶