检索结果-南通市图书馆

现代电子技术 2003年第6期26卷 71-74页

作者：孙作治李玉山李先锐来新泉西安电子科技大学电路CAD研究所陕西西安710071

L DO线性稳压器的低漏失电压、低静态电流特性使电池使用具有高效率和长寿命。针对这 2个主要特性和使能开关、过温过流保护等功能 ,本文设计并实现了一种新型的双极型 L DO线性稳压器 ,调整管采用自由集电极纵向 PNP管。

关键词： ldo线性稳压器漏失电压静态电流自由集电纵向PNP管双极型

基于ldo线性稳压器的低电压CMOS误差放大器设计

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中国科技财富 2010年第18期 181-181页

作者：蔡惠玲浙江吉利技师学院

针对目前ldo线性稳压器的广泛应用,本文设计了一款性能更加完善的CMOS误差放大器。该电路结构具有低功耗、高转换速率、低电压启动等特性;此电路的设计基于CSMC 5V 0.5um CMOS 工艺下完成;线路的仿真验证是基于cadence 软件下通过spect... 详细信息

针对目前ldo线性稳压器的广泛应用,本文设计了一款性能更加完善的CMOS误差放大器。该电路结构具有低功耗、高转换速率、低电压启动等特性;此电路的设计基于CSMC 5V 0.5um CMOS 工艺下完成;线路的仿真验证是基于cadence 软件下通过spectre 仿真器仿真。

关键词： ldo线性稳压器误差放大器 CMOS

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基于双极工艺的ldo线性稳压器的设计

知识经济 2015年第11期 119-119页

作者：罗志勇锦州七七七微电子有限责任公司 121001

本文主要关注了如何更好地设计双极型ldo线性稳压器的问题,通过设计出高效的控制系统来提升了电池的使用效果。笔者设计的系统主要采用了独特的SA-5V工艺,通过加设一个特别的调整管来降低了整根管中的总电阻大小,提升了电流的使用质量,... 详细信息

本文主要关注了如何更好地设计双极型ldo线性稳压器的问题,通过设计出高效的控制系统来提升了电池的使用效果。笔者设计的系统主要采用了独特的SA-5V工艺,通过加设一个特别的调整管来降低了整根管中的总电阻大小,提升了电流的使用质量,最后,通过一系列实践经验来验证了本方案的可行性,这种设计应当在各种各样的实际生产当中得到广泛的运用与推广。

关键词：低静态电流低漏失电压过温过流保护 ldo线性稳压器带隙基准电路

一种低噪声、快速响应的ldo低压线性稳压器

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一种低噪声、快速响应的LDO低压线性稳压器

作者：薛君泽西安电子科技大学

学位级别：硕士

随着CMOS技术的快速发展，尤其是器件尺寸的缩小，模拟电路和射频电路中所需的电压越来越小,这增加了模拟电路和射频电路的挑战。其中一个主要的挑战就是随着电压的急剧减小，电压的线性度，动态范围和稳定性减小。在射频电路中，随着... 详细信息

随着CMOS技术的快速发展，尤其是器件尺寸的缩小，模拟电路和射频电路中所需的电压越来越小,这增加了模拟电路和射频电路的挑战。其中一个主要的挑战就是随着电压的急剧减小，电压的线性度，动态范围和稳定性减小。在射频电路中，随着电压的减小，噪声波纹和交叉耦合开始起主导作用。为了克服噪声，在模拟电路和射频电路中，需要有一个好的电源管理器。这个电源管理器需要有低噪声和快的瞬态特性，以此来增强电路的性能和增加电池的生命。所以本文对低压差线性稳压器进行了研究。首先，阐述了选题的背景和意义，并分析其发展趋势。其次，对ldo的各个模块进行了分析，分析了他们的原理和结构以及相应的指标。再次，对各个模块进行了设计并仿真其相关的性能参数，并重点分析了稳定性，对几种常见的稳定性补偿方法做了比较，最终采用一种嵌套密勒电容的补偿方法。最后，对整体模块进行了仿真，本文ldo的输入电压是2.5V-4V，输出电压在1.75V-1.85V之间，压差小于200mV,最大输出电流为100mA,全负载范围内静态电流约为3.5A,负载调整率0．005％V／A，线性调整率0．001％／V。在此基础上完成了部分模块的版图。

