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Carrier transportation in polycrystalline CuInSe_2 thin films with Cu-deficient grain boundaries

Rare Metals 2015年第7期34卷 510-516页

作者： Bo Yin Chao-Gang Lou School of electronic Science and engineering Southeast University

The interface energies and electronic structures of(112) grain boundaries of Cu In Se2 thin films were investigated by first-principle *** is found that the grain boundary with a Cu vacancy has low interface energy and exists widely in the *** Cu deficiency may cause the charge imbalance and result in an upward band bending at the grain *** also weakens the repulsion between Cu-3d orbital and Se-4p orbital and leads to the downward shift of valence band *** two mechanisms,namely the band bending from the charge imbalance and the depression of the valence band maximum, have effects on the(112) grain boundaries with different *** change of band structure forms a potential barrier to prevent electrons or holes from approaching the grain boundary and reduces their *** might be used to explain the effects of the grain boundary on carrier transportation and why polycrystalline Cu(In,Ga)Se2thin film solar cells have better performance than single-crystal cells.

关键词： First principle CuInSe2 Grain boundary interface e

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