检索结果-南通市图书馆

作者：亢艳艳吉林大学

学位级别：硕士

半导体纳米晶具有量子尺寸效应和独特的光学性质,可广泛地应用在光电器件、生物标记、太阳能电池、光催化等方面。这使半导体纳米晶成为越来越多研究者研究的热点。在过去三十年里,II-VI族纳米晶是这些半导体纳米晶中研究最深入、最广... 详细信息

半导体纳米晶具有量子尺寸效应和独特的光学性质,可广泛地应用在光电器件、生物标记、太阳能电池、光催化等方面。这使半导体纳米晶成为越来越多研究者研究的热点。在过去三十年里,II-VI族纳米晶是这些半导体纳米晶中研究最深入、最广泛的材料。然而,II-VI族纳米晶大多含有对环境有害的高毒性元素(Cd、Hg等),因此限制了其大规模、商业化生产。inp纳米晶具有和II-VI族纳米晶相似的光学性质,不含Cd、Pb、Hg等重金属,具有环保低毒的优点,成为代替II-VI族纳米晶的最佳候选材料。合成inp纳米晶最常用的磷源为三(三甲基硅烷基)-膦(P(SiMe)),但这种磷源价格昂贵、性质活泼安全性较差。新型磷源三(二甲胺基)膦或者三(二乙胺基)膦(P[N(CH)]或P[N(CHCH)])具有安全、经济的特点,可代替P(SiMe)。直接合成的In P纳米晶发射范围有限,掺杂可以扩宽材料的发射范围。在ZnSe材料中掺杂Ag离子比掺杂Cu离子具有更好的稳定性,所以我们在inp纳米晶中掺杂Ag离子从而扩宽其发射范围。本文第二章使用安全、经济的新型磷前体P[N(CH)],采用高温热注入法合成了inp纳米晶,并系统研究了油胺(OLA)浓度的变化、反应的阴阳前体比等反应参数对inp纳米晶合成的影响。另外,通过逐步升温的方法调节反应的温度最终得到不同发射、尺寸分布较为均一的In P纳米晶,从而实现了inp纳米晶的尺寸从1.8 nm到4.2 nm连续可调。本文第三章采用生长掺杂的方法,在inp纳米晶中掺入Ag离子成功合成了Ag:inp纳米晶,实现了inp纳米晶发射范围的扩大。另外,本章还研究了掺杂浓度和掺杂温度对Ag:inp纳米晶的荧光量子效率的影响。随着Ag掺杂浓度和掺杂温度的增加,Ag:inp纳米晶的荧光量子效率都呈现先增加后减小的趋势。当Ag离子的掺杂浓度为5%,掺杂温度为160℃时,光致发光性质最优,其荧光效率可达到8%。通过调节In P纳米晶的尺寸,实现了Ag:inp纳米晶的发射范围从640 nm到1000 nm可调。为了提高Ag:inp纳米晶荧光量子效率及稳定性,在Ag:inp纳米晶表面包覆ZnS壳层。通过在Ag:In P纳米晶表面包覆ZnS壳层,Ag:inp纳米晶的荧光量子效率从原来的8%提高到45%,其稳定性也明显提高,这使Ag:inp/ZnS纳米晶在医学成像、生物标记等方面具有更广泛的应用。

关键词：纳米材料 inp纳米晶新型磷源 Ag+掺杂 ZnS核壳包覆

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利用铟和磷直接反应合成inp纳米晶

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机械工程材料 2004年第4期28卷 42-44页

作者：信春雨刘振刚于美燕赖泽锋盖利刚王琪珑山东大学研究生院山东济南250100 山东大学化学与化工学院山东济南250100

以金属铟和白磷为原料,在苯热条件下直接反应合成了inp纳米晶,研究了反应温度对inp纳米晶物相的影响。XRD和选区电子衍射测试结果证明样品为立方相inp纳米晶。微观形貌观测结果证明:在300℃合成的inp纳米晶体粒度均匀,而且团聚现象较少... 详细信息

以金属铟和白磷为原料,在苯热条件下直接反应合成了inp纳米晶,研究了反应温度对inp纳米晶物相的影响。XRD和选区电子衍射测试结果证明样品为立方相inp纳米晶。微观形貌观测结果证明:在300℃合成的inp纳米晶体粒度均匀,而且团聚现象较少。当温度为200℃时,inp纳米晶的结晶质量较差,如果把温度升高到400℃,inp纳米晶的结晶质量得到进一步改善。

关键词： inp纳米晶溶剂热合成元素直接反应

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纳米磷化铟的制备及其表征

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西安交通大学学报 2006年第2期40卷 235-238页