关键词： ldo线性稳压器误差放大器调整管稳定性基准电压源

高电源电压抑制、低功耗片上低压差线性稳压器的研究与设计

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微电子学与计算机 2014年第5期31卷 163-166页

作者：金禹铮付宇卓上海交通大学微电子学院上海200240

为了能更适合于片上集成,在提供稳定电压的同时降低输入电压的噪声,设计了一种新型片上CMOS低压差线性稳压器(ldo),其显著特点是静态电流很小,在3.3V供电电压下,只有10μA的静态电流,功耗很小,适合于片上低功耗集成使用.同时,对ldo的电... 详细信息

为了能更适合于片上集成,在提供稳定电压的同时降低输入电压的噪声,设计了一种新型片上CMOS低压差线性稳压器(ldo),其显著特点是静态电流很小,在3.3V供电电压下,只有10μA的静态电流,功耗很小,适合于片上低功耗集成使用.同时,对ldo的电源电压抑制(PSR)进行了改进,提出了一种有效地使PSR提高的方法,使PSR低频下达到了大约-45dB,最差的情况也能达到-20dB左右,对输入电源的纹波噪声有比较好的抑制作用,更加适合于对噪声敏感的电路集成.

关键词： ldo线性稳压器低功耗高电源电压抑制(PSR)

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CMOS低压差线性稳压器的研究与设计

CMOS低压差线性稳压器的研究与设计

作者：杨林武汉科技大学

学位级别：硕士

随着半导体终端产品朝向轻薄短小、数字化和整合多功能三大趋势发展,模拟领域的电源管理IC的地位变得越来越重要,并成为半导体厂商争相竞逐的主战场。作为电源管理的重要一员,低压差(ldo)线性稳压电源管理IC在便携设备中的应用也越来越... 详细信息

随着半导体终端产品朝向轻薄短小、数字化和整合多功能三大趋势发展,模拟领域的电源管理IC的地位变得越来越重要,并成为半导体厂商争相竞逐的主战场。作为电源管理的重要一员,低压差(ldo)线性稳压电源管理IC在便携设备中的应用也越来越广泛,如PDA, MP3播放器、数码相机、无线电话与数据网络、仪器等,并且正不断向低成本、低功耗、低噪音、高效率、高电源抑制比(PSRR)等方向发展。目前,电源管理集成电路市场大部分被国外产品占据,研究开发国内的电源管理电路产品,能夺回巨大的市场。因此,开展本项目的研究具有特别重要的意义。本文设计了一种ldo〔低压差)线性稳压器,它采用中芯国际0.35微米CMOS工艺设计,有较宽的输入电压范围(2.5V-5V),输出电压通过可变电阻分压可为1.8V, 2.5V, 2.7V, 2.8V 2.9V, 3.0V, 3.3V和3.6V,在最大负载电流(150mA)情况下,压降仅为49mV。该电路主要用作射频电路模块(手机)的电源电压,因此,较高的电源抑制特性和低的噪声特性是本设计最关心的指标。另外,本文还设计了过热和过流保护电路,避免电路工作异常时芯片的永久性损坏。基于以上技术优势,该电源管理IC具有优越的高效率、低功耗的特点,同时外围电路简单,大大的降低了成本,同时系统对负载的调整能力和线性调整能力很强,芯片能够在各种工作条件下稳定工作。在本文中,首先阐述了ldo线性降压稳压器的基本原理,给出理论依据。然后根据功能需要进行了电路的总体结构设计。再对电路的所有子模块电路进行了详细分析,借助设计软件Cadence对子模块电路进行了完整的设计和模拟仿真,给出了合理的电路数据,仿真数据表明设计的芯片性能良好,能实现各种预定功能,满足预设的指标要求。

关键词： ldo线性稳压器带隙基准频率补偿稳定性电源抑制噪声

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高PSRR无电容型线性稳压器的研究与设计

高PSRR无电容型线性稳压器的研究与设计

作者：康瑞西安电子科技大学

学位级别：硕士

随着便携式电子设备的不断普及和功能越来越智能化,市场对于电源管理芯片的需求量以及性能都在不断上涨,其中ldo线性稳压器以其结构简单、低噪声、较小PCB面积等突出优点受到片上系统(SoC)的青睐。但随着SoC的发展,电源噪声影响和数模... 详细信息

