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有机酸修饰ito对OLED器件性能的影响

半导体光电 2017年第1期38卷 16-20页

作者：胡俊涛杨劲松冯鹏梅文娟牛永鹏特种显示技术国家工程实验室特种显示技术教育部重点实验室省部共建现代显示技术国家重点实验室合肥230009 合肥工业大学光电技术研究院合肥230009 中航华东光电有限公司安徽芜湖241002

分别采用二氯苯氧乙酸和溴乙酸对ito表面进行修饰,研究其对OLED器件(ito/PVK/FIrPic∶SimCP/TPBi/LiF/Al)性能的影响。结果显示,相较于未修饰的器件,采用二氯苯氧乙酸修饰后的器件最大亮度由673.4cd/m2提升至1 875.2cd/m2,同时器件的启... 详细信息

分别采用二氯苯氧乙酸和溴乙酸对ito表面进行修饰,研究其对OLED器件(ito/PVK/FIrPic∶SimCP/TPBi/LiF/Al)性能的影响。结果显示,相较于未修饰的器件,采用二氯苯氧乙酸修饰后的器件最大亮度由673.4cd/m2提升至1 875.2cd/m2,同时器件的启亮电压由6.2V降至5.3V。研究发现,有机酸处理能够改变ito的表面能和功函数,一方面改变ito和后续膜层的接触性能,影响后续膜层的成膜;另一方面也可以有效减少ito与有机层间的势垒,提升载流子注入。这种用有机酸修饰ito阳极的方法工艺简单,能有效降低空穴注入势垒,优化ito和有机层的接触性能,对器件性能的提升起到一定的促进作用。

关键词： ito 有机酸表面能功函数 OLED

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激光刻蚀ito薄膜工艺研究

武汉理工大学学报 2010年第22期32卷 153-155,167页

作者：陈记寿徐爱忠刘丹中国建筑材料科学研究总院北京100024 武汉楚天工业激光设备有限公司武汉430074

鉴于铟锡氧化物(indium-tin oxide,ito)薄膜电加温玻璃在外观、力学、光学性能的特殊要求,激光刻蚀技术能否成功应用于该领域成为探讨的问题。通过激光器在不同工作功率和刻蚀速度下刻蚀ito薄膜所达到的刻蚀效果开展研究,探索激光刻蚀工... 详细信息

鉴于铟锡氧化物(indium-tin oxide,ito)薄膜电加温玻璃在外观、力学、光学性能的特殊要求,激光刻蚀技术能否成功应用于该领域成为探讨的问题。通过激光器在不同工作功率和刻蚀速度下刻蚀ito薄膜所达到的刻蚀效果开展研究,探索激光刻蚀工艺,并通过测试比对刻蚀前后玻璃的力学、光学特性变化,分析激光刻蚀对玻璃的影响。实验结果表明:选用ito薄膜厚度650 nm镀膜玻璃做为实验样件,选用波长1 064 nm的激光器做为实验设备,当激光器工作功率为750 mW,刻蚀速度为500 mm/s时,薄膜被完全刻蚀,且衬底玻璃未受到损伤;经检测,刻蚀后玻璃的抗弯曲强度仅衰减7%,抗冲击强度和透光度均无变化。因此激光刻蚀技术可实际应用于电加温玻璃的薄膜刻蚀。

关键词：激光刻蚀 ito 薄膜电加温玻璃

有机薄膜衬底 ito 透明导电膜的制备及光电特性的研究

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太阳能学报 1998年第2期19卷 198-201页

作者：马瑾李淑英马洪磊赵俊卿叶丽娜山东大学光电材料与器件研究所

采用真空反应蒸发技术，在有机薄膜基片上制备出高质量的ＩＴＯ透明导电薄膜，对薄膜的结构和光电特性进行了研究。制备的最佳薄膜在可见光范围的平均透过率达８４％，电阻率为８．２３×１０－４Ωｃｍ，载流子浓度为１．７２×１０２... 详细信息

采用真空反应蒸发技术，在有机薄膜基片上制备出高质量的ＩＴＯ透明导电薄膜，对薄膜的结构和光电特性进行了研究。制备的最佳薄膜在可见光范围的平均透过率达８４％，电阻率为８．２３×１０－４Ωｃｍ，载流子浓度为１．７２×１０２０ｃｍ－３。

关键词： ito 薄膜透过率电阻率载流子浓度

Multiple talon cusps, dens in dente and concrescence in a child with hypomelanosis of ito

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Open Journal of Stomatology 2012年第3期2卷 206-209页

作者： Feyza Nur Gorken Ikikarakayali Goksen Arzu Pinar Erdem Sinem Kuru Elif Sepet Department of Pediatric Dentistry Faculty of Dentistry Istanbul University Istanbul Turkey

Hypomelanosis of ito (HI) is a rare neurocutaneous disorder most likely caused by chromosomal mosaicism. HI patients may suffer from numerous clinical manifestations, but the expression of the disease is highly variable. Ophthalmologic, musculoskeletal, neurologic, and dental anomalies may be associated with the syndrome. The dental abnormalities found in HI include talon cusps, a single maxillary central in-cisor, enamel defects, hypodontia, and irregularly spaced teeth. The aim of this case report is to present multiple talon cusps, dens in dente and concrescence of maxillary permanent incisors in an 8-year-old boy affected with hypomelanosis of ito. This unusual dental anomaly has been described in two previous reports of this neurocutaneous syndrome. HI can be difficult to diagnose, these dental findings may help to identify the syndrome in cases where other findings are minimal or atypical.

