咨询与建议
  • 全部检索
  • 电子图书
  • 电子期刊
  • 纸本馆藏
  • 南通市公共图书馆
高级检索

限定检索结果

文献类型

  • 3 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 3 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

主题

  • 3 篇 inp/ingaasp/inga...
  • 3 篇 雪崩光电二极管
  • 2 篇 ingaas
  • 2 篇 平面结构
  • 1 篇 保护环
  • 1 篇 暗电流
  • 1 篇 回熔
  • 1 篇 lpe
  • 1 篇 apd
  • 1 篇 vpe

机构

  • 1 篇 光电研究室nec公司...

作者

  • 1 篇 y.sugimoto
  • 1 篇 何兴仁
  • 1 篇 李士青
  • 1 篇 张瑞华
  • 1 篇 y.kishi

语言

  • 3 篇 中文
检索条件"主题词=InP/InGaAsP/InGaAs"
共 3 条 记 录，以下是1-10 订阅
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到"检索档案"
详细 简洁
排序：
inp/ingaasp/ingaas隐埋结构雪崩光电二极管LPE生长
收藏
分享
引用
半导体光电 1985年 第1期 61-62页
作者： Y.KISHI 何兴仁
成功地制作了有效保护环结构inp/ingaasp/ingaas雪崩光电二极管。该器件是平面结构,在倍增区,其n-inp层被n;-inp所掩埋。采用两步液相外延生长工艺,在（111）A晶向inp衬底上生长了这种结构。n;-inp二次生长之前,采用回熔技术来减少暗电流。
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
用VPE法制得的平面型高速inp/ingaasp/ingaas雪崩光电二极管
收藏
分享
引用
半导体光电 1985年 第2期 67-69页
作者： Y.SUGIMOTO 李士青 光电研究室NEC公司
用VPE生长技术和Be;注入做保护环,已制得了平面结构的inp/ingaasp/ingaas雪崩光电二极管。在1.3μm和1.8G毕特/s下,测量了接收灵敏度。在10;BER下,获得的最小平均接收电平为-31.3dBm,此值比Ge-APD高1.2dB。
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
用汽相外延法生长的高速平面结构inp/ingaasp/ingaas雪崩光电二极管
收藏
分享
引用
微纳电子技术 1985年 第4期 7-7页
作者： 张瑞华
据日本 NEC 光电研究窒报导,他们采用汽相外延生长方法和 Be;离子注入保护环结构,实现了平面结构的 inp/ingaasp/ingaas 雪崩光电二极管。在1.3μm 和1.3Gbit/s 条件下进行了灵敏度的测量。在10;误码率的情况下所需的最小平均接收功率为... 详细信息
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到“检索档案”
共1页 <<  < 1 >  >>
回到顶部
执行限定条件