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ELECTRICAL PROPERTIES OF lpcvd POLY-SILICON DOPED WITH OXYGEN ATOMS

Journal of Electronics(China) 1993年第2期10卷 181-187页

作者：潘尧令王云珍 East China Normal University Shanghai 200072

The electrical conductivity of lpcvd polysilicon doped with oxygen atoms(acromymsipos)films has been measured to study the electrical properties of *** results showthat the electrical properties of sipos depend on both oxygen contents and annealing *** electrical conductivity decreases while the oxygen content in sipos *** temper-.ature dependence of the electrical conductivity of sipos during annealing shows that there aretwo kinds of conduction mechanisms,that is,conductivities of sipos are concerned in the reac-tion of Si-O bonds and the recrystallization of sipos during low temperature500℃)and hightemperature900℃)annealing,*** addition,the doping effect on the conductivityof sipos has been *** has been observed that doping made the increase of conductivityin sipos,but the oxygen contents apparently suppressed the increase of conductivity in doped-sipos.

关键词： lpcvd-sipos Electrical conductivity Oxygen content Doping

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