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利用kfm探究半导体量子点载流子分布实验设计

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实验技术与管理 2020年第3期37卷 53-55,59页

作者：许杰李金泽白刚南京邮电大学电子与光学工程学院江苏南京210023

为了使学生在微观尺度下观察和探究量子点中的载流子浓度分布特性,设计了基于开尔文力显微镜(kfm)的探究性实验。实验内容包括试样准备、kfm测试、数字信号处理和结果与讨论。根据半导体物理知识计算出量子点中的载流子浓度分布情况。... 详细信息

为了使学生在微观尺度下观察和探究量子点中的载流子浓度分布特性,设计了基于开尔文力显微镜(kfm)的探究性实验。实验内容包括试样准备、kfm测试、数字信号处理和结果与讨论。根据半导体物理知识计算出量子点中的载流子浓度分布情况。该实验有助于加深学生对量子点材料的理解,激发学生的学习兴趣,锻炼学生的创新能力。

关键词：载流子浓度 kfm 探究性实验半导体量子点

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制作kfm翼型手掷模型飞机

百科探秘（航空航天） 2016年第5期 42-43页

作者：关尔阳

kfm翼型是美国人在创新模型飞机翼型的理论研究和实践应用方面取得的新成果,这一成果为模型飞机的翼型家族增添了新成员,也为模型飞机机翼制作的工艺改革开辟出新的途径。kfm翼型有别于常规翼型,其基本特点是翼型下弧呈直线或弧线,上弧... 详细信息

kfm翼型是美国人在创新模型飞机翼型的理论研究和实践应用方面取得的新成果,这一成果为模型飞机的翼型家族增添了新成员,也为模型飞机机翼制作的工艺改革开辟出新的途径。kfm翼型有别于常规翼型,其基本特点是翼型下弧呈直线或弧线,上弧为阶梯状,上弧最高点位于翼弦长度的40%~50%处,相对厚度为翼弦长度的8%~9%,前缘近似椭圆形抛物线,图示为典型的kfm翼型。

关键词： kfm 翼弦最高点位相对厚度飞机机翼阶梯状工艺改革胶固砂纸片理论研究

铀及铀合金在空气中热氧化腐蚀的kfm实验研究

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铀及铀合金在空气中热氧化腐蚀的KFM实验研究

中国核学会核材料分会2007年度学术交流会

作者：仲敬荣邹乐西肖洒褚明福肖吉群中国工程物理研究院

利用扫描开尔文力显微镜(kfm)技术对金属铀及铀合金的大气腐蚀进行了初步实验研究,观测了金属铀及铀合金在空气中热氧化腐蚀表面微区的形貌及电位分布变化的特征。结果表明,随着温度的升高和时间的延长,铀及铀合金表面氧化层不断增厚,... 详细信息

利用扫描开尔文力显微镜(kfm)技术对金属铀及铀合金的大气腐蚀进行了初步实验研究,观测了金属铀及铀合金在空气中热氧化腐蚀表面微区的形貌及电位分布变化的特征。结果表明,随着温度的升高和时间的延长,铀及铀合金表面氧化层不断增厚,表面光洁度(平均高度,Ra)增加,颗粒尺寸减小,峰谷高低差(P-V)增大,同时金属铀及铀合金表面的平均电位分布都是逐渐增大的,表面电位高低差也呈增大趋势。

关键词：铀铀合金氧化腐蚀 kfm

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洛阳钼业拟投资18亿美元开发kfm铜钴矿

洛阳钼业拟投资18亿美元开发KFM铜钴矿

洛阳钼业：kfm铜钴矿预计明年上半年投产 002

上海证券报

作者：罗茂林

作为全球知名的稀有金属厂商，洛阳钼业再次斥重金开发海外铜矿矿山。6月30日晚间，洛阳钼业公告称，公司拟投资18.26亿美元，用于建设刚果（金）kfm开发项目（氧化矿、混合矿）工程（一期）。公告称，此次项目投资中，其中工程费用14.2... 详细信息

作为全球知名的稀有金属厂商，洛阳钼业再次斥重金开发海外铜矿矿山。6月30日晚间，洛阳钼业公告称，公司拟投资18.26亿美元，用于建设刚果（金）kfm开发项目（氧化矿、混合矿）工程（一期）。公告称，此次项目投资中，其中工程费用14.27亿美元，工程建设其他费用1.61亿美元，......

关键词：铜钴矿 kfm

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洛阳钼业：KFM铜钴矿预计明年上半年投产

Investigation of charge loss characteristics of HfO_2 annealed in N_2 or O_2 ambient

中国矿业报

作者：张继勇

核心阅读：洛阳钼业投资建设的刚果（金）kfm开发项目一期工程和TFM的扩产，可缓解新能源产业发展对钴金属持续增长的需求紧张，降低电池厂商和汽车厂商对钴金属供应不足的忧虑。未来，该公司将根据市场供求情况，适度调整排产计划，... 详细信息

核心阅读：洛阳钼业投资建设的刚果（金）kfm开发项目一期工程和TFM的扩产，可缓解新能源产业发展对钴金属持续增长的需求紧张，降低电池厂商和汽车厂商对钴金属供应不足的忧虑。未来，该公司将根据市场供求情况，适度调整排产计划，维护市场相对均衡。 6月30日，洛阳钼业宣

关键词： TFM kfm 铜钴矿

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Journal of Semiconductors 2014年第8期35卷 43-47页

作者：褚玉琼霍宗亮韩宇龙陈国星张冬李新开刘明 Laboratory of Nano-Fabrication and Novel Devices Integrated Technology Institute of Microelectronics Chinese Academy of Sciences

The retention characteristics of electrons and holes in hafnium oxide with post-deposition annealing in a N2 or 02 ambient were investigated by Kelvin probe force microscopy. The kfm results show that compared with the N2 PDA process, the O2 PDA process can lead to a significant retention improvement. Vertical charge leakage and lateral charge spreading both played an important role in the charge loss mechanisms. The retention improvement is attributed to the deeper trap energy. For electrons, the trap energy of the HOS structure annealed in a N2 or 02 ambient were determined to be about 0.44 and 0.49 eV, respectively. For holes, these are about 0.34 and 0.36 eV, respectively. Finally, the electrical characteristics of the memory devices are demonstrated from the experiment, which agreed with our characterization results. The qualitative and quantitative determination of the charge retention properties, the possible charge decay mechanism and trap energy reported in this work can be very useful for the characterization of hafnium charge storage devices.

关键词： kfm Hf02 retention