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铝掺杂对硒化铟晶体结构与性能的影响
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人工晶体学报 2024年 第09期 1528-1535页
作者: 郑权 刘学超 王浩 朱新峰 潘秀红 陈琨 邓伟杰 汤美波 徐浩 吴鸿辉 金敏 上海大学微电子学院 中国科学院上海硅酸盐研究所 中国科学院大学 上海电机学院材料学院
硒化铟(inse)是一种新型的窄禁带(1.3 eV)层状半导体,具有优异的塑性和电学性能,在新型电子和光电子器件中具有广泛应用前景。本文研究发现铝掺杂可调节inse晶体的塑性和光电性能。采用布里奇曼(Bridgeman)法生长了未掺杂和铝掺杂... 详细信息
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