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应力对M-Z型inp/ingaasp-EAM偏振相关损耗的影响

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光子学报 2006年第12期35卷 1837-1841页

作者：蔡纯刘旭肖金标丁东张明德孙小菡东南大学电子工程系光子学与光通信研究室

采用Agilent81910A光子全参量测试仪,首次实验研究了inp/In1-xGaxAs1-yPy-MQW(Multiple-Quantum-Well,MQW)材料与衬底间因应力而产生的M-Z型光调制器的PDL影响以及由此引起的由差分群时延(DifferentialGroupDelay,DGD)表征的偏振模色散(PolarizationModeDispersion,PMD)·研究结果表明,半导体MQW光调制器的PDL与DGD是一致的·因此在半导体光器件的制作过程中,应尽可能地减小衬底与波导芯层之间的因残存应力的存在造成对光器件的高速性能的不利影响·

关键词： inp/ingaasp 偏振相关损耗应力差分群时延多量子阱 Stokes模型

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条形inp／ingaasp-EAM的色散特性实验研究

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光电子．激光 2008年第4期19卷 434-438页

作者：蔡纯刘旭张明德孙小菡东南大学电子工程系光子学与光通信研究室

采用Agilent公司的81910A光子全参数测试仪,实验研究了不同组分比的条形inp/In1-xGaxAs1-yPy多量子阱电吸收调制器(MQW-EAM)的色度色散(CD)特性。研究结果表明,Ⅲ-Ⅴ半导体MQW-EAM的CD特性与材料密切相关,并估算了EAM的带宽。因此,对应... 详细信息

采用Agilent公司的81910A光子全参数测试仪,实验研究了不同组分比的条形inp/In1-xGaxAs1-yPy多量子阱电吸收调制器(MQW-EAM)的色度色散(CD)特性。研究结果表明,Ⅲ-Ⅴ半导体MQW-EAM的CD特性与材料密切相关,并估算了EAM的带宽。因此,对应用于高速光通信系统中的同类型半导体光子器件,所用材料必须尽可能一致,以保证其高速性能的一致性。

关键词： inp/ingaasp 色度色散(CD) 群时延(GD) 电吸收调制器(EAM) 多量子阱(MQW)

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inp/ingaasp双异质结激光器

吉林大学自然科学学报 1981年第4期 83-86页

作者：衣茂斌苗忠礼朱有才王兢高鼎三吉林大学半导体系

本文介绍了inp/ingaasp双异质结激光器的制作及其特性。在通常的液相外延系统中用两相溶液法生长双异质结构晶片,适当的选择四元系外延层的组分及外延层的掺杂浓度,掌握Zn在外延片中的扩散规律,做好欧姆接触,结果制成了在室温下连续工... 详细信息

本文介绍了inp/ingaasp双异质结激光器的制作及其特性。在通常的液相外延系统中用两相溶液法生长双异质结构晶片,适当的选择四元系外延层的组分及外延层的掺杂浓度,掌握Zn在外延片中的扩散规律,做好欧姆接触,结果制成了在室温下连续工作的条形激光器。室温最低脉冲阈值电流密度Jth=1800A/cm2,室温直流阈值在200—300mA之间,激射波长1.35μm,主峰半宽5。

关键词：双异质结激光器双异质结构晶片 Zn inp/ingaasp 外延片

掺Mn基区ingaasp/inp双集电区异质光敏晶体管

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Journal of Semiconductors 1988年第1期 90-91页

作者：李维旦富小妹潘慧珍中国科学院上海冶金研究所中国科学院上海冶金研究所上海

为了用液相外延法制出高速、高增益异质光敏晶体管,采用了新型的双集电区结构,并且采用Mn作为p型掺杂剂,以代替常用的Zn或Cd制作p;-n;集电结.制出的台面型HPT的典型光增益为144;在 80 ps Gaussian光脉冲作用下,其输出脉冲上升时间为 400... 详细信息

为了用液相外延法制出高速、高增益异质光敏晶体管,采用了新型的双集电区结构,并且采用Mn作为p型掺杂剂,以代替常用的Zn或Cd制作p;-n;集电结.制出的台面型HPT的典型光增益为144;在 80 ps Gaussian光脉冲作用下,其输出脉冲上升时间为 400ps.半峰宽为1.2ns.

关键词：异质结光敏晶体管 inp/ingaasp 掺锰基区双集电区

1.5μm高功率超辐射发光二极管的制备和性能

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1.55μm高功率单横模半导体激光器的研制

发光学报 2024年第4期45卷 644-650页

作者：薛正群王凌华陈玉萍福州大学先进制造学院福建泉州 362251 福州大学物理与信息工程学院福建福州 350116 厦门市芯诺通讯科技有限公司福建厦门 361011

超辐射发光二极管作为光纤陀螺的核心元件,其性能直接影响光纤陀螺的精度;其中超辐射发光二极管出光功率越高,光纤陀螺接收信号信噪比越好.inp/AlGaInAs增益材料具有电子限制效率高的优点,然而由于Al元素容易氧化,面临一定的应用可靠性... 详细信息

超辐射发光二极管作为光纤陀螺的核心元件,其性能直接影响光纤陀螺的精度;其中超辐射发光二极管出光功率越高,光纤陀螺接收信号信噪比越好.inp/AlGaInAs增益材料具有电子限制效率高的优点,然而由于Al元素容易氧化,面临一定的应用可靠性问题.本文采用inp/ingaasp作为增益材料,通过在外延结构上采用宽带隙电子阻挡层来提高量子阱的电子限制效率.试验结果表明,激光芯片最大出光功率从69 mW提升至92 mW.在此基础上,通过优化材料沉积速率改善增益区和应变电子阻挡层材料质量.结果显示,激光芯片可靠性得到较为明显改善,经过1 000 h寿命老化,样品阈值和功率变化率在合格范围之内.最后,进行超辐射发光二极管芯片制备.测试表明,电子阻挡层使得室温下SLD芯片饱和出光功率从 19 mW提高至 24 mW,饱和工作电流也有所提高,光谱宽度达到80 nm,光谱中心波长在1 500 nm附近;芯片1 000 h寿命老化阈值和光功率变化稳定,未出现性能退化样品.

关键词：超辐射发光二极管 inp/ingaasp 电子阻挡结构材料生长速率

来源：博看期刊评论

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