关键词： Hypomelanosis of ito Incontinentia Pigmenti Achromians Talon Cusps

超低压ito基壳聚糖电解质纸张薄膜晶体管的制备

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材料导报 2013年第18期27卷 9-11,27页

作者：刘欣赵娟赵孔胜刘全慧湖南大学物理与微电子科学学院长沙410082

采用一步掩膜法通过射频磁控溅射设备同时制备源极、漏极以及沟道层,采用具有双电荷层效应的壳聚糖薄膜为栅介质,成功制备出以纸张为衬底的超低压薄膜晶体管。这种柔性衬底薄膜晶体管具有良好的电学性能:超低的工作电压(仅为0.8V),场效... 详细信息

采用一步掩膜法通过射频磁控溅射设备同时制备源极、漏极以及沟道层,采用具有双电荷层效应的壳聚糖薄膜为栅介质,成功制备出以纸张为衬底的超低压薄膜晶体管。这种柔性衬底薄膜晶体管具有良好的电学性能:超低的工作电压(仅为0.8V),场效应迁移率达到8.1cm2/(V·s),亚阈值斜率为80mV/decade,开关电流比高达1.2×107。

关键词：纸张薄膜晶体管超低压 ito 壳聚糖双电层效应

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电子束法沉积 ito 透明导电膜的研究

华中理工大学学报 1998年第3期26卷 10-12页

作者：史济群周京英马稚尧马洪磊华中理工大学电子科学与技术工程系山东大学光电材料与器件研究所

论述了ＩＴＯ膜的导电机理及生长机理，讨论了电子束加热真空蒸镀ＩＴＯ膜的方法中，膜的组分、氧分压、衬底温度和蒸发速率等几个参数对ＩＴＯ膜光电性能的影响．在选择合适的工艺条件下制备ＩＴＯ膜，电阻率约４×１０－４Ω·ｃｍ，... 详细信息

论述了ＩＴＯ膜的导电机理及生长机理，讨论了电子束加热真空蒸镀ＩＴＯ膜的方法中，膜的组分、氧分压、衬底温度和蒸发速率等几个参数对ＩＴＯ膜光电性能的影响．在选择合适的工艺条件下制备ＩＴＯ膜，电阻率约４×１０－４Ω·ｃｍ，可见光范围内平均透过率高于９０％．

关键词： ito 薄膜氧空位蒸汽分压电子束沉积导电膜

制备方法对负载Pd多孔ito材料组织的影响

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兵器材料科学与工程 2014年第6期37卷 69-72页

作者：周允红周晓龙曹建春曹宇樊勇军昆明理工大学材料科学与工程学院云南昆明650093 广西南宁铝加工有限公司广西南宁530031

采用等体积浸渍法和粉末冶金法分别制备负载有Pd的多孔ito气敏材料,并通过XRD、SEM、EDS等对其物相和显微组织进行分析与比较。结果表明:通过等体积浸渍法制备得到的负载有Pd的多孔ito气敏材料,孔隙量少、孔径较小且孔隙周围有Pd集聚的... 详细信息

采用等体积浸渍法和粉末冶金法分别制备负载有Pd的多孔ito气敏材料,并通过XRD、SEM、EDS等对其物相和显微组织进行分析与比较。结果表明:通过等体积浸渍法制备得到的负载有Pd的多孔ito气敏材料,孔隙量少、孔径较小且孔隙周围有Pd集聚的现象;而采用粉末冶金法所制得的负载有Pd的多孔ito气敏材料,孔隙量多、孔径较大且分布十分均匀,贵金属Pd的实际负载量和理论负载量一致。

关键词： ito 负载Pd 制备等体积浸渍法粉末冶金法

EXPRESSION OF TRANSFORMING GROWTH FACTOR-α INTHE RAT'S ito CELL DURING LIVER FIBROGENESIS

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Medical Bulletin of Shanghai Jiaotong University 1998年第Z1期19卷 15-18,23页

作者：李宣海王丹艺巫向前刘海林

Objective Evidences have shown that ito cells were important in hepatic fibrosis and manycytokines were involved in the activation and regulation of ito cells from static - to dynamic - state. This programwas designed to observe the expression of TGF- α in ito cells. Methods The ito cells were successfully isolatedin vitro and the expression of TGF- α was measured by reverse - transcription polymerase chain reaction(RT- PCR). Results The TGF-α transcription significantly enhanced in hepatic fibrosis. The ratio of TGF-αto β- actin was 0.89±0.11 in normal rats ito cells (n=6), 3.72±0.25 in hepatic fibrosis rats ito cells (n=6)respectively (P<0.05). Conclusion TGF-α played an important role in activation and regulation of hepaticfibrosis.

关键词： TGF-α ito cell hepatic fibrosis

Reactive Ion Etching of ito Transparent Electrode of TFT-AMLCD in Ar/CF_4 Plasma

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Semiconductor Photonics and Technology 1998年第3期4卷 188-192页

作者： ElHassaneOULACHGAR XUZhongyang 等 Dept.ofElectron.Sci.＆Eng. HuazhongUniversityofSci.＆Tech.Wuhan430074CHN Dept.ofElectron.Sci.＆Eng. Hu

The pattern of ito transparent electrode of pixel cells in TFT-AMLCD is a critical step in the manufacturing process of flat panel display devices,the development of suitable plasma reactive ion etching is necessary to achieve high resolution *** this work we investigated the Ar/CF 4 plasma etching of ito as function of different *** demonstrated the ability of this plasma to etch ito and achieved an etching rate of about 3.73 nm/min,which is expected to increase for long pumping down period,and also through addition of hydrogen in the *** we described the ito etching mechanism in Ar/CF 4 *** investigation of selectivity showed to be very low over silicon nitride and silicon dioxide but very high over aluminum.

关键词： Ar/CF 4 plasma ito Reactive Ion Etching TFT-AMLCD