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学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程（可...
    • 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 1 篇 3c—sic
  • 1 篇 si台面
  • 1 篇 sio2/si
  • 1 篇 lpcvd生长

机构

  • 1 篇 中国科学院半导体...

作者

  • 1 篇 王雷
  • 1 篇 孙国胜
  • 1 篇 高欣
  • 1 篇 李晋闽
  • 1 篇 刘兴日方
  • 1 篇 曾一平
  • 1 篇 巩全成

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=LPCVD生长"
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MEMS用Si台面及SiO_2/Si衬底上3C-SiC的lpcvd生长(英文)
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人工晶体学报 2005年 第6期34卷 982-985,976页
作者： 孙国胜 王雷 巩全成 高欣 刘兴日方 曾一平 李晋闽 中国科学院半导体研究所 北京100083
本文报道用在S i台面及热氧化S iO2衬底上3C-S iC薄膜的lpcvd生长,反应生长使用的气体为S iH4和C2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、以及室温Hall测试对所生长的3C-S iC材料进行了测... 详细信息
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