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An electromagnetic simulation assisted small signal modeling method for inp double-heterojunction bipolar transistors

引用

Chinese Physics B 2022年第6期31卷 717-724页

作者： Yanzhe Wang Wuchang Ding Yongbo Su Feng Yang Jianjun Ding Fugui Zhou Zhi Jin School of Microelectronics University of Chinese Academy of SciencesBeijing 100049China High-Frequency High-Voltage Device and Integrated Circuits R&D Center Institute of MicroelectronicsChinese Academy of SciencesBeijing 100029China

We present a convenient and practical electromagnetic(EM)assisted small-signal model extraction method for inp double-heterojunction bipolar transistors(DHBTs).Parasitic parameters of pad and electrode fingers are extracted by means of 3D EM *** simulations with a new excitation scheme are closer to the actual on-wafer measurement *** simulation settings are calibrated by comparing measurement and simulation of OPEN and SHORT structures.A simplerπ-type topology is proposed for the intrinsic model,in which the base-collector resistance Rμ,output resistance Rce are deleted,and a capacitance Cce is introduced to characterize the capacitive parasitic caused by the collector finger and emitter ground *** intrinsic parameters are all extracted by exact equations that are derived from rigorous *** method is characterized by its ease of implementation and the explicit physical meaning of extraction *** validations are performed at four biases for three InGaAs/inp HBT devices with 0.8×7μm,0.8×10μm and 0.8×15μm emitter,and quite good fitting results are obtained in the range of 0.1-50 GHz.

关键词： electromagnetic simulation inp double-heterojunction bipolar transistor parameter extraction small-signal modeling

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