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Laser lift-off technique and the re-utilization of GaN-based led films grown on sapphire substrate

Optoelectronics Letters 2008年第5期4卷 354-357页

作者： HUANG Jin ZHENG Qing-hong LIU Bao-lin Department of Physics Xiamen University Xiamen 361005 China.

A thin GaN led film, grown on 2-inch-diameter sapphire substrates, is separated by laser lift-off. Atom force microscopy （AFM） and the double-crystal X-ray diffraction （XRD） have been employed to characterize the performance of Gan before and after the lift-off process. It is demonstrated that the separation and transfer processes do not alter the crystal quality of the GaN films obviously. InGaN/GaN multi-quantum-wells （MQW＇s） structure is grown on the separated sapphire substrate later and is compared with that grown on the conventional substmte under the same condition by using PL and XRD spectrum.

关键词：激光器离地升空技术 GaN led薄膜晶体质量

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