随着便携式电子设备的不断普及和功能越来越智能化,市场对于电源管理芯片的需求量以及性能都在不断上涨,其中ldo线性稳压器以其结构简单、低噪声、较小PCB面积等突出优点受到片上系统(SoC)的青睐。但随着SoC的发展,电源噪声影响和数模混合电路之间的相互串扰非常严重,此外又由于负载门数的提高,ldo输出端负载电容值会高达nF量级,负载门数的提高又意味着需要更多的负载电流,所以具有高PSRR以及大负载特性的无电容型ldo成为当今线性稳压器的研究趋势。本文通过研究无电容型线性稳压器的架构和设计思想并结合当今ldo的研究热难点设计了一款高PSRR无电容型ldo线性稳压器。该ldo基于反嵌套共源共栅密勒补偿产生一个主极点、一个次主极点、两对高频零极点对和一个右半平面零点,通过合理设置电路参数使单位增益带宽内只存在一个主极点而成为单极点系统,从而保证ldo环路在负载电容为0到1μF的范围内实现稳定。为了得到最好的PSRR直流特性,该ldo第一级采用NMOS输入对管的共源共栅差分运放,第二级采用PMOS输入管的共源放大器。同时为了提高ldo的压摆率和负载瞬态跳变时的稳定性采用由两级共源放大器组成的可变增益缓冲器。针对该ldo在无片外电容时的瞬态响应特性,本文提出一种自动检测输出电压的瞬态增强电路来快速感应ldo负载电流的变化,极大减小了过冲电压和恢复时间。同时为了减少带隙基准电压的漂移和提高ldo电路的精度设计了一种具有负反馈预稳压功能的高PSRR带隙基准电路。基于TSMC 0.25μm BCD工艺并经Cadence Spectre仿真器仿真,仿真结果显示其漏失电压为150mV,在1mA到200mA的负载电流范围内,该ldo在输出电容为0到1μF的范围内都能保持稳定;负载电流为200mA时,环路的最大相位裕度为86°以及最小相位裕度高达75°,低频段PSRR可达到-80dB、而100kHz的PSRR也有-40dB。最后除去带隙基准电路,负载电流为1mA时的静态电流为114μA。

关键词： ldo线性稳压器无电容型高PSRR 反嵌套共源共栅密勒补偿可变增益缓冲器瞬态增强

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基于CMOS工艺的低压差线性稳压器研究

基于CMOS工艺的低压差线性稳压器研究

作者：李伟光西安科技大学

学位级别：硕士

近年来,随着集成电路技术和电源管理技术的发展,低压差线性稳压器(ldo)受到了普遍的关注,被广泛应用于便携式电子产品如PDA、MP3播放器、数码相机、无线电话与通信设备、医疗设备和测试仪器等中,但国内研究起步晚,市场大部分被国外产品... 详细信息

近年来,随着集成电路技术和电源管理技术的发展,低压差线性稳压器(ldo)受到了普遍的关注,被广泛应用于便携式电子产品如PDA、MP3播放器、数码相机、无线电话与通信设备、医疗设备和测试仪器等中,但国内研究起步晚,市场大部分被国外产品占有,因此,开展本课题的研究具有特别重要的意义。首先,简单阐述了课题研究的背景及意义,分析了低压差线性稳压器(ldo)研究的现状和发展趋势,并提出了设计的预期技术指标。其次,详细分析了ldo线性稳压器的理论基础,包括其结构、各功能模块的作用、系统工作原理、性能指标定义及设计时对性能指标之间相互矛盾的折衷考虑。再次,设计了基于自偏置电流源的带隙基准电压源,选取PMOS管作为系统的调整元件并计算出了其尺寸,设计了基于CMOS工艺的两级误差运算放大器。利用HSPICE工具仿真了基准电压源和误差运算放大器的相关性能参数。然后,重点分析了稳压器的稳定性特征,指出系统存在的潜在不稳定性,详细论述了稳定性补偿的必要性,比较了业界使用过的几种稳定性补偿方法的不足之处,提出了一种基于电容反馈VCCS的补偿方法,对系统进行了稳定性的补偿;最后,将所设计的模块进行联合,设计了一款基于CMOS工艺的ldo线性稳压器电路,利用HSPICE工具验证了其压差电压、静态电流、线性调整率等性能指标,仿真结果验证了理论分析的正确性、设计方法的可行性。

关键词： ldo线性稳压器 CMOS 基准电压源调整管误差放大器频率补偿

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低噪声低压差线性稳压器的研究与设计

低噪声低压差线性稳压器的研究与设计

作者：周志辉西安电子科技大学

学位级别：硕士

在电子产品小型化趋势下,芯片面积不断地缩减,芯片的工作电压也在不断地降低,这就导致噪声影响变得更加突出。电源管理芯片对于整个系统的稳定性以及精度等起到了决定性的作用,作为其中一种分类,线性稳压器因为其结构简单、噪声特性好... 详细信息

在电子产品小型化趋势下,芯片面积不断地缩减,芯片的工作电压也在不断地降低,这就导致噪声影响变得更加突出。电源管理芯片对于整个系统的稳定性以及精度等起到了决定性的作用,作为其中一种分类,线性稳压器因为其结构简单、噪声特性好等特点,在噪声要求严格的应用环境中常常被广泛采用。另外在工艺上,双极型工艺与MOS工艺相比具有更小的失调电压和更优良的噪声特性,驱动能力上双极型工艺也比MOS工艺好,因此,很多线性稳压器都采用双极型工艺来实现。本文通过对线性稳压器的相关理论以及噪声特性的研究,采用2μm 40V BJT工艺设计了一款低噪声低压差线性稳压器芯片XD1964。本文主要研究内容总结如下:1.本文设计的电路将传统电压基准模块中的放大器与环路中的误差放大器进行了整合,使电路结构变得更加简单。在一定程度上减少了噪声源,有利于降低电路噪声。2.整个环路采用密勒补偿的方式,将电路的主极点设置在第一级放大器的输出端,稳压器的输出端极点移到高频位置成为次极点。如此一来,可以大大降低芯片片外电容的容值,得到更高的集成度。3.通过对主要噪声源的研究与公式推导,确定影响噪声特性的主要器件,并在电路设计中优化这些器件的参数实现降噪的目的,同时,电路中还设计了一个外接旁路电容的端口,其作用是对稳压器的输出进行低通滤波,得到更低的输出噪声。4.设计过温保护和过流保护模块防止芯片在非正常情况下损坏,其中过温保护设置了一定的迟滞量,防止电路工作状态在过温阈值附近频繁跳变。5.完成电路版图设计,并在版图设计过程中针对每一个PAD引脚进行ESD保护处理,保证芯片的可靠性。同时,输出级功率管版图设计时,采用深N+扩散形成晶体管的集电极,从而使功率管集电极电阻最小化。本文设计的电路实现了宽输入电压范围,工作电压为-6V20V,输出-5V稳定电压,最大负载电流为-200mA。借助Cadence仿真软件平台对本文设计电路进行环境的搭建和仿真,通过仿真验证,电路的电源抑制比在低频时达到52dB,整个环路低频增益高达76dB,空载情况下静态电流47μA。通过外接旁路电容的降噪方式,在10Hz到100kHz的带宽范围内,电路的总输出噪声为22μV。版图设计过程中采用两层金属布线,最终版图面积为1030μm×1520μm。

关键词： ldo线性稳压器低噪声旁路电容密勒补偿双极工艺

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简单内置式低压降线性稳压器设计与分析

科技资讯 2009年第10期7卷 76-77页

作者：刘萌商洛学院物理与电子信息工程系陕西商洛726000

设计了一种高精度、宽输入电压范围ldo线性稳压器。电路采用0.6μm BCD高压工艺,所需版图面积小,可内置在功率放大器等系统级芯片中作为内部电源使用。与传统方法相比,该电路在频率补偿、输出瞬态响应等关键指标参数上有所改进,输出级... 详细信息

设计了一种高精度、宽输入电压范围ldo线性稳压器。电路采用0.6μm BCD高压工艺,所需版图面积小,可内置在功率放大器等系统级芯片中作为内部电源使用。与传统方法相比,该电路在频率补偿、输出瞬态响应等关键指标参数上有所改进,输出级作为内部供电电源所需具备的稳定性精度为±1.2%,最大输出负载电流为30mA。

关键词： ldo线性稳压器 TM32 密勒补偿稳定性等效串联电阻(ESR) BCD高压工艺