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interfacial charge transfer induced electronic property tuning of mos_2 by molecular functionalization

Chinese Physics Letters 2021年第5期38卷 94-98页

作者： Si-Han Zhou Chun-Wei Zhou Xiang-Dong Yang Yang Li Jian-Qiang Zhong Hong-Ying Mao Department of Physics Hangzhou Normal UniversityHangzhou 311121China

The modulation of electrical properties of mos_2 has attracted extensive research interest because of its potential applications in electronic and optoelectronic ***,interfacial charge transfer induced electronic property tuning of mos_2 are investigated by in situ ultraviolet photoelectron spectroscopy and x-ray photoelectron spectroscopy measurements.A downward band-bending of mos_2-related electronic states along with the decreasing work function,which are induced by the electron transfer from Cs overlayers to mos_2,is observed after the functionalization of mos_2 with Cs,leading to n-type ***,when mos_2 is modified with 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane(F_4-TCNQ),an upward band-bending of mos_2-related electronic states along with the increasing work function is observed at the *** is attributed to the electron depletion within mos_2 due to the strong electron withdrawing property of F_4-TCNQ,indicating p-type doping of mos_*** findings reveal that surface transfer doping is an effective approach for electronic property tuning of mos_2 and paves the way to optimize its performance in electronic and optoelectronic devices.

关键词： interfacial charge transfer induced electronic property tuning of mos_2 by molecular functionalization

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