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检索条件"主题词=LOW voltage systems"
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Robust low voltage Program-Erasable Cobalt-Nanocrystal Memory Capacitors with Multistacked Al2O3/HfO2/Al2O3 Tunnel Barrier
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Chinese Physics Letters 2009年 第8期26卷 313-316页
作者: 廖忠伟 苟鸿雁 黄玥 孙清清 丁士进 张卫 张世理 State Key Laboratory of ASIC and System School of Microelectronics Fudan University Shanghai 200433 School of Information and Communication KTH (Royal Institute of Technology) Electrum 229 SE-164 40 Kista Sweden
A n atomic-layer-deposited Al2O3/HfO2/Al2O3 (A/H/A) tunnel barrier is in vestigated for Co nanocrystal memory capacitors. Compared to a single Al2O3 tunnel barrier, the A/H/A barrier can significantly increase the h... 详细信息
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