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检索条件"主题词=Ka波段"
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基于ka波段分布式MEMS移相器芯片微封装研究(英文)
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仪器仪表学报 2007年 第1期28卷 23-28页
作者: 贺训军 吴群 朱淮城 Lee Jongchul 哈尔滨工业大学电子与信息技术研究院 哈尔滨理工大学应用科学学院 哈尔滨 150080 中国 毫米波毫米波/亚毫米波末制导技术国防科技重点实验室 韩国光云大学无线电科学与工程系
本文提出一种适用于ka波段分布式MEMS移相器的新型封装结构——具有垂直互连线的薄硅作为分布式MEMS移相器衬底,并用芯片微封装方法对移相器进行封装。采用CST模拟软件研究封装结构对移相器射频性能影响,模拟结构表明:当封装结构衬底厚... 详细信息
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ka波段0/Π MEMS移相器
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固体电子学研究与进展 2012年 第1期32卷 68-72页
作者: 郁元卫 朱健 姜理利 施毅 南京大学电子科学与工程学院 南京210093 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
报道了一种ka波段实时延MEMS移相器芯片。该移相器基于开关线式移相器设计原理,集成了4个MEMS三端口直接接触式毫米波开关单元,使用共面波导(CPW)传输线,利用阶梯阻抗的方式实现传输线拐角和CPW空气桥结构的传输线阻抗匹配。芯片采用R... 详细信息
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ka波段单片自偏压低噪声放大器
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固体电子学研究与进展 2016年 第4期36卷 289-292页
作者: 高兴振 杨爽 孙晓玮 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050 上海科技大学信息学院 上海200031
本文介绍了一款基于0.15μm PHEMT工艺的ka波段自偏压单片低噪声放大器(LNA)。该款低噪声放大器采用四级级联的电路结构,前两级采用源极电感负反馈同时获得较好的输入驻波和噪声;采用电阻自偏压技术,单电源供电,使用方便。该款低噪声放... 详细信息
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ka波段上变频组件设计
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固体电子学研究与进展 2013年 第3期33卷 249-253页
作者: 孔斌 陈俊羽 詹铭周 赵伟 徐锐敏 电子科技大学极高频复杂系统国防重点学科实验室 成都611731
介绍了一种基于陶瓷工艺的ka波段上变频组件的设计。组件采用一次变频方案,将C波段800MHz带宽信号上变频至ka波段,使用ADS、HFSS等软件完成系统级和关键单元电路仿真设计,经加工测试该组件单载波增益大于14dB,带外抑制大于30dBc(0.1~27... 详细信息
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ka波段应用的捷变频高频率分辨率频率合成器
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微波学报 2018年 第4期34卷 65-70页
作者: 黄涛 欧阳宏俊 邵振海 陈志璋 电子科技大学电子科学与工程学院 成都611731 四川省成都市第十二中学 成都611731
传统基于锁相环(PLL)实现带宽信号输出的频率合成方案,常常为了获得高输出频率而降低频率分辨率和缩短跳频时间。相较而言,基于直接数字频率合成器(DDS)实现带宽信号输出的频率合成方案,其频率分辨率更高,跳频时间更快。然而,DDS输... 详细信息
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ka波段微带四倍频器研制
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电子科技大学学报 2008年 第S1期37卷 79-81页
作者: 梁木生 唐小宏 李金艳 电子科技大学电子工程学院
毫米波倍频器目前在毫米波频率合成器中已得到广泛应用,它可以获得具有宽带特性的毫米波频综及多点的频率输出。该文介绍一种利用单片设计的ka波段微带四倍频器研制,主要采用微带电路结构、微带-鳍线-波导过渡形式进行设计,7.8~8.2GHz... 详细信息
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ka波段宽带单边带调制器集成电路的设计
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微波学报 2015年 第1期31卷 70-73页
作者: 杨大宝 陈志宏 专用集成电路重点实验室 石家庄050051 中国电子科技集团公司第十三研究所 石家庄050051
基于相移法实现SSB(单边带)调制器理论,设计制造了一种ka波段宽带SSB调制器集成电路。对相移法产生单边带调制信号的原理进行了分析,利用无源电路的3D电磁仿真分析和ADS整体电路非线性仿真相结合的方法对调制器进行了优化。设计制造的9... 详细信息
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ka波段多普勒雷达前端关键技术研究
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微波学报 2017年 第S1期33卷 207-210页
作者: 李志友 常宸 刘勇 唐小宏 电子科技大学电子工程学院 成都611731
本文研究了一种用于测试高速目标运动速度的ka波段多普勒雷达收发前端。该部件采用收发一体机制并工作于连续波模式,工作频率为37.6GHz,发射功率大于21dBm。因此,该部件在保证测试运动目标产生多普勒频率高精度的同时,还能对具有极小反... 详细信息
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ka波段GaN单片低噪声放大器研制
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固体电子学研究与进展 2018年 第2期38卷 81-84,94页
作者: 吴少兵 李建平 李忠辉 高建峰 黄念宁 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
报道了ka波段GaN自偏压低噪声三级放大电路的研制结果。在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延结构上,采用电子束直写工艺制备了栅长100nm的"T"型栅结构。器件直流测试最大电流密度为1.55A/mm,最大跨导为490mS/mm;小信号测试外推其fT和fmax分... 详细信息
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ka波段移动卫星信道的综合模型及误码率分析
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中国科学技术大学学报 2005年 第3期35卷 346-353页
作者: 黄和 王东进 刘发林 中国科学技术大学电子工程与信息科学系 安徽合肥230027
在分析ka波段移动卫星信道的统计特性的基础上,建立了包括多径衰落、阴影遮蔽以及ka波段所特有的雨衰影响的ka波段移动卫星信道的综合模型,并进行了系统性能的实验仿真.同时通过理论计算,给出了该信道误码率的理论上限,并与仿真结果进... 详细信息
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