作者：王红理王东刘晖张卫华陈光德西安交通大学理学院西安710049

报道了以Na、P和InCl3.4H2O为原料,以二甲苯为溶剂,用改进的常压有机溶剂回流退火法合成纳米磷化铟晶粒的方法,并与已有的其他方法进行了比较.在二甲苯溶液中合成了纳米inp,并用X射线衍射、透射电子显微镜、激光拉曼光谱和吸收光谱对合... 详细信息

报道了以Na、P和InCl3.4H2O为原料,以二甲苯为溶剂,用改进的常压有机溶剂回流退火法合成纳米磷化铟晶粒的方法,并与已有的其他方法进行了比较.在二甲苯溶液中合成了纳米inp,并用X射线衍射、透射电子显微镜、激光拉曼光谱和吸收光谱对合成产物的结构和性能进行了表征和分析.研究结果表明,合成的晶粒具有立方闪锌矿结构,平均粒径为55 nm,最小粒径为3 nm,晶格常数为5.869×10-10m,具有明显的量子尺寸效应,而且晶粒的完整性好,产率高.

关键词： inp纳米晶透射电子显微镜拉曼光谱吸收光谱

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inp纳米材料的制备与非线性光学特性研究

InP纳米材料的制备与非线性光学特性研究

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作者：王超西北大学

学位级别：硕士

inp以其众多的优越特性而在许多高技术领域有着广泛的应用。掺硫的N型inp材料主要应用于激光器、发光二极管、光放大器、光纤通信等光电领域。半绝缘(SI)inp主要用于微电子器件和光电集成等领域。以Na,P和InCl·4HO为原料,以二甲... 详细信息

inp以其众多的优越特性而在许多高技术领域有着广泛的应用。掺硫的N型inp材料主要应用于激光器、发光二极管、光放大器、光纤通信等光电领域。半绝缘(SI)inp主要用于微电子器件和光电集成等领域。以Na,P和InCl·4HO为原料,以二甲苯为溶剂,用改进的常压有机溶剂回流退火法合成了纳米磷化铟晶粒。实验上,用X射线衍射,透射电子显微镜,激光拉曼光谱和吸收光谱对合成产物进行了表征和分析。研究结果表明合成的晶粒具有立方闪锌矿结构,平均粒径为55nm,最小粒径为3nm,晶格常数为5.869×10m,具有明显的量子尺寸效应,而且晶粒的完整性好,产率高。采用Z一扫描法测量了上述样品的三阶非线性光学性质,根据其Z-扫描标准透过率曲线求得了相应的三阶非线性折射率或克尔常数及三阶非线性吸收系数。理论上,基于光学系统对傍轴激光束的传输与变换技术—ABCD定理,直接以非线性相移为研究对象,采用表征高斯光束特征的q参数,在光束无象散近似假设下模拟了z一扫描测量方法的理论基础,分析了非线性介质光克尔效应对高斯光束传输特性的影响,得到了表达简单的解析理论公式,建立了新的数学物理模型。通过数值模拟计算,得到了与实验现象非常吻合的结果,很好地验证了上述理论和计算程序的正确性和可靠性。采用该模型还对Z-扫描经典理论进行了新的探索性研究,除了包含经典Z-扫描理论的所有结论之外,还得到了一些新的计算结果。

关键词： inp纳米晶三阶非线性极化率光克尔效应高斯光束 Z-扫描 ABCD定理 q参数

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lnP/SiO2纳米颗粒膜的制备与微观结构的研究

lnP/SiO2纳米颗粒膜的制备与微观结构的研究

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2000年中国材料研讨会

作者：王浩丁瑞钦杨恢东于英敏王宁娟 W.Y.Cheung W.F.Lau S.P.Wong 五邑大学数学物理系薄膜与纳米材料研究所香港中文大学电子工程系暨材料科技研究中心

采用射频磁控共溅射方法,在单晶Si(111)基片上制备了inp/SiO纳米颗粒膜,对制备态样品在高真空中进行inp保护下的退火处理,退火温度范围为310～520℃。分别采用X射线光电子能谱仪、X射线衍射仪、卢瑟福背散射谱仪和Raman光谱仪对薄膜的... 详细信息

采用射频磁控共溅射方法,在单晶Si(111)基片上制备了inp/SiO纳米颗粒膜,对制备态样品在高真空中进行inp保护下的退火处理,退火温度范围为310～520℃。分别采用X射线光电子能谱仪、X射线衍射仪、卢瑟福背散射谱仪和Raman光谱仪对薄膜的化学结合态、微观结构与组分分布等进行了表征。结果表明,在适当的退火条件下,可获得镶嵌于SiO薄膜中的inp纳米晶粒。

关键词： inp纳米晶颗粒膜微观结构射频溅